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张经纬

作品数：23 被引量：20H指数：3
供职机构：中国矿业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇逆变
  • 5篇逆变器
  • 5篇门极
  • 4篇电感
  • 4篇矢量
  • 4篇母排
  • 4篇开关序列
  • 3篇电荷
  • 3篇电路
  • 3篇杂散电感
  • 3篇损耗
  • 3篇晶体管
  • 3篇空间矢量
  • 3篇故障诊断
  • 3篇SUB
  • 3篇Z源
  • 3篇Z源逆变器
  • 3篇大功率
  • 3篇大功率IGB...
  • 2篇电路结构

机构

  • 23篇中国矿业大学

作者

  • 23篇张经纬
  • 17篇何凤有
  • 15篇王强
  • 9篇谭国俊
  • 5篇叶宗彬
  • 3篇吴翔
  • 2篇梁睿
  • 2篇邓先明
  • 2篇于东升
  • 1篇耿程飞
  • 1篇胡红胜
  • 1篇程植
  • 1篇李晓辉

传媒

  • 4篇电力电子技术
  • 1篇电工技术学报

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率半导体器件封装可靠性与动态特性批量测试电路及方法、装置
本发明公开了一种功率半导体器件封装可靠性与动态特性批量测试电路及方法、装置。本发明通过在导通损耗的基础上叠加可调节的开关损耗以加热功率器件达到所需温度波动，这样更贴近实际运行工况，可以不改变功率器件失效机理的前提下有效减...
王强张经纬姜翼展何凤有谭国俊吴翔
一种变功率因数下开关损耗优化的Z源逆变器控制方法及装置
本发明公开了一种变功率因数下开关损耗优化的Z源逆变器控制方法及装置，该方法基于空间矢量控制方法，该方法包括：通过电压参考矢量与α‑β坐标系中坐标轴α轴的夹角θ、电压参考矢量对应的调制度M，结合所在扇区计算出电压矢量的作用...
姜翼展郭志康张经纬王强何凤有
一种变功率因数下开关损耗优化的Z源逆变器控制方法及装置
本发明公开了一种变功率因数下开关损耗优化的Z源逆变器控制方法及装置，该方法基于空间矢量控制方法，该方法包括：通过电压参考矢量与α‑β坐标系中坐标轴α轴的夹角θ、电压参考矢量对应的调制度M，结合所在扇区计算出电压矢量的作用...
姜翼展郭志康张经纬王强何凤有
一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法
本发明提供一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测方法，所述方法包括：当IGBT出现过流时，IGBT关断出现电压尖峰，当IGBT两端电压超过有源钳位二极管的击穿电压时，有源钳位电路工作，将IGBT钳位在保护电压上；检测电...
何凤有耿程飞张经纬王强
一种兼具优化开关损耗和共模降压的Z源逆变器控制方法及装置
本发明公开了一种兼具优化开关损耗和共模降压的Z源逆变器控制方法及装置，该方法包括：根据各矢量产生的共模电压大小，筛选出电压矢量用于合成电压参考矢量；根据扇区、筛选出的电压矢量、电压参考矢量与<I>α</I>‑<I>β</...
姜翼展郭志康王强张经纬何凤有
适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法
本发明提供一种适于多换流回路共层叠母排电路结构的IGBT过压解耦方法，该方法具体包括以下步骤：采用PEEC法得出每相层叠母排的等效电路；统计每相等效电路中存在的换流路径；根据换流路径得出具有过压风险的暂态耦合电路；将暂态...
何凤有谭国俊耿程飞张经纬王强黄德雷
基于门极电荷Q<Sub>g</Sub>的大功率IGBT故障诊断及保护方法和装置
本发明提供了一种基于门极电荷Q<Sub>g</Sub>的大功率IGBT故障诊断及保护方法，该方法包括，采集IGBT的门极电流信号;将采集到的IGBT门极电流信号进行积分和复位运算，得到IGBT在不同开关区间的门极电荷模拟...
耿程飞张经纬王强何凤有叶宗彬
基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET短路保护研究被引量：6
2017年
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过短的短路承受时间增大了短路保护的难度,传统退饱和法较长的检测时间容易对SiC MOSFET造成严重冲击。印制电路板(PCB)罗氏线圈高带宽交变电流检测及反应灵敏的特性,使其适用于功率器件短路的快速检测。在SiC MOSFET发生短路时,利用PCB罗氏线圈配合复合式积分电路提取瞬态变化电流,进行反馈控制,有效缩短短路保护的延迟时间。通过软关断,减小关断过程中过高的电流变化率导致的过压对SiC MOSFET造成过大的冲击。实验结果表明,采用PCB罗氏线圈电流检测法能在短路发生第一时间迅速可靠地关断SiC MOSFET,实现短路保护。
张经纬李晓辉谭国俊
关键词：晶体管印制电路板短路保护
一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法
本发明提供一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测方法，所述方法包括：当IGBT出现过流时，IGBT关断出现电压尖峰，当IGBT两端电压超过有源钳位二极管的击穿电压时，有源钳位电路工作，将IGBT钳位在保护电压上；检测电...
何凤有耿程飞张经纬王强
SiC MOSFET开关行为及故障诊断研究
作为一种新型的宽禁带半导体材料，碳化硅（SiC）功率器件因其出色的物理及电特性正越来越受到电力电子行业的广泛关注。SiC MOSFET模块因其低导通电阻，高开关速率等性能优点，被认为是最有可能取代目前广泛应用的Si IG...
张经纬
关键词：短路保护
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