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- 本申请提供了基于多晶硅栅极的耗尽型MIS器件、器件版图结构以及制造方法，耗尽型MIS器件的制造方法包括以下步骤：形成异质结；在异质结的表面从下至上依次淀积第一介质层和第二介质层；自第二介质层的上表面向下开口，直至第一介质...
- 姜涛
- 一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3...
- 康俊勇李光容王伟平吴志明孔丽晶吴雅苹李煦
- 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层；本发明还公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件的制备方法，通过外延生长方式制备，将GaN作为半导体提...
- 曹冰周浩王钦华
- 一种SiC基MIS器件及其制备方法
- 本发明涉及一种SiC基MIS器件及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底上制备氧化镓纳米片；在n型重掺SiC层上生长n型轻掺SiC栅介质层；在所述n型重掺SiC层远离所述n型轻掺SiC栅介质层的一侧制备底栅电极；将所述蓝宝石...
- 李京波赵艳汪争郑涛朱广虎唐猛李伟
- 退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
- 2022年
- 采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200℃~300℃的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。
- 周伟佳龚晓霞陈冬琼肖婷婷尚发兰杨文运
- 关键词：锑化铟C-V特性原子层沉积
- 一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3...
- 康俊勇 李光容 王伟平 吴志明 孔丽晶 吴雅苹 李煦
- 一种SiC基MIS器件及其制备方法
- 本发明涉及一种SiC基MIS器件及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底上制备氧化镓纳米片；在n型重掺SiC层上生长n型轻掺SiC栅介质层；在所述n型重掺SiC层远离所述n型轻掺SiC栅介质层的一侧制备底栅电极；将所述蓝宝石...
- 李京波赵艳汪争郑涛朱广虎唐猛李伟
- 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件
- 本实用新型公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作...
- 周浩曹冰王钦华
- 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层；本发明还公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件的制备方法，通过外延生长方式制备，将GaN作为半导体提...
- 曹冰周浩王钦华
- 不同的表面处理方法对碲镉汞材料表面和MIS器件性能的影响
- 利用溴乙醇、乳酸乙二醇以及氢溴酸、双氧水和水混合溶液对碲镉汞表面进行腐蚀处理,利用XPS和AFM对其材料表面进行测试分析,获得近表面成分和表面粗糙度等信息。采用这些表面处理方式,制备p型碲镉汞长波MIS器件,进行CV测试...
- 解晓辉樊华廖清君胡晓宁
- 关键词：碲镉汞XPSAFMMIS
相关作者
- 汤定元
- 作品数：92被引量：109H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：HG HGCDTE CD 红外探测器 碲镉汞
- 何波
- 作品数：30被引量：47H指数：3
- 供职机构：东华大学理学院物理系
- 研究主题：HGCDTE 表面钝化 I-V特性 离子束刻蚀 BA0
- 张朝阳
- 作品数：3被引量：0H指数：0
- 供职机构：昆明理工大学
- 研究主题：MIS器件 HGCDTE C-V特性 MIS 表面钝化
- 曹冰
- 作品数：131被引量：2H指数：1
- 供职机构：苏州大学
- 研究主题：石墨烯 圆二色性 亚波长 发光二极管 偏振
- 王钦华
- 作品数：211被引量：3H指数：1
- 供职机构：苏州大学
- 研究主题：亚波长 圆二色性 偏振 宽带 全介质
