张海波
- 作品数：89 被引量：115H指数：6
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程电子电信更多>>
- 钛酸铋钠钾压电厚膜的制备与性能研究
- 厚度为10-100μm的压电厚膜兼具陶瓷与薄膜的优点，随着电子元器件向小型、高灵敏、集成、多功能方向发展，压电厚膜及器件成为国内外研究热点。本文采用丝网印刷法制备出高致密钛酸铋钠钾无铅压电厚膜，并研究了厚膜微结构和性能。...
- 张海波
- 关键词：丝网印刷法微结构掺杂改性
- 一种大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷及其制备方法
- 本发明属于无铅压电材料相关技术领域，其公开了一种大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷，其化学式为Bi<Sub>1/2</Sub>(Na<Sub>0.82</Sub>K<Sub>0.18</Sub>)<Sub>1/2</Sub...
- 张海波范鹏元张小明朱义为马伟刚谢兵
- 一种压电传感器及其制备方法和回收降解方法
- 本发明属于智能传感技术领域，具体涉及一种压电传感器及其制备方法和回收降解方法，柔性压电传感器中的压电复合物由分子铁电体晶体和可降解水凝胶构成，分子铁电体晶体嵌入于水凝胶的网状结构中，制备方法为：将可降解水凝胶浸泡在分子铁...
- 张光祖卢隽伶姜胜林周军石志军李文儒张海波刘欢
- 一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法
- 本发明公开了一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法，包括①按固相法制备结构式为(Na<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>)<Sub>(1－x)</Sub>Ba<Sub>x</Sub>TiO<Sub>...
- 姜胜林张海波曾亦可钟南海刘耀平
- 一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法
- 本发明公开了一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法，包括：①硅片清洗，生长二氧化硅和氮化硅层；②刻蚀硅片背面腐蚀窗口后刻蚀硅微桥；③采用剥离工艺制备Pt/Ti下电极；④印刷法制备无铅压电厚膜并进行抛光；⑤沉积Au上电极...
- 张海波姜胜林曾亦可范茂彦谢甜甜
- 压电空气耦合超声换能器制备优化及实验验证被引量：3
- 2022年
- 空气耦合超声换能器作为一种无损检测(NDT)的重要设备,具有广阔应用前景,但由于压电元件与空气声阻抗失配导致低带宽(BW)、低灵敏度(SNS)及高双程插入损耗等缺陷而阻碍其应用。该文对空气耦合超声换能器制备工艺进行优化,使用COMSOL软件模拟了压电元件的尺寸设计。同时通过采用1-3型压电复合元件与优化环氧树脂+空心玻璃微珠匹配层调控压电元件与空气的声阻抗,制备了工作频率400 kHz的空气耦合换能器。在工作频率时,该换能器的厚度振动模态较纯,带宽较宽,灵敏度与双程插入损耗为-38 dB。结果表明,采用该文自研工艺制备的空气耦合超声换能器具有良好的性能与巨大应用潜力。
- 董方旭周鑫翊刘发付凡丽梅高华昀窦占明段剑姜胜林张海波
- 关键词：匹配层仿真换能器
- 一种择优取向多孔压电陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种择优取向多孔压电陶瓷及其制备方法，属于功能陶瓷材料领域，具体为将模板诱导压电陶瓷择优取向的流延成型工艺结合光固化3D打印技术。同时本发明还公开了利用上述工艺制备得到的择优取向多孔压电陶瓷。本发明基于择优取...
- 张海波马伟刚谭划刘凯周鑫翊高华韵
- 一种盾构机掘进优化控制方法和装置
- 本发明公开了一种盾构机掘进优化控制方法和装置，该方法包括：获取数据样本，以BO对NGBoost模型的超参数进行多目标优化，构建BO‑NGBoost预测模型；基于BO‑NGBoost预测模型对所述盾构机姿态参数进行预测，获...
- 吴贤国张海波林福龙胡耀峰朱海军钟启凯刘文刘文黎覃亚伟李培振周鸣亮赵鹏鑫陈虹宇
- 一种用于骨肿瘤治疗的磁电耦合支架及其制备方法
- 本发明属于骨肿瘤医疗设备相关技术领域，其公开了一种用于骨肿瘤治疗的磁电耦合支架及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)基于待制备支架的三维模型增材制造压电陶瓷素坯，并将所述压电陶瓷素坯进行极化处理以得到压电陶瓷支架；(2...
- 闫春泽李银晋陈安南苏瑾陈鹏张海波史玉升
- 硝酸锰对PMN-PZT热释电陶瓷性能的影响被引量：4
- 2008年
- 研究了硝酸锰溶液掺杂对富锆铌镁酸铅-锆钛酸铅(PMN-PZT)热释电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明,以液态硝酸锰的形式进行锰掺杂使锰的加入更容易,有效改善了固态锰掺杂时析出损失和混合不均等问题;适量的硝酸锰溶液掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的相对介电常数(rε)和介电损耗(tanδ),并增加其热释电系数(p);在x(Mn)=3.0%时,制备出综合热释电性能良好的PMN-PZT热释电陶瓷,即室温时rε=197,tanδ=0.15%,p=3.5×10-8C/cm2℃,探测优值FD=8.7×10-5Pa-1/2,低温铁电相-高温铁电相(FRL-FRH)相变温度时rε=300,tanδ=0.45%,pmax=35×10-8C/cm2℃,FD=40.5×10-5Pa-1/2,符合制作热释电红外探测器的要求。
- 郭婷姜胜林张海波林汝湛
- 关键词：无机非金属材料介电性能
