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刘海

作品数：24 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇改性层
  • 6篇镀膜
  • 6篇改性
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 5篇大口径
  • 4篇碳化硅
  • 4篇刻蚀
  • 4篇硅
  • 4篇表面改性层
  • 3篇滤光片
  • 3篇硅改性
  • 3篇表面改性
  • 3篇掺杂
  • 3篇成膜
  • 3篇存储介质
  • 2篇带外抑制
  • 2篇等离激元
  • 2篇等离子体刻蚀

机构

  • 24篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 24篇高劲松
  • 24篇刘海
  • 23篇王笑夷
  • 21篇刘震
  • 19篇杨海贵
  • 13篇王延超
  • 12篇申振峰
  • 10篇王彤彤
  • 5篇王海峰
  • 5篇张建
  • 3篇陈红
  • 1篇杨海贵
  • 1篇李玉东
  • 1篇李强

传媒

  • 1篇光学精密工程
  • 1篇中国光学

年份

  • 3篇2025
  • 2篇2024
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法
本发明提供一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，属于薄膜技术领域。该方法通过在碳化硅基底硅改性层的成膜过程中，利用磁控溅射镀膜技术，设置镀膜工艺参数，在环状磁场控制下荷能离子轰击靶材，在SiC基底上沉积一定厚度的...
李资政高劲松刘震王笑夷杨海贵刘海申振峰
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磁控溅射镀膜真空箱体
本发明公开了一种磁控溅射镀膜真空箱体，属于薄膜制备设备技术领域。解决了现有技术中磁控溅射镀膜真空箱体结构固定、耗费人力大，对体积限制性强，对于大口径SiC表面改性的局限性大的技术问题。该真空箱体，包括箱盖、上箱体、下箱体...
高劲松刘震刘海王笑夷杨海贵王彤彤申振峰
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大口径基底表面膜层厚度在线检测装置及其检测方法
大口径基底表面膜层厚度在线检测装置及检测方法，属于薄膜检测技术领域。解决了如何提供一种对大口径基底表面膜层厚度进行简单、快速测量的检测装置及检测方法的问题。本发明的检测装置，包括PC机、第一光纤、光纤光谱仪、第二光纤、角...
刘震高劲松王笑夷杨海贵王彤彤刘海
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一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法
本发明提供的平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法，在溅射阴极和工件盘之间增加具有孔阵列的挡板，孔阵列在不同位置设置不同的孔径，改变一定等离子体刻蚀速率时的有效沉积面积，达到对等离子体在工件表面投影面积大小的精确控...
刘海高劲松王笑夷刘震
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一种阵列式窄带滤光片及其制备方法
本发明涉及一种阵列式窄带滤光片，包括基底和相互杂化嵌套在基底上的第一光栅和第二光栅，第一光栅和第二光栅构成等离激元复合光栅，等离激元复合光栅周期为第一光栅和第二光栅的宽度之和；第一光栅沿着基底由下而上依次包括底部金属层、...
高劲松高劲柏王笑夷杨海贵刘海王延超
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RB-SiC基底表面改性层的制备装置及方法
本发明涉及一种RB‑SiC基底表面改性层的制备装置及方法，制备装置包括挡片和驱动件，挡片安装在溅射阴极和RB‑SiC基底之间，并跟随溅射阴极同步移动；驱动件与挡片传动连接，调节挡片的偏转角度。当溅射阴极在RB‑SiC基底...
王笑夷刘震王延超杨海贵刘海张建王海峰高劲松
采用多次间断共蒸发制备大面积高质量较厚铝膜的方法
采用多次间断共蒸发制备大面积高质量较厚铝膜的方法，涉及薄膜制备领域，解决了现有的厚铝成膜工艺存在的无法制备大面积铝膜的问题。该方法为：在镀膜机中，利用多个中心对称设置的电子束蒸发源同时蒸发多个坩埚中的铝料，在大面积铝膜基...
高劲松李资政杨海贵王延超王笑夷申振峰刘震刘海
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一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法
本发明提供一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，属于薄膜技术领域。该方法通过在碳化硅基底硅改性层的成膜过程中，利用磁控溅射镀膜技术，设置镀膜工艺参数，在环状磁场控制下荷能离子轰击靶材，在SiC基底上沉积一定厚度的...
李资政高劲松刘震王笑夷杨海贵刘海申振峰
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碳化硅改性层的镀制方法、系统、设备及存储介质
本发明公开了一种碳化硅改性层的镀制方法、系统、设备及存储介质，其中方法包括：根据待沉积元件的沉积需求规划可移动的沉积源的运动状态和运动轨迹；根据运动状态、运动轨迹和沉积需求控制沉积源工作并循环遍历待沉积元件，且在每次遍历...
王笑夷刘震王延超杨海贵刘海张建王海峰王彤彤申振峰赵毅田晓习陈红高劲松
磁控溅射镀膜真空箱体
本发明公开了一种磁控溅射镀膜真空箱体，属于薄膜制备设备技术领域。解决了现有技术中磁控溅射镀膜真空箱体结构固定、耗费人力大，对体积限制性强，对于大口径SiC表面改性的局限性大的技术问题。该真空箱体，包括箱盖、上箱体、下箱体...
高劲松刘震刘海王笑夷杨海贵王彤彤申振峰
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