陈茗
- 作品数：16 被引量：5H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程建筑科学经济管理更多>>
- 一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
- 本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
- 韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
- 一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
- 本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+...
- 曾才赋韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅杜晓阳洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
- 一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
- 本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
- 崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
- 一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
- 本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
- 崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
- 一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
- 本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层，多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
- 崔强韩雁董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
- 一种红外名片交换专用芯片的设计
- 2006年
- 该文给出一种专用于电子化商务名片交换和管理的红外数据通信芯片的研制,芯片采用点对点红外通信技术传输电子名片信息,结合系统集成方法,增强了信息交换的安全性和通讯质量,并提高了电子名片交换和管理的效率。芯片采用0.6μm CMOS工艺(双阱、双层多晶硅、双层金属)流片,并进行封装和测试。
- 陈茗韩雁
- 关键词：商务名片专用芯片
- 装配式预制构件生产基地建设的研究
- 装配式建筑是未来建筑行业发展的趋向，本身具有环保、节能、保证工程质量、提高生产效率、降低企业成本等特点。作为国家在全国全面大力推广的一种建筑形式，自2015年以来国家相关部门密集出台各种相关发展性纲要、指导性意见、强制性...
- 陈茗
- 关键词：建筑行业
- 一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
- 本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
- 韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
- 杭州体育馆索网结构防火安全性研究
- 2025年
- 针对杭州体育馆索网结构火灾温度敏感性高、防腐层存在引燃风险的问题,本文综合考虑火源位置、火灾荷载、自动喷水灭火系统与排烟系统有效性等因素确定火灾场景,通过FDS获取能反映大空间特征的火灾升温曲线,计算最不利场景下的构件温升,采用ANSYS结合热重试验分析索网结构的防火安全性。研究表明,由于吊顶对火羽流与高温烟气的阻挡,体育馆的最不利火源位置为中央吊顶边缘正下方,索网结构最高温度可达193℃,与场地中央火灾相比,承重索与拉杆的最高温度分别增加约119%与53%。杭州体育馆索网防腐层的引燃温度为244℃,被引燃的风险较低。索网结构构件在最不利荷载组合作用下的承载力与临界温度、结构整体稳定性和跨中最大竖向挠度均满足现行的抗火性能要求。研究结果可为大空间索网结构的抗火设计提供参考。
- 陈茗林鸿达王晓春吴珂
- 关键词：体育馆索网结构抗火性能
- 一种静电放电防护电路
- 本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放...
- 杜晓阳韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
