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叶嗣荣

作品数:18 被引量:35H指数:4
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省国际科技合作与交流研究计划项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇ALGAN
  • 5篇探测器
  • 5篇GAN
  • 4篇图像
  • 4篇紫外图像
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇日盲
  • 3篇图像传感器
  • 3篇紫外探测
  • 3篇紫外探测器
  • 3篇焦平面
  • 3篇XGA
  • 2篇阵列
  • 2篇日盲紫外
  • 2篇紫外
  • 2篇面阵
  • 2篇焦平面阵列
  • 2篇光电

机构

  • 18篇重庆光电技术...
  • 3篇重庆邮电大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇重庆科技学院
  • 1篇重庆邮电学院
  • 1篇重庆城市管理...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院重...
  • 1篇重庆矢崎仪表...
  • 1篇无锡中微掩模...

作者

  • 18篇叶嗣荣
  • 7篇黄烈云
  • 7篇赵文伯
  • 6篇向勇军
  • 5篇刘小芹
  • 5篇黄绍春
  • 5篇江永清
  • 4篇李艳炯
  • 4篇周勋
  • 4篇肖灿
  • 4篇申志辉
  • 3篇罗木昌
  • 3篇杨晓波
  • 3篇赵红
  • 3篇李应辉
  • 2篇钟强
  • 1篇许华胜
  • 1篇邹泽亚
  • 1篇曾庆高
  • 1篇廖秀英

传媒

  • 14篇半导体光电
  • 1篇光子学报
  • 1篇桂林电子科技...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量:5
2009年
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3.5V,-0.5V偏压时暗电流小于1.2×10^-12A(φ=300ttm台面),光谱响应范围260~280nm,268nm峰值波长的响应度大于0.095A/W。器件实现了日盲紫外成像演示。
赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
关键词:ALXGA1-XNPIN光电二极管
64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
本文介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术,由GaN基紫外探测器组成的成像系统体积小,性能可靠,在军事民用两方面都有着独特的优势。
江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
关键词:紫外探测器图像传感器GANALGAN成像系统
通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究被引量:7
2014年
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
黄绍春刘新叶嗣荣刘小芹
日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量:2
2019年
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
申志辉罗木昌叶嗣荣樊鹏周勋
关键词:读出电路抗辐射加固总剂量效应
基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备
2016年
对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器。
叶嗣荣周勋李艳炯申志辉
关键词:GAN背照式
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量:8
2007年
采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
关键词:紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用被引量:1
2005年
采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。
叶嗣荣肖灿黄烈云向勇军
关键词:ALGAN紫外探测器
非等平面AlGaN紫外探测器阵列挡光技术研究
2009年
介绍了SiO2/PI1/Al/PI2挡光技术的原理及其制作工艺过程。通过采用SiO2/聚酰亚胺(PI1)/Al/PI2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫外成像。此技术主要应用于日盲型AlGaN紫外焦平面阵列。
叶嗣荣刘小芹赵文伯周家万钟强
玻璃微透镜阵列的制作工艺研究
2011年
对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。
叶嗣荣周家万刘小芹钟强黄绍春赵文伯
关键词:微透镜阵列
基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器模型
2017年
提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构,讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程,在弱非局域近似条件下建立了GNR-PD的器件模型,推导了其I-V特性和光响应特性。结果表明,GNR-PD具有极高量子效率和光电增益,可以获得高达150A/W以上的光响应度。
黄绍春申钧周红叶嗣荣
关键词:光电探测器
共2页<12>
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