您的位置: 专家智库 > 资助详情>江苏省自然科学基金(BK2007026)

江苏省自然科学基金(BK2007026)

作品数:44 被引量:109H指数:5
相关作者:于宗光顾晓峰张惠国唐玉兰浦寿杰更多>>
相关机构:江南大学中国电子科技集团第五十八研究所常熟理工学院更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 44篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 42篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电路
  • 6篇放大器
  • 5篇调制器
  • 5篇阵列
  • 5篇嵌入式
  • 5篇比较器
  • 5篇FPGA
  • 5篇布线
  • 4篇低功耗
  • 4篇直接数字频率
  • 4篇直接数字频率...
  • 4篇数字频率合成
  • 4篇转换器
  • 4篇门阵列
  • 4篇可编程门阵列
  • 4篇级联
  • 4篇功耗
  • 4篇函数
  • 4篇Δ调制
  • 4篇Σ-Δ调制器

机构

  • 43篇江南大学
  • 37篇中国电子科技...
  • 2篇常熟理工学院
  • 2篇无锡职业技术...
  • 1篇东南大学
  • 1篇南阳理工学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇南阳师范学院
  • 1篇五邑大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇华越芯装电子...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇微电子有限公...
  • 1篇无锡华润上华...

作者

  • 37篇于宗光
  • 11篇顾晓峰
  • 8篇张惠国
  • 7篇唐玉兰
  • 4篇浦寿杰
  • 3篇薛忠杰
  • 3篇王艺燃
  • 3篇陈珍海
  • 3篇万书芹
  • 3篇李杨先
  • 3篇徐波
  • 2篇郭良权
  • 2篇季惠才
  • 2篇张树丹
  • 2篇张凯虹
  • 2篇柴旭朝
  • 2篇雍家鹏
  • 2篇贺磊
  • 2篇陈建慧
  • 2篇刘小红

传媒

  • 13篇微电子学
  • 4篇微电子学与计...
  • 4篇微计算机信息
  • 3篇电子器件
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇电子与封装
  • 3篇中国电子科学...
  • 2篇半导体技术
  • 1篇电视技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子学报
  • 1篇计算机应用
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇计算机科学
  • 1篇江苏大学学报...
  • 1篇中南大学学报...

年份

  • 4篇2011
  • 14篇2010
  • 14篇2009
  • 12篇2008
  • 1篇2007
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种16.9mW 10 bit 50 Msample/s流水线ADC IP核设计被引量:1
2008年
设计了一个10位50Msample/s流水线ADCIP核。采用SMIC0.25μm1P5M数字CMOS工艺,通过使用运算放大器共享技术、电容逐级缩减技术和对单元电路的优化,使得整个IP核面积仅为0.24mm2。仿真结果表明,在50MHz采样率、输入信号为2.04MHz正弦信号情况下,该ADC模块具有8.9bit的有效分辨率,最大微分非线性为0.65LSB,最大积分非线性为1.25LSB,而整个模块的功耗仅为16.9mW。
陈珍海袁俊郭良权于宗光
关键词:流水线ADC低功耗
DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计
2009年
介绍了一种用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CMOS压控环形振荡器。电路采用四级延迟单元来获得相位相差90°的正交输出时钟,每级采用调节电流源大小,改变电容放电速度的方式。基于SMIC0.35μmCMOS工艺模型的仿真结果表明,电路可实现2MHz至90MHz的频率调节范围,在中心频率附近具有很高的调节线性度,且总功耗仅为3.5mW。
贺磊于宗光张永夫
关键词:压控振荡器锁相环
Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究
2008年
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进行了比较。发现Halo LDD结构的P-Si TFT能有效地降低泄漏电流、抑制阈值电压漂移和Kink效应;减少因尺寸减小后所带来的一系列问题。
刘小红顾晓峰于宗光
关键词:多晶硅薄膜晶体管HALOLDD
基于九管存储单元的嵌入式SRAM设计
2010年
为了解决深亚微米及纳米尺寸下SRAM设计在可靠性及其他性能方面所面临的挑战,在分析不同存储单元的基础上,提出了一种优化的具有高稳定性的九管存储单元,并采用9管存储阵列,设计了一款高可靠性的512×32位SRAM。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,对电路进行仿真。实验结果表明:该SRAM在250MHz工作频率下,存储阵列中数据的读写稳定性高,阵列功耗为7.76mW,数据读出时间为0.86ns,电路面积仅比采用传统6管单元增加13.5%。
区夏彭力王澧
关键词:SRAM
可编程输入输出接口设计研究被引量:2
2010年
针对输入输出接口设计中多电平标准兼容,宽输入输出电压范围,多驱动调节,翻转率控制,以及高速接口中信号反射等问题,提出一个易于扩展的可编程接口设计方案。实现了一个用于现场可编程门阵列(FPGA)的可编程输入输出接口,通过编程可实现多达16种接口电平标准,兼容5 V电压的TTL电平。测试结果表明,接口速度和国外同类产品接近,静态电流优于国外的同类产品。
张惠国于宗光
关键词:FPGA
基于改进CORDIC算法的DDS设计被引量:2
2010年
CORDIC算法由于其高速度和高精度而被广泛应用于直接数字频率合成器(DDS)等数字通信电路领域。在传统CORDIC算法的基础上,对CORDIC算法进行改进,减小了传统CORDIC算法所需的ROM空间,提高了电路运行速度;完成了DDS电路的设计。采用Altera公司Cyclone Ⅱ系列芯片EP2C5AF256A7进行FPGA验证,资源得到了节省。
王敏薛忠杰
关键词:直接数字频率合成器专用集成电路
反熔丝型FPGA编程方法的研究被引量:4
2011年
在传统的基于反熔丝可编程逻辑阵列结构的基础上,提出一种新颖的寻址编程方法。该方法通过增加额外的编程支路,减小反熔丝单元被编程后的电阻;编程前,对所有布线通道进行预充电,防止反熔丝单元被误编程。仿真和测试结果表明,与传统的编程方式相比,该方法提高了编程的可靠性。
张旭马金龙胡凯季振凯于宗光
关键词:反熔丝FPGA阵列结构
一种应用于DSP嵌入式存储器的灵敏放大器设计被引量:5
2010年
提出了一种新型灵敏放大器,电路由单位增益电流传输器、电荷转移放大器及锁存器三部分组成。基于0.18μm标准CMOS单元库的仿真结果表明,与现有几种灵敏放大器相比,新型灵敏放大器具有更低的延时和功耗,在1.8 V工作电压、500 MHz工作频率、80μA输入差动电流以及DSP嵌入式SRAM6T存储单元测试结构下,每个读周期的延迟为728 ps,功耗为10.5fJ。与电压灵敏放大器相比,延迟减少约41%,功耗降低约50%;与常规电荷转移灵敏放大器相比,延迟减少约22%,功耗降低约37%;与WTA电流灵敏放大器相比,延迟减少11%,功耗降低31.8%。
王艺燃于宗光
关键词:灵敏放大器FLASH存储器SRAM
一种嵌入式高性能比较器被引量:1
2009年
针对一款嵌入式10位逐次逼近型A/D转换器,我们设计出一种低功耗高精度的比较器。该比较器采用多级结构,其中前三级是带有正反馈的差分放大器,而后三级则是简单的反相器。此外,我们在电路中引入输入失调校准和输出失调校准的混合技术,以及实现自清零的电路技术。该比较器还采用SMIC0.25μmCMOS工艺模型,在2.5V电源电压下,我们使用HSPICE仿真的结果表明:其比较精度可达到0.2mV、速度为20MHz,而功耗仅为8μW。
周云波于宗光
关键词:比较器级联结构正反馈
一种无滤波器D类音频功率放大器的设计被引量:4
2008年
基于PWM调制方案设计了一种无输出滤波的D类音频功率放大器。通过使用负反馈结构抑制电路中产生的噪声,减小输出信号的谐波失真(THD),达到去除输出级滤波器的目的。用上华0.5μm BICMOS工艺模型进行Hspice仿真,结果表明,当输出功率为1W时,效率为85%,THD指数为1.83%。
雍家鹏张树丹于宗光
关键词:音频功率放大器
共5页<12345>
聚类工具0