肖剑荣 作品数:92 被引量:125 H指数:5 供职机构: 桂林理工大学 更多>> 发文基金: 广西高等教育教学改革工程项目 广西壮族自治区自然科学基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 文化科学 一般工业技术 更多>>
加强地方工科院校大学物理课程思政建设的三重维度 2024年 大学物理作为地方工科院校理工类专业学生重要的通识必修课,在推进课程思政建设方面具有其他课程无法替代的重要作用。为解决当前大学物理课程思政建设中教师能力不足、教学体系设计不够合理、考核评价体系不够科学等问题,地方工科院校应着力建强教师队伍“主力军”、夯实课程建设“主战场”、建好课堂教学“主渠道”,不断提升人才培养质量,全面提高大学物理课程思政建设的实效性。 周丽娟 张艳超 肖剑荣 古家虹关键词:地方工科院校 大学物理 一种多孔Cu-SiC复合膜及其制备方法 本发明属于金属复合材料及其制备技术领域,提供了一种多孔Cu‑SiC复合膜及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:S1、准备基片;S2、安装靶位;S3、制备Cu<Sub>3</Sub>N‑SiC复合膜;S4、制备多孔Cu‑S... 肖剑荣无序材料直流电导中的无序作用机理 2006年 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立一维无序材料电子跳跃输运直流电导率计算模型,并推导其直流电导率计算公式;通过计算材料的直流电导率,分析不同无序形式下无序度对材料直流电导率的影响,探讨无序在材料电子输运中的本质作用。计算结果表明,在对角无序情况下,无序材料的直流电导率随着无序度的增加而减小;当无序度较小时,电导率随材料无序度的变化有振荡行为;非对角无序材料的电导率小于对角无序材料的电导率,同时,在无序度较小的区域,材料的电导率呈现先增大后减小的特性;完全无序材料的电导率大于非对角无序材料的电导率而小于对角无序材料的电导率,且在完全无序情况下材料的电导率随无序度的变化关系与非对角无序情况下电导率随无序度的变化关系很相似;在无序度较大时,无论是对角无序、非对角无序还是完全无序情况下,无序度对电导率的影响均不明显。 马松山 徐慧 刘小良 肖剑荣双金属硫化物@多孔碳纤维复合材料及其制备方法和在钠离子电池中的应用 本发明涉及钠离子电池电极材料的制备技术领域,具体涉及双金属硫化物@多孔碳纤维复合材料及其制备方法和在钠离子电池中的应用。本发明使用静电纺丝的多孔碳纤维封装双金属离子,经过退火和硫化处理得到双金属硫化物@多孔碳纤维复合材料... 曾亚萍 张旗 王柳 肖剑荣 王恒含氟无定形碳膜的PECVD制备及结构和性能研究 本文利用射频等离子体增强化学气相沉积法,以CF<,4>和CH<,4>为反应气体,Ar或N<,2>为工作气体,制备了在不同工艺参量下的a-C:F:H膜,并对薄膜进行了退火处理;利用SEM、AFM、FTIR、XRD、Elli... 肖剑荣关键词:PECVD 介电常数 光学带隙 一种碳纤维表面射频磁控溅射制备SiC涂层的方法 本发明公开了一种碳纤维表面射频磁控溅射制备SiC涂层的方法。采用射频磁控溅射方法制备:(1)将碳纤维表面高温(500-700℃)去胶,放在无水丙酮中超声震荡;(2)将真空室安装纯度大于95%的SiC靶材或者分析纯Si靶加... 程勇 肖剑荣 李明 马家锋氟化非晶碳膜的微结构分析 被引量:1 2009年 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温度控制密切相关,温度升高,膜内键合结构变化,sp2相对含量增加。 蒋爱华 肖剑荣关键词:氟化非晶碳薄膜 PECVD 微结构 沉积温度 氮化铜薄膜的研究 被引量:3 2009年 氮化铜(Cu3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置,在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化。Cu3N在较低温度下会分解为Cu和N2。介绍了Cu3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析。 肖剑荣 蒋爱华关键词:光学带隙 热稳定性 磁控溅射 功率和温度对a-C:F:H膜表面形貌和结构的影响 2006年 分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜表面形貌,发现低功率下沉积的薄膜表面均匀性好、缺陷少;在低温下沉积的薄膜表面光滑,而高温下粗糙;真空低温退火可使薄膜表面形貌得到改善,但薄膜内空洞增加,退火温度过高,薄膜的结构发生变化,且在薄膜表面发生皲裂现象。用R am an光谱对薄膜内的结构变化进行了进一步的分析。 肖剑荣 徐慧 刘雄飞 马松山关键词:表面形貌 射频功率 沉积温度 真空退火 a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究 被引量:4 2004年 以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性。实验表明,沉积速率在5~8nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性。 李幼真 刘雄飞 肖剑荣 张云芳关键词:PECVD 沉积速率 表面形貌