搜索到123篇“ MEMS移相器“的相关文章
- MEMS移相器
- 本公开提供一种MEMS移相器，包括：衬底；衬底上的共面波导信号结构和分别位于共面波导信号结构两侧的两条共面波导地线；分别位于两条共面波导地线上的绝缘隔离层；以及金属膜桥，其跨接在所述共面波导信号结构上方以与所述共面波导信...
- 郭景文吴倩红李春昕曲峰
- 一种基于MEMS移相器的无损血糖检测方法
- 本发明提供了一种基于MEMS移相器的血糖无损检测方法，通过MEMS工艺在衬底上制备出接地平面波导结构，电磁波信号沿着中间导体传输。将一定浓度的葡萄糖溶液放置于波导结构上方，当微波信号传输通过葡萄糖溶液时，会对波端口阻抗产...
- 易真翔杨沙沙王楚玺
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- MEMS移相器及其制作方法
- 本公开提供了一种MEMS移相器及其制作方法，该MEMS移相器包括：第一基板，其具有第一表面；共面波导，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一导电线和分别位于所述第一导电线两侧且与所述第一导电线绝缘的两条第二导电...
- 王瑛武杰李亮唐粹伟贾皓程曹雪丁天伦车春城刘昊
- Ka波段开关线型MEMS移相器的设计与研究被引量：1
- 2022年
- 面向现代通信及相控阵雷达领域的需求,设计了一种移相间隔为22.5°的Ka波段4位开关线型射频MEMS移相器。主要对实现移相功能的四个移相单元进行了设计,采用台阶补偿技术优化移相单元上下通路分工选通,以提供最佳的阻抗匹配;采用直角转角结构,设计了可提高CPW直角性能的延迟线,并对应用该延迟线的4位开关线型移相器进行了总体设计。用HFSS进行建模仿真,结果表明,在0~40 GHz工作频段内,16个状态的插入损耗均小于2.15 dB,回波损耗均大于19.18 dB,驻波比均小于1.25,在40 GHz频点处的相移误差在1.57°以内,整体尺寸为10 mm^(2)。
- 吴倩楠范丽娜侯文侯文
- 关键词：移相器MEMS小体积
- 基于单刀双掷开关的MEMS移相器的设计与研究
- 移相器作为相位控制阵列中的关键微波器件,广泛应用于电信和雷达领域,其主要功能是对波的相位进行调整。MEMS移相器因其移相精度高、插入损耗低、线性度高、成本低等优点,被广泛应用于雷达、电子对抗、遥感、辐射测量等领域。本文完...
- 范丽娜
- 关键词：单刀双掷开关移相器插入损耗
- MEMS移相器及其制作方法
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- 基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法
- 本发明公开了一种基于热环境与桥材料属性的X频段MEMS移相器性能预测方法，包括确定X频段MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；建立结构‑热变形仿真模型并热仿真，仿真提取MEMS桥的温度；测试热环境下MEMS桥...
- 王从思应康刘菁李申王志海王璐严粤飞刘英想钟剑锋王伟宋立伟
- 毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究被引量：2
- 2019年
- 设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求。采用升压电路,实现了5 V电压向80 V毫米波MEMS移相器驱动电压的DC/DC转换。测试结果表明,设计的MEMS移相器驱动电路实现了对4 bit MEMS移相器的16态相移控制,驱动电路的静态电流仅为12.4 mA@5 V,满足了毫米波MEMS移相器对驱动信号的要求和相控阵天线演示系统对低功耗的要求,解决了毫米波MEMS移相器低成本驱动问题。
- 黄镇朱健郁元卫郁元卫
- 关键词：升压电路MEMS移相器
- 一种新型螺旋形分布式RF MEMS移相器的设计
- 2019年
- 针对传统的分布式射频(RF)微机电系统(MEMS)移相器结构可靠性较低、平面面积较大、对制作工艺要求较高的问题,设计了一种新型5位分布式RF MEMS移相器,对其螺旋形共面波导结构和31个MEMS开关组进行了简要介绍及仿真分析。移相器体积为2.6 mm×2.6 mm×0.505 mm,工作频率为40 GHz时,31个仿真相移量与设计目标相移量的误差小于3.72°,满足高频、小面积、低损耗和低成本的MEMS相控阵系统应用的需求。
- 张晓桐董自强张松胡天宇苗峻李旭朱林唐立赫王大宇
- 关键词：MEMS移相器MEMS开关相控阵雷达
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- 贺训军
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- 赖宗声
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- 朱健
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- 郁元卫
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