刘磁辉
- 作品数：26 被引量：91H指数：6
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术生物学更多>>
- 纳米晶存储特性的研究
- 2004年
- 常温下硅纳米晶构成的 MOSFET 存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在 ULSI 中有重要的应用前景。它是当前 ULSI 研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道。本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展。
- 唐文洁刘之景陶进绪刘磁辉
- 关键词：ULSIMOSFET低功耗纳米晶读写
- 微球激光的最新研究进展被引量：6
- 2004年
- 利用回音壁模式微球腔的高Q谐振原理,可以获得微球激光。研究了微球腔的特点和微球激光产生的原理,介绍了单量子点、表面栅耦合和光纤耦合三种微球激光器,讨论了获得高Q值微球腔的方法,提出采用半导体纳米微球及通过旋转电弧或者旋涂方式制成的玻璃微球,给出了微球激光器的几种应用以及当前国内外最新进展。
- 黄娆刘之景王克逸金乐天刘磁辉
- 关键词：回音壁模式高Q值
- 用于制备组合材料样品库的难溶物悬浮液喷射方法和装置
- 用于制备组合材料样品库的难溶物悬浮液喷射方法及装置属于组合筛选新材料时制备材料样品库的并行合成方法，该方法为：将难溶物的颗粒在水或其它常温下非挥发性的溶剂中机械球磨，制成至少6小时不显著沉降或凝聚的超细颗粒或纳米颗粒悬浮...
- 高琛陈雷黄孙祥刘小楠刘磁辉鲍骏
- 范德堡方法在ZnO薄膜测试中的应用被引量：9
- 2004年
- 近年来 ,随着对宽禁带半导体材料 ,氧化锌薄膜研究的快速发展 ,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用 。
- 朱俊杰刘磁辉林碧霞谢家纯傅竹西
- 关键词：欧姆接触
- ZnO:LiCl/P-Si薄膜中的施主-受主发光
- 本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)...
- 刘磁辉徐小秋钟泽付竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级溶胶凝胶法
- ZnO/n-Si同型异质结的输运特性研究
- 使用激光脉冲沉积技术(Pulse Laser Deposition technique,PLD)制备了ZnO/n—Si同型异质结。部分样品在O2-800℃的条件下进行了1个小时的退火处理.对未退火样品(S1)和O2—80...
- 刘秉策刘磁辉易波
- 关键词：界面态密度本征缺陷
- 用扫描近场微波显微镜测量材料压电系数的方法及装置
- 本发明涉及材料压电性能的测量技术，具体涉及利用扫描近场微波显微镜通过逆压电效应测量压电系数的方法及装置。它包括制作被测样品并测量其介电常数ε，设定显微镜探针和样品间的距离，然后(1)将信号发生器的输出端与样品电极相连，并...
- 高琛赵振利刘磁辉
- ZnO/P-Si接触及其温度特性被引量：4
- 2006年
- 用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高。异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释。样品经Air^800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响。
- 刘磁辉刘秉策马泽宇段理付竹西
- 关键词：氧化锌异质结势垒温度特性
- ZnO∶Al/p-Si的接触特性被引量：1
- 2005年
- 利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利.
- 刘磁辉段理林碧霞刘秉策雷欢蔡俊江傅竹西
- 关键词：界面态
- 镨和铕离子注入硅的快速热退火研究被引量：1
- 1996年
- 利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火（ＲＴＡ）使注入层再结晶和电激活。对Ｐｔ离子注入（剂量１×１０１４ｃｍ－２，３５０ｋｅＶ）样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高温度１２４０℃下退火，则具有空穴导电性，注入离子起受主作用，即有两种导电行为。对高剂量（２×１０１５ｃｍ－２，）Ｅｕ离子注入硅样品，经高温ＲＴＡ处理后，发现了明显的Ｒａｍａｎ增强效应。本文对以上两种现象给出了解释并进行了讨论。
- 刘世祥石万全柳雪君刘洪图刘峰奇刘磁辉
- 关键词：离子注入硅快速热退火镨铕
