刘金锋
- 作品数：55 被引量：127H指数：7
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器
- 基于全控开关与自击穿开关的全固态Marx发生器，包括多个级联的全控开关级，还包括与级联全控开关级最后一级保持级联关系的至少一个自击穿开关级，所述自击穿开关级与全控开关级的区别在于：全控开关由自击穿开关替换，所述自击穿开关...
- 李洪涛王传伟王凌云姜苹刘金锋刘宏伟袁建强黄宇鹏丁胜赵娟李玺钦
- 高功率重复频率固态脉冲功率源研究进展
- 高功率微波源发展需求推动了高功率重复频率固态脉冲功率源的发展，其备选电路拓扑结构有基于固体开关和固态脉冲形成器件的层叠Blumlein 线结构、基于固体开关的直线型变压器结构、基于陶瓷电容脉冲形成网络的Marx 结构等....
- 袁建强谢卫平刘宏伟刘金锋马勋李洪涛
- 关键词：光导开关直线型变压器脉冲形成网络
- 500 kV全固态Marx发生器
- 500kV全固态Marx发生器采用Z型电路结构，以28个最大工作电压达22kV、满载最高连续重复运行频率达200Hz的绝缘栅双极型晶体管组件作为脉冲控制开关，采用以金属化膜电容器和线绕电感构成的梯形脉冲形成网络作为储能和...
- 李洪涛康军军丰树平谢卫平王传伟王凌云刘金锋姜苹刘宏伟袁建强黄宇鹏丁胜
- 关键词：脉冲发生器开关模块输出脉冲
- 基于IGBT开关的重复频率直线变压器被引量：1
- 2011年
- 采用3 300V/1 200AIGBT开关及直线变压器的电路结构,实现了单模块时在0.57Ω负载上4.3kA的脉冲电流输出和模块串联时在2.2Ω负载上4.6kV的电压输出,猝发式重复频率达到200Hz。整个系统包括4个3 300V/1 200A的IGBT开关器件及相应的驱动模块、缓冲模块、储能电容和磁芯等。实验结果表明:采用线性变压器的电路拓扑结构能够拓展固态IGBT开关的输出能力;直线变压器的电路结构结合固态IGBT开关能够很好地实现重复频率工作。在实验基础上分析了磁芯饱和及复位问题,并提出了一种有效的不采用复位而解决磁芯饱和的方法。
- 刘宏伟李洪涛王传伟赵越刘金锋袁建强周良骥
- 关键词：IGBT重复频率磁芯
- 铁电-铁磁多铁性脉冲形成线特性被引量：1
- 2010年
- 对"多铁性"脉冲形成线输出特性进行了研究。利用镍锌铁氧体-钛酸钡陶瓷复合多铁性材料制作了脉冲形成线。在不同的磁回路条件下得到了不同脉冲宽度的电脉冲方波,其中以高磁导率材料组合成的闭合磁回路得到了脉冲宽度约201 ns的方波输出。推算出脉冲形成线的相对介电常数接近2 000,相对磁导率大于1.4。基于有效磁导率的概念,分析了多铁性脉冲形成线几何构型对脉冲输出特性的影响。分析表明:平板状"多铁性脉冲形成线"的有效磁导率不仅取决于平板介质的磁导率,还取决于周围介质的磁导率,因而有效磁导率通常较小,其输出表现出明显的铁电性而只有"弱"的铁磁性;相比之下,同轴结构的"多铁性脉冲形成线"具有更高的有效磁导率,其输出可同时表现出强的铁电性和铁磁性,即更明显的"多铁性"。"多铁性脉冲形成线"有可能在紧凑型脉冲功率系统中获得应用。
- 刘金锋李洪涛王传伟刘宏伟姜苹田青秦卫东袁建强谢卫平
- 关键词：脉冲形成线铁电铁磁多铁性
- 不同形状的光斑触发砷化镓光导开关被引量：4
- 2010年
- 为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响,研制了12 mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关,在不同的偏置电压下,使用波长为1 064 nm的不同能量的激光触发光导开关并进行了光电导测试。使用了不同形状的光斑(包括面状、线状和点状光斑)触发光导开关并进行了光电导特性的比较,讨论了触发光参数对光导开关特性的影响。对处于开关电极间不同位置的线状光斑触发特性进行了比较,结果显示,本征光电导和非本征光电导情况下光斑位置对光电流的影响正好相反。
- 袁建强刘宏伟刘金锋李洪涛谢卫平王新新江伟华
- 关键词：光导开关砷化镓
- 预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响被引量：1
- 2008年
- 利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在Si(111)衬底上预沉积不同厚度(0、0.2、1nm)Ge,在衬底温度900℃,生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品进行了研究.结果表明,预沉积少量Ge(0.2nm)的样品,SiC薄膜表面没有孔洞存在,AFM显示表面比较平整,粗糙度比较小,FTIR结果表明薄膜内应力比较小.这说明少量Ge的预沉积抑制了孔洞的形成,避免衬底Si扩散,因而SiC薄膜的质量比较好.没有预沉积Ge的薄膜,结晶质量比较差,SiC薄膜表面有孔洞且有Si存在.然而预沉积过量Ge(1nm)的样品,由于Ge的岛状生长,导致生长的SiC表面粗糙度变大,结晶质量变差,甚至导致多晶产生.
- 刘忠良任鹏刘金锋唐军徐彭寿
- 关键词：锗碳化硅硅衬底
- 基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计被引量：5
- 2012年
- 以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,输出电压脉冲幅度下降,脉宽增大;随着开关转换时间增长,输出脉冲延迟时间上升,前、后沿时间增长。采用波长为1 064 nm,能量为30 mJ,脉宽为5 ns的Nd:YAG激光器触发光导开关,当充电25 kV时,负载上得到电压38 kV,上升沿1.4 ns,脉冲约5 ns的近似方波输出。
- 姜苹谢卫平李洪涛袁建强刘宏伟刘金锋赵越
- 关键词：GAAS光导开关脉冲充电纳秒激光
- 基于光导开关及层叠Blumlein线的纳秒脉冲源被引量：3
- 2013年
- 设计了一台层叠Blumlein线型脉冲功率源。该脉冲源以平板型Blumlein线为储能器件,使用4个GaAs光导开关作为脉冲形成开关,通过4级Blumlein线层叠结构以获得更高输出电压。分别使用10mm及3mm间隙光导开关进行实验,比较了PSpice电路仿真与实验结果。实验测试显示,10mm开关充电23.5kV时上升沿较大,可能的原因是偏置电场较低时开关导通时间较长。测试了不同工作电压下功率源的输出电压,结果显示:在10mm间隙开关条件下,充电23.5kV时,负载上得到了53kV的高压脉冲输出;3mm开关充电13.9kV时输出电压39.4kV,输出效率70%。实验结果表明,随着工作场强的提高,电压输出效率呈现先下降后上升最终趋于饱和的趋势。
- 姜苹田青李洪涛刘宏伟刘金锋袁建强赵越谢卫平
- 关键词：GAAS光导开关PSPICE模拟
- MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究被引量：1
- 2008年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
- 任鹏刘忠良叶剑姜泳刘金锋孙玉徐彭寿孙治湖潘志云闫文盛韦世强
- 关键词：分子束外延XRDXANES
