杨志坚
- 作品数：175 被引量：183H指数：8
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统
- 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外...
- 王新强沈波张琦贺小伟许福军尹春明杨志坚张国义
- LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜被引量：1
- 1996年
- 报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。
- 童玉珍张国义徐自亮党小忠杨志坚金泗轩刘弘度王舒民
- 关键词：半导体薄膜金属有机物化学汽相淀积
- 在n-GaN中注入Fe+获得具有室温铁磁性的GaNFe材料
- 背景介绍：目前,在液晶显示背光源系统中,偏振片对光的过滤大大降低了光的利用效率,直接发偏振光的 GaN 基 LED 由于可避免此难题因而有望成为新一代的高效节能液晶显示背光源,对其进行研制具有深远的现实意义。在 LED ...
- 陈志涛杨学林张斌杨志坚姚淑德张国义
- 关键词：偏振光离子注入居里温度室温铁磁性N-GAN
- 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
- 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理...
- 于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
- 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
- 本发明提供一种降低GaN单晶膜与异质基底间应力的方法，属于光电材料和器件领域。该方法包括：在蓝宝石等异质基底上生长GaN薄膜，采用激光透过蓝宝石等异质衬底，辐照生长在基底上的GaN薄膜，在GaN薄膜底部获得预分解态层，实...
- 康香宁张国义吴洁君赵璐冰童玉珍杨志坚
- 三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究
- GaN 基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。我们的实验表明,采用 InGaN/GaN 三元和 AlInGaN/GaN 四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,就此本文研究了这...
- 廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东
- 关键词：XRDTEM
- 低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED被引量：2
- 1997年
- 简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光谱特性．室温下，在正向电压５Ｖ，正向电流３—２０ｍＡ的条件下，峰值波长依Ｍｇ的掺杂浓度和退火条件的不同而不同，分别在４２５ｎｍ，４３５ｎｍ和４８０ｎｍ附近，发射谱的半峰宽约为５０ｎｍ．
- 张国义杨志坚金泗轩党小忠
- 关键词：蓝光MOCVDI-V特性光谱特性
- 快速退火Mg∶GaN的光致发光研究被引量：1
- 1999年
- 本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ
- 毛祥军杨志坚金泗轩童玉珍王晶晶李非张国义
- 关键词：快速退火光致发光镁氮化镓
- 高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
- 2007年
- 采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.
- 许福军沈波王茂俊许谏苗振林杨志坚秦志新张国义蔺冰白树林
- 关键词：杨氏模量力学性质塑性形变
- 一种高阻氮化镓及其异质结构的制备方法
- 本发明公开了一种高阻氮化镓及其异质结构的制备方法，在GaN外延生长过程中，利用三族源的管路或者直接向反应室中通入外加碳源，通过控制特定的生长条件，来制备高质量的半绝缘高阻GaN薄膜材料。该方法简单快捷，可控性和稳定性高，...
- 杨学林沈波沈剑飞刘丹烁蔡子东杨志坚王新强
