搜索到87篇“ MOS电容器“的相关文章
- 一种MOS电容器及其形成方法
- 本申请提供一种MOS电容器及其形成方法，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干用于隔离有源区的隔离结构；离子注入区，位于所述有源区中；若干凹陷结构，位于所述离子注入区表面，用于增加所述离子注入区的表面积；...
- 张党柱朱宏亮周欣
- 一种MOS电容器件及其制造方法
- 本发明提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在介质层上方形成第一电极；在衬底背面形成第二电极。衬底作为电容器件的一部分，形成的电容器件作为独立的器件。增加了电容器件...
- 王芳傅焕松
- 不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
- 2023年
- 为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有效减小界面态密度,抑制漏电流.其中,HfAlO钝化的MOS电容展现出最小的界面态密度和最佳的器件性能.相比于未钝化的器件,HfAlO钝化电容的界面态密度从3.53×10^(13)cm^(-2)降至4.81×10^(12)cm^(-2),介电常数从7.7提高到23.8,漏电流密度从2.95×10^(-9)A/cm^(2)降低到1.67×10^(-10)A/cm^(2).HfAlO钝化层能有效减低界面态密度,并提高器件电学性能.
- 吴秋菊方泽波
- 关键词：MOS电容器ALD界面态密度
- 集成电路（IC）、FinFET MOS电容器及其形成方法
- 本公开的各种实施例针对一种FinFETMOS电容器。在一些实施例中，FinFETMOS电容器包括衬底和从衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构。电容器鳍结构包括通过伪沟道区域分开的成对的伪源极/漏极区域和跨在电容器鳍结构上的...
- 杨松鑫郑宗期萧茹雄
- 高击穿电压Ⅲ-N耗尽型MOS电容器
- 本发明描述了Ⅲ‑N高电压MOS电容器以及片上系统(SoC)解决方案，所述SoC解决方案集成了能够实现高击穿电压(BV)的至少一个Ⅲ‑N MOS电容器，以实现高电压和/或高功率电路。可以实现超过4V的击穿电压，而不需要在R...
- H·W·田S·达斯古普塔G·施罗姆V·R·拉奥R·S·周
- 半导体装置、MOS电容器及其制造方法
- 本申请公开了一种半导体装置、MOS电容器及其制造方法，涉及半导体技术领域。该装置的制造方法包括：提供衬底结构，包括：在衬底上间隔开的第一和第二鳍片；在第一鳍片上的第一伪栅结构，包括第一伪栅电介质层及其上的第一伪栅；在第二...
- 王楠
- 一种MOS电容器件及其制造方法
- 本发明提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在介质层上方形成第一电极；在衬底背面形成第二电极。衬底作为电容器件的一部分，形成的电容器件作为独立的器件。增加了电容器件...
- 王芳傅焕松
- 提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备
- 本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH<Sub>3</Sub>/N<Sub>2</Sub>混合等离子体原位预处理，...
- 乌李瑛程秀兰瞿敏妮付学成马玲权雪玲
- 基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
- 本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
- 程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
- 一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法
- 本发明提供了一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法，在第一次退火处理时是在Ar气氛条件下或含O元素的Ar气氛条件下进行的，进而通过Ar退火能够去除SiC外延层和栅氧化层的界面处的C元素，使得C元素相关缺陷发生分解并离开界面...
- 罗志鹏许恒宇金智万彩萍
相关作者
- 程新红
- 作品数：205被引量：66H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 栅介质
- 张秀淼
- 作品数：27被引量：29H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室
- 研究主题：半导体 半导体材料 MOS电容器 少子扩散长度 MOS电容
- 俞跃辉
- 作品数：158被引量：74H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
- 丁扣宝
- 作品数：58被引量：73H指数：5
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所
- 研究主题：半导体 半导体材料 硅 衬底 氧化层
- 于庆奎
- 作品数：124被引量：122H指数：7
- 供职机构：中国空间技术研究院
- 研究主题：单粒子效应 单粒子 单粒子翻转 质子 重离子
