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廖强

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇衬底
  • 1篇导体
  • 1篇电极
  • 1篇电子器件
  • 1篇多量子阱
  • 1篇树脂
  • 1篇树脂材料
  • 1篇量子
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子器件
  • 1篇发光
  • 1篇反射率
  • 1篇高反射率
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇薄膜型
  • 1篇SI衬底

机构

  • 3篇中山大学

作者

  • 3篇张佰君
  • 3篇廖强
  • 2篇向鹏
  • 2篇刘扬
  • 2篇陈伟杰
  • 2篇林佳利
  • 2篇罗慧
  • 2篇杨亿斌
  • 1篇臧文杰
  • 1篇任远

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种半导体薄膜型器件的制备方法
本发明公开了一种半导体薄膜型器件的制备方法。通过在器件功能结构的表面涂覆树脂材料，固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护，经化学机械抛光将预先制备的器件电极引出树脂之外，供器件工作连接。经物理或化学手段剥离掉器件的原始...
张佰君臧文杰廖强刘扬
Si衬底GaN材料外延生长中的应力调控及发光器件研究
张佰君陈扬翔江健良林秀其藏文杰林佳利罗慧廖强刘扬向鹏柳铭岗杨亿斌陈伟杰韩小标胡钢伟林艳胡国亨
高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
2015年
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
林秀其柳铭岗杨亿斌任远陈扬翔向鹏陈伟杰韩小标藏文杰林佳利罗慧廖强张佰君
关键词：表面粗化
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