杨琼
- 作品数：47 被引量：13H指数：2
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省教育厅优秀青年基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学文化科学更多>>
- 存储器用铁电薄膜界面和应变效应的第一性原理研究
- 铁电薄膜存储器是一类公认的具有极大发展潜力的非挥发性存储器件。而要使铁电薄膜存储器实现广泛的应用，则必须要更好地解决由铁电失效导致的可靠性问题。铁电薄膜的电学失效主要包括疲劳、印记、保持性损失等。造成铁电失效的因素主要有...
- 杨琼
- 关键词：铁电薄膜氧空位第一性原理
- 一种基于铁电畴壁氧空位电子气导电性的压力传感器单元
- 本发明公开了一种基于铁电畴壁氧空位电子气导电性的压力传感器单元，其包括第一绝缘层，第一绝缘层上有外延铁电薄膜，外延铁电薄膜上有第二绝缘层，在外延铁电薄膜的左侧有第一电极，在外延铁电薄膜的右侧有第二电极；其中，外延铁电薄膜...
- 侯鹏飞刘云霞王金斌钟向丽郭红霞杨琼周雪
- 一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统
- 本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统，涉及铁电薄膜模拟分析技术领域，首先确定能量方程及体自由能、极化梯度能、静电能和退极化场能的密度方程表达式，构建氧化铪基铁电薄膜相场模型；确定极化演化方程、氧空位演...
- 曾斌建刘瑞萍廖敏彭强祥杨琼郑帅至
- 一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜及其制备方法，属于铁电薄膜技术领域。本发明将铪盐、钽盐、有机溶剂和催化剂混合，得到Hf<SUB>1‑x</SUB>Ta<SUB>x</SUB>O<SUB>2</SUB>前驱体溶液；将...
- 尹路何思嘉杨琼彭强祥谢小艳林智满
- 一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法
- 本发明提供一种用于集成铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的高效低成本实验方法。本发明首先获得铁电薄膜的初始性能参数，然后按工艺操作时间顺序，统计集成器件制作工艺路线中各工艺的温度和时间参数，提炼出对铁电薄膜性能影响较大的高风险...
- 彭强祥兰杨波杨琼廖敏周益春
- 一种铁电场效应晶体管模型的建立方法和系统
- 本发明涉及一种铁电场效应晶体管模型的建立方法和系统，属于有限元建模技术领域。其中，所述方法包括：建立介电层可视的场效应晶体管的固体域计算模型；建立铁电薄膜电畴的相场模型；基于相场模型，对固体域计算模型进行修正，得到铁电场...
- 蒋丽梅周芊骞徐肖飞明浩廖敏杨琼彭强祥周益春
- 一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法
- 本发明提供一种用于集成铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的高效低成本实验方法。本发明首先获得铁电薄膜的初始性能参数，然后按工艺操作时间顺序，统计集成器件制作工艺路线中各工艺的温度和时间参数，提炼出对铁电薄膜性能影响较大的高风险...
- 彭强祥兰杨波杨琼廖敏周益春
- 仁术文化融入医学高校思政课的四重逻辑
- 2024年
- 仁术文化作为历代名医名家所遵循的基本信念和行为规范,是中华优秀医德文化的精髓。将仁术文化有效融入医学高校思政课,是培养人民生命健康守护者的有效举措,需把握四重逻辑。从历史逻辑看,仁术文化植根于儒家伦理且在历史实践中不断丰富和发展;从现实逻辑看,仁术文化是重视医德修养、适应医学特色和健康中国建设的现实要求;从理论逻辑看,仁术文化与医学高校思政课育人目标协同一致、与教学内容高度契合;从实践逻辑看,必须在仁术文化培养、教学方式方法、考评机制方面厘清实践理路。
- 杨琼
- PTO种子层对PZT铁电薄膜结晶温度和电学性能的影响被引量：1
- 2019年
- 该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善.
- 刘文燕姜杰杨琼周益春
- 关键词：PZT铁电薄膜溶胶-凝胶法电学性能
- LaFeO3缓冲层对BaTiO3铁电薄膜电学性能的调控
- 2019年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了BTO、LFO/BTO和LFO/BTO/LFO三种结构的BTO铁电薄膜,旨在通过LFO缓冲层来调控BTO薄膜的电学性能.研究发现:LFO缓冲层的引入减小了BTO铁电薄膜的漏电流,提高了其电滞回线的矩形度,获得了更高的剩余极化、饱和极化和更低的矫顽电压.这种调控作用在LFO/BTO/LFO薄膜中的效果要比在LFO/BTO中更加明显.结果表明,通过合理地设计LFO缓冲层,可以有效地改善BTO铁电薄膜的宏观电学性能.
- 陈周宇杨志斌刘文燕杨琼姜杰周益春
- 关键词：电学性能
