您的位置： 专家智库 > >

徐俊英

作品数：44 被引量：64H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 43篇电子电信

主题

  • 35篇激光
  • 35篇激光器
  • 24篇量子阱激光器
  • 12篇半导体
  • 10篇应变量子阱
  • 10篇半导体激光
  • 10篇半导体激光器
  • 9篇应变量子阱激...
  • 9篇分子束
  • 9篇分子束外延
  • 7篇低阈值
  • 7篇砷化镓
  • 7篇波导
  • 6篇脊形
  • 6篇INGAAS...
  • 5篇多量子阱
  • 5篇应变层
  • 5篇脊形波导
  • 5篇放大器
  • 5篇ALGAAS

机构

  • 43篇中国科学院
  • 7篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇航空航天部
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 44篇徐俊英
  • 34篇陈良惠
  • 32篇徐遵图
  • 29篇张敬明
  • 27篇杨国文
  • 20篇肖建伟
  • 9篇郑婉华
  • 7篇沈光地
  • 6篇何晓曦
  • 5篇王启明
  • 5篇陈昌华
  • 5篇李世祖
  • 5篇钟战天
  • 3篇卢励吾
  • 3篇曾一平
  • 3篇周洁
  • 3篇周小川
  • 3篇钱毅
  • 2篇廉鹏
  • 2篇李秉臣

传媒

  • 26篇Journa...
  • 5篇中国激光
  • 4篇高技术通讯
  • 3篇物理学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇光学学报
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 4篇1999
  • 3篇1998
  • 6篇1997
  • 8篇1996
  • 5篇1995
  • 4篇1994
  • 7篇1993
  • 5篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 44 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
1993年
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
关键词：INGAAS/INP
980nm　InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器
1996年
报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大于１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％（镀高反膜和增透膜），５０℃、８０ｍＷ恒定功率条件下老化实验结果表明：该条件下激光器寿命超过１０００小时。
徐遵图徐俊英杨国文张敬明肖建伟何晓曦郑婉华陈良惠
关键词：应变层激光器INGAASALGAAS砷化镓
在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生被引量：1
1995年
本文讨论脊形波导级联双区增益（或Ｑ）开关ＭＢＥ生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰竞ＦＷＨＭ＜６０ｐｓ，与理论值符合很好．
张敬明徐遵图杨国文郑婉华李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
关键词：量子阱激光器激光器波导
980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件被引量：3
1997年
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW.显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率.其组合件在40～60mW下,中心发射波长在977nm.满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器.
徐遵图徐俊英杨国文张敬明肖建伟陈良惠沈光地
关键词：应变层半导体激光器
低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器被引量：1
1993年
本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm^2,最低达675A/cm^2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。
杨国文肖建伟徐遵图徐俊英张敬明陈良惠
关键词：半导体激光器
分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究
1993年
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs gradedindex separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_(Al)=0.2→0.43和x_(Al)=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在X_(Al)=0.43的n-AlGaAs层里X_(Al)值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
卢励吾周洁徐俊英钟战天
关键词：分子束外延
低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器
1994年
本文报道低阈值脊形波导单量子阶级联双区激光器的制备，直流输出特性，光双稳、光谱调谐和高频调制ｐｓ特性．激射波长～０．８５μω，调谐范围为７ｎｍ．
张敬明徐遵图杨国文李世祖郑婉华肖建伟徐俊英陈良惠
关键词：脊形波导谐振腔
InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器被引量：2
1999年
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ，激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６．
徐遵图徐俊英杨国文张敬明张敬明陈良惠陈昌华
关键词：基横模半导体激光器应变量子阱
掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器
1996年
我们利用分子束外延（ＭＢＥ）方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１４０Ａ／ｃｍ２，激发波长在９８０ｕｒｎ左右．通过脊型波导结构的制备，获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｕｒｎ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８ｍＷ／ｍＡ，基横模的输出功率大于８０ｍＷ，器件在５０℃，８０ｍｗ的恒功率老化实验表明，器件具有较好的可靠性．通过与掺铒光纤的耦合，其组合件出纤功率可达６０ｍＷ以上．
杨国文徐俊英徐遵图张敬明肖建伟何晓曦陈良惠王启明
关键词：量子阱激光器掺铒光纤放大器泵浦源
AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验被引量：7
1992年
本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.
张敬明陈良惠曾安肖建伟徐俊英杨国文李文康徐遵图
关键词：激光器光增益矩阵理论
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0