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SOI结构及其制备方法
本发明提供一种SOI结构及其制备方法，包括：提供第一基底，于第一基底的第一面上形成低阻层；提供第二基底，第二基底包括位于其表层的半导体层，于半导体层上形成绝缘层；于低阻层和半导体层中的一者上形成绝缘层，通过使低阻层和半导...
刘语欣刘强俞文杰
SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法
本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步...
魏星戴荣旺汪子文李名浩陈猛徐洪涛
SOI结构的应变硅通道MOS器件及其制备方法
本发明公开了一种SOI结构的应变硅通道MOS器件及其制备方法，该MOS器件包括：SOI衬底；位于衬底上表面的应变硅层、源极、漏极，源极和漏极在应变硅层两侧，应变硅层材质的晶格常数与SOI衬底的上表面材质的晶格常数不同；位...
郝敏如陈丹婷王玉辰李嘉骏陈国祥吴华
基于SOI结构的压阻式压力传感器的制备及性能研究
微机电制造技术的发展带动了MEMS(Microelectromechanical Systems,微机电系统)压力传感器在低压测量方面的应用,高性能的压力传感器被广泛研究,并逐渐向小型化和高温方向发展。基于压阻效应的压力...
许泽斌
关键词：压阻式压力传感器高灵敏度小尺寸MEMS技术SOI材料
从SOI结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法
本申请涉及从绝缘层上硅(SOI)结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法。本发明公开从SOI结构移除氧化物膜的方法。可在沉积外延硅增厚层之前，从SOI结构剥离所述氧化物。可通过朝向所述SOI结构的中心区域施配蚀刻溶液...
C·R·洛茨S·G·托马斯H·F·埃尔克
基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法
本发明提出了一种基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法，包括双SOI结构和外围背栅自动电压优化控制电路，其中外围背栅自动电压优化控制电路可对双SOI结构的背栅进行电压控制。本发明与传统的RES...
郭宇锋刘安琪李曼姚佳飞张珺杨可萌张茂林
基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法
本发明提出了一种基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法，包括双SOI结构和外围背栅自动电压优化控制电路，其中外围背栅自动电压优化控制电路可对双SOI结构的背栅进行电压控制。本发明与传统的RES...
郭宇锋刘安琪李曼姚佳飞张珺杨可萌张茂林
SOI结构上MOS晶体管
本公开涉及SOI结构上MOS晶体管。一种器件包括有源半导体层，所述有源半导体层位于覆盖在半导体衬底上的绝缘层顶部上并且与所述绝缘层接触。所述器件的晶体管包括布置在所述有源半导体层中的源极区、漏极区和本体区。所述晶体管的所...
S·克勒梅F·蒙塞尤尔A·弗勒雷S·亨德勒
一种具有浅沟槽隔离的SOI结构及制备方法
本发明公开的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，包括衬底和位于衬底中的浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离包括位于衬底中的沟槽和填充在沟槽中的绝缘层；其中，所述沟槽包括M个沟槽子单元，每个沟槽子单元对应一个器件区域，所述沟槽子单元为V...
陈张发曾绍海
基于SOI结构的冷源MOS晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于SOI结构的冷源MOS晶体管及其制备方法，该冷源MOS晶体管的源端为P‑metal‑N结构，该冷源MOS晶体管的制备方法包括：制备SOI硅片；在SOI硅片表面生长SiO<Sub>2</Sub>；在需要金...
刘飞张力公
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罗家俊
作品数：500被引量：114H指数：6
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
林成鲁
作品数：249被引量：547H指数：13
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
卜建辉
作品数：219被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI 半导体器件 MOS器件 集成电路
曾传滨
作品数：178被引量：33H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
刘海南
作品数：248被引量：50H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 输入端 存储器 单粒子翻转 单粒子