湖南省自然科学基金(04JJY3002)
- 作品数：5 被引量：21H指数：2
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- 相关机构：国防科学技术大学国防科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 温度、惰性填料对先驱体硅树脂高温连接 Cf/SiC陶瓷基复合材料的影响被引量：1
- 2005年
- 对先驱体硅树脂高温(800℃～1 400℃)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨.结果表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成.对于石墨、SiC的连接,1200℃是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1 400℃.加入5%惰性填料SiC可以提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能.
- 所俊陈朝辉韩卫敏郑文伟
- 关键词：先驱体硅树脂惰性填料剪切强度
- 硅树脂高温转化陶瓷结合层连接陶瓷材料被引量：13
- 2005年
- 由硅树脂作为先驱体,在高温(800～1400℃)转化陶瓷结合层对石墨、SiC陶瓷及3D(dimension)Cf(carbonfiber)/SiC复合材料进 行了连接实验,着重探讨了硅树脂固化裂解过程、裂解温度、保温时间及升温速率对连接性能的影响。研究表明:硅树脂的交联固化主要是通 过消耗Si—OH来完成。对于石墨、SiC的连接,1200℃是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1400℃。随着保温时间由1 h延长到5h,SiC陶瓷连接强度得到提高,但对复合材料的连接不利。低升温速率(2℃/min)时的连接强度比10℃/min时的高很多。
- 所俊陈朝辉韩卫敏郑文伟
- 关键词：先驱体硅树脂碳化硅陶瓷剪切强度
- 工艺参数对先驱体硅树脂高温连接陶瓷材料的影响被引量：2
- 2005年
- 对先驱体硅树脂高温(800～1400℃)转化陶瓷接头连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、硅树脂溶液浓度及裂解温度对连接性能的影响进行了探讨。研究表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成,先驱体溶液的浓度及裂解温度根据基材的不同而有不同影响。
- 所俊陈朝辉韩卫敏郑文伟
- 关键词：先驱体硅树脂剪切强度
- 先驱体硅树脂高温连接C_f/SiC复合材料——惰性及活性填料对连接性能的影响被引量：7
- 2005年
- 对先驱体硅树脂高温转化陶瓷接头连接Cf/SiC复合材料进行了研究。探讨了硅树脂固化裂解过程、惰性及活性填料对连接性能的影响。研究表明,硅树脂的交联固化主要通过消耗Si—OH来完成。适当加入惰性填料SiC(5%,质量分数)或活性填料(纳米Al、Si粉)可以大幅度提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能。
- 所俊陈朝辉郑文伟韩卫敏
- 关键词：先驱体硅树脂惰性填料活性填料
- 硅树脂249的交联与裂解陶瓷化研究
- 2006年
- 研究了硅树脂249（SR249）的交联与裂解行为．结果表明．SR249在250℃能自交联，其机理主要通过硅羟基脱水缩合实现。裂解产物组成为34．69％Si．37．99％C．27．32％O．SR249的裂解陶瓷化主要在470℃～1150℃范围．分为三个阶段．第一阶段在470℃～600℃区间．裂解活化能为23．32kJ／mol．由随机成核步骤控制裂解反应。第二阶段在720℃～800℃区间内，裂解活化能为196．95kJ／mol，由三维扩散步骤控制裂解反应．第三阶段在1000℃～1150℃区间内．裂解活化能为135．87kJ／mol，由随机成核步骤控制裂解反应。引入纳米级活性填料Al、Si进行裂解，可以减少裂解产物中的自由炭，形成Si—Al—O—C陶瓷。
- 所俊陈朝辉马青松
- 关键词：陶瓷先驱体硅树脂交联裂解活性填料
