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国家教育部博士点基金(20070004024): 作品数：44 被引量：61H指数：4; 相关作者：徐征张福俊赵谡玲徐叙瑢宋丹丹更多>>; 相关机构：北京交通大学京东方科技集团股份有限公司辽宁大学更多>>; 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>; 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>

DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区移动的研究被引量：1: 2011年; 制备了以结构ITO/PCBM∶PVK（xWt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。通过氟化锂的阴极修饰,改变了器件的载流子注入情况;通过PCBM的浓度变化,改变了载流子的输运情况,讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。同时通过改变对器件所加的电压,讨论了电压对载流子复合区形成的影响,并分析了其影响的本质。; 闫光赵谡玲徐征张福俊孔超刘晓东龚伟高利岩; 关键词：有机发光二极管电致发光迁移率

不同加速层材料对固态阴极射线发光的影响被引量：1: 2009年; 在固态阴极射线发光中,过热电子碰撞激发有机材料而发光,因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一。分别以SiO2和ZnO作为加速层,制备出两种固态阴极射线发光器件A:ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B:ITO/MEH-PPV/ZnO/Al。通过理论计算比较了电子从电极注入到加速层的隧穿电流密度以及SiO2层与ZnO层的电场强度,计算结果表明:在相同驱动电压下,SiO2作为电子加速层时隧穿电流的密度要大于ZnO层的隧穿电流的密度,并且SiO2层的电场强度比ZnO层的电场强度大。实验结果表明:SiO2作为加速层的器件的发光强度高于以ZnO为电子加速层器件的发光强度。; 厉军明徐征赵谡玲张福俊宋丹丹刘晓东宋晶路徐叙瑢王永生; 关键词：固态阴极射线发光电子加速

两种主体材料中Ir(ppy)3和Rubrene的能量传递特性被引量：1: 2009年; OLED技术被认为是最有可能取代液晶显示的全新技术,而OLED中的有机电致磷光器件是近年来的研究热点。有机电致磷光器件的发光层往往采用主客体掺杂体系,主客体分子内的能量传递是磷光发光体分子被激发的主要途径,因此选择吸收能量和传递能量好的主体材料是改进有机电致磷光器件性能的主要途径之一。文章分别以PVK和CBP作为主体材料,以磷光材料Ir(ppy)3和荧光材料Rubrene作为掺杂剂,制备了不同配比的器件,研究了主体材料和掺杂剂之间的能量传递特性。结果发现,这两种主体材料分别通过Ir(ppy)3向Rubrene传递能量是主要的能量传递机制,而且CBP作为主体时能量传递比PVK更充分。另外掺入Ir(ppy)3后的器件比不掺Ir(ppy)3的器件在相同电压下的光功率明显增强。当我们增加Ir(ppy)3的浓度时,相同电压下的光功率下降,浓度猝灭效应增强。; 李艳蕊赵谡玲杨少鹏徐征张福俊宋丹丹徐叙瑢; 关键词：有机电致发光敏化三线态

非溶剂掺杂完善自组织机理提升高度区域规则的(3-己基噻吩)有机场效应晶体管器件性能的研究: 2011年; 为了保证在低温加工及溶液制备的情况下,能够提升高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)有机场效应晶体管(OFET)的器件性能,本文研究了室温下乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,及其对高分子自组织机理与导致的RR-P3HTOFET电学性能的影响.实验发现,适量进行乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,将促进RR-P3HT薄膜形成更多期望的微晶粒薄片结构,完善高分子自组织机理,导致RR-P3HTOFET电学性能的提升.实验表明,在RR-P3HT溶液中进行5%乙腈添加后,其器件场效应迁移率的值由原来的4.04×10-4cm2/V·s增加到3.39×10-3cm2/V·s,RR-P3HTOFET的场效应迁移率增强了大约8倍.而当乙醇及乙腈非溶剂掺杂浓度过量时,二维微晶粒结构的有序度降低,并且产生了明显的沉淀析出现象,薄膜呈现明显的龟裂现象,这样的沉淀物析出物在导电沟道里将作为缺陷存在,降低了RR-P3HT OFET的器件性能.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊徐叙瑢; 关键词：场效应迁移率

电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究: 2009年; 激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3∶DCJTB(100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,器件2为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3(100∶2wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(ppy)3,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析DCJTB的带隙较窄,俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460 nm处一新的发射峰,发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460nm发光的来源,制备了器件:ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶BCP∶Ir(ppy)3(x∶y∶2 wt)/Alq3(15 nm)/Al,改变x,y的比值研究发现,460 nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。; 刘旭东赵谡玲宋丹丹占红明袁广才徐征; 关键词：磷光电场激子

不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究被引量：1: 2009年; 分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2.Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PM-MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。; 黄金英徐征张福俊赵谡玲袁广才孔超; 关键词：并五苯 PMMA 二氧化硅有机薄膜晶体管

水溶性CuPc旋涂转速及退火方式对蓝色有机电致发光器件性能的影响被引量：2: 2011年; 本文以Be(PP)2为发光层、水溶性酞菁铜(WS-CuPc)为空穴注入层、NPB为空穴传输层,制备了结构为ITO/WS-CuPc/NPB/Be(PP)2/LiF/Al的蓝色有机发光二极管(OLEDs).研究了WS-CuPc不同旋涂转速对器件性能的影响.并在WS-CuPc最佳旋涂转速的基础上,进一步研究了WS-CuPc薄膜不同退火方式对器件性能的影响.实验中,对WS-CuPc层采用了一种新的退火方式,即对ITO玻璃衬底先加热后旋涂WS-CuPc层,并与传统退火方式及不经过退火处理的器件性能进行了比较,通过原子力显微镜(AFM)分析了不同处理方式对WS-CuPc薄膜表面形貌的影响.实验结果发现:WS-CuPc的最佳旋涂转速为3000r/min.在最佳旋涂转速的基础上,对WS-CuPc薄膜采用新退火方式得到的薄膜粗糙度比较小,器件性能最好.; 高利岩赵谡玲徐征张福俊孙钦军张天慧闫光徐叙瑢

Ir(PPY)3对Rubrene荧光材料的敏化性研究被引量：4: 2008年; 最近几年,磷光器件是有机电致发光研究领域和产业化的一大热点。在实验中作者发现PVK∶PBD∶Rubrene共掺体系的发光中存在较强的PVK发光,能量传递不充分。由于一些具有重金属离子的有机物,存在强的自旋-轨道耦合作用,引入到共掺体系可以充分利用单线态和三线态的发光,从而获得高于一般有机材料器件所达到的内量子效率。为获得单色性较好的Rubrene发光,作者将磷光敏化剂Ir(ppy)3引入到PVK∶PBD∶Rubrene共掺溶液中,得到了纯正Rubrene发光,Forester能量传递也更加充分。当进一步提高Rubrene掺杂浓度以后,单色性Rubrene发光更加明显,并讨论了Ir(ppy)3所起的作用和器件的发光机理。磷光材料与有机小分子材料共掺的方法,可以有效提高器件的发光亮度及效率。; 许洪华徐征张福俊赵谡玲袁广才陈跃宁; 关键词：RUBRENE 敏化

不同溶剂溶解聚合物光伏特性的研究: 2009年; 采用聚3-己基噻吩(P3HT)溶于不同溶剂作为光敏层制备光伏器件,器件结构为:ITO/PEDOT:PSS/P3HT/Al.我们分析了聚3-己基噻吩(P3HT)溶于不同溶剂制成的光敏层薄膜,并对光敏层薄膜的形貌通过原子力显微镜(AFM)进行了表征.研究发现,P3HT溶于氯苯的薄膜形貌最优,光伏特性最好,短路电流、开路电压都比溶于氯仿和二甲苯的高.; 陈跃宁汪鹏徐证张馨芳; 关键词：光伏

Effects of concentration and annealing on the performance of regioregular poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors: 2009年; This paper investigates the effects of concentration on the crystalline structure, the morphology, and the charge carrier mobility of regioregular poly（3-hexylthiophene）（RR-P3HT） field-effect transistors （FETs）. The RR-P3HT FETs with RR-P3HT as an active layer with different concentrations of RR-P3HT solution from 0.5 wt% to 2 wt% are prepared. The results indicate that the performance of RR-P3HT FETs improves drastically with the increase of RR-P3HT weight percentages in chloroform solution due to the formation of more microcrystalline lamellae and bigger nanoscale islands. It finds that the field-effect mobility of RR-P3HT FET with 2 wt% can reach 5.78×10^-3 cm^2/Vs which is higher by a factor of 13 than that with 0.5 wt%. Further, an appropriate thermal annealing is adopted to improve the performance of RR-P3HT FETs. The field-effect mobility of RR-P3HT FETs increases drastically to 0.09 cm^2/Vs by thermal annealing at 150 ℃, and the value of on/off current ratio can reach 104.; 田雪雁徐征赵谡玲张福俊袁广才徐叙瑢

国家教育部博士点基金(20070004024)

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