搜索到368篇“ MOS电容“的相关文章
- 一种基于SONOS工艺的MOS电容制作方法
- 本发明提供一种基于SONOS工艺的MOS电容制作方法，提供半导体结构，半导体结构包括SONOS单元区、MOS电容区和其他器件区域；在半导体结构上形成栅氧层，栅氧层覆盖SONOS单元区、MOS电容区和其他器件区域；去除SO...
- 赵鹏
- 一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及MOS电容
- 本发明提供一种降低SiC‑MOS器件界面态密度的方法及MOS电容，所述方法包括：提供碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成二氧化硅氧化层；采用快速退火工艺进行纯氧气退火；采用快速退火工艺进行纯氮气退火；在所述二氧化硅氧化层上...
- 李秀妍孟俊豪司梦维
- 不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
- 2025年
- SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。
- 付兴中刘俊哲薛建红尉升升谭永亮王德君张力江
- 一种MOS电容器及其形成方法
- 本申请提供一种MOS电容器及其形成方法，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干用于隔离有源区的隔离结构；离子注入区，位于所述有源区中；若干凹陷结构，位于所述离子注入区表面，用于增加所述离子注入区的表面积；...
- 张党柱朱宏亮周欣
- 测量MOS电容的电容值的电路及方法
- 本发明提出了一种测量MOS电容的电容值的电路。该电路包括：充放电路径，被配置为在第一控制信号和/或第二控制信号的控制下，对MOS电容进行充电或放电以产生指示MOS电容两端电压差的电容电压，其中，以第一恒定电流对MOS电容...
- 殷宁淳
- 基于MOS电容的PUF电路
- 本发明公开了一种基于MOS电容的PUF电路，包括PMOS电容网络、NMOS电容网络、电压灵敏放大器与三个传输门，将三个传输分别称为第一传输门、第二传输门与第三传输门，第一传输门用于控制PMOS电容网络是否接入电源电压VD...
- 汪鹏君吴旭东李刚金才垄
- 一种MOS电容器件及其制造方法
- 本发明提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在介质层上方形成第一电极；在衬底背面形成第二电极。衬底作为电容器件的一部分，形成的电容器件作为独立的器件。增加了电容器件...
- 王芳傅焕松
- SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性
- 2023年
- 偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。
- 于洪权尉升升刘兆慧尹志鹏白娇谢威威王德君
- 关键词：碳化硅MOS电容热氧化阈值电压漂移
- 基于瞬态电容法的4H-SiC MOS电容近界面缺陷测试表征
- 新一代的宽带隙半导体碳化硅（SiC）与硅材料相比,具有禁带宽度大,本征载流子浓度低,热导率高,临界击穿场强大,以及电子饱和漂移速度高等优良特性,是制备高温、高频、大功率电力电子器件的理想候选材料。但是由于Si O2/Si...
- 李琦
- 关键词：界面态
- 不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
- 2023年
- 为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有效减小界面态密度,抑制漏电流.其中,HfAlO钝化的MOS电容展现出最小的界面态密度和最佳的器件性能.相比于未钝化的器件,HfAlO钝化电容的界面态密度从3.53×10^(13)cm^(-2)降至4.81×10^(12)cm^(-2),介电常数从7.7提高到23.8,漏电流密度从2.95×10^(-9)A/cm^(2)降低到1.67×10^(-10)A/cm^(2).HfAlO钝化层能有效减低界面态密度,并提高器件电学性能.
- 吴秋菊方泽波
- 关键词：MOS电容器ALD界面态密度
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