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HEMT器件
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
HEMT
器件
本实用新型涉及
HEMT
器件
,包括:本体,具有顶表面和异质结构;栅极区域,包括半导体材料,布置在本体的顶表面上,栅极区域具有第一侧向侧壁和与第一侧向侧壁相对的第二侧向侧壁;非导电材料的密封层,在栅极区域的第一侧向侧壁和第二...
C·特林加利
A·康斯坦特
M·E·卡斯塔尼亚
F·尤科纳洛
HEMT
器件
本发明公开了一种
HEMT
器件
,例如包括:衬底;通道层,设置于衬底的一侧,通道层的材料包括未掺杂的GaN;异质外延结构,包括至少一个由AlGaN层和GaN层堆叠形成的超晶格结构,在每个超晶格结构中,GaN层设置于所述AlG...
林小坤
邓顺达
杨鸿志
HEMT
器件
本实用新型涉及
HEMT
器件
,包括:本体,该本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构;以及栅极结构,在本体的顶表面上延伸并且能够偏置以电控制二维电荷载流子气,该栅极结构包括:半导体材料的沟道调制区,沟道...
F·尤科纳洛
A·基尼
M·E·卡斯塔尼亚
A·康斯坦特
C·特林加利
HEMT
器件
本公开的实施例涉及
HEMT
器件
。一种
HEMT
器件
包括:半导体主体,其形成异质结构;栅极区域,其在半导体主体上并且沿着第一轴被延长;栅极金属区域,其包括下部分和上部分,下部分在栅极区域上并且相对于栅极区域凹陷,上部分在下部...
M·E·卡斯塔尼亚
G·焦尔吉诺
F·尤克拉诺
C·特林加里
A·康斯坦特
GaN
HEMT
器件
及制备方法
本申请提供一种GaN
HEMT
器件
及制备方法,涉及
HEMT
器件
技术领域,用于解决相关技术中GaN
HEMT
器件
散热难的技术问题,该GaN
HEMT
器件
包括自下而上层叠的衬底层和材料层,材料层包括多个第一隔离区和至少一个第...
徐哲
王世军
周永强
刘帅
朱乾坤
一种
HEMT
器件
及其制备方法
本申请实施例属于半导体
器件
技术领域,涉及一种
HEMT
器件
,包括衬底、外延结构、钝化层、源极、栅极、漏极、侧电极;外延结构设置于衬底上;钝化层包覆于外延结构外;源极、栅极与漏极均设置于钝化层且与外延结构的上表面接触,栅极位...
李国强
GaN
HEMT
器件
三态驱动电路
本发明属于功率半导体
器件
驱动领域,具体涉及了一种GaN
HEMT
器件
三态驱动电路,旨在解决GaN
HEMT
器件
的反向导通压降较高,导致在死区时间内续流过程中的损耗较大的问题。本发明包括:GaN
HEMT
三态驱动电路,采用...
曹国恩
王一波
黄欣科
王环
半导体
器件
和
HEMT
器件
本实用新型涉及半导体
器件
和
HEMT
器件
。
HEMT
器件
包括具有半导体异质结构的半导体本体;包括半导体材料的控制区域,控制区域位于半导体本体上,控制区域具有顶表面和多个横向侧面;导电材料的控制端子,其在控制区域的顶表面上延伸...
F·尤科纳洛
A·康斯坦特
C·特林加利
M·E·卡斯塔尼亚
用于
HEMT
器件
的侧壁钝化
本发明的一些实施例涉及包括布置在半导体衬底上方的异质结结构的高电子迁移率晶体管(
HEMT
)。异质结结构包括用作e‑
HEMT
的沟道区的由第一III‑氮化物材料制成的二元III/V半导体层以及用作阻挡层的布置在二元III/V...
邱汉钦
陈祈铭
蔡正原
姚福伟
纵向GaN
HEMT
器件
及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种纵向GaN
HEMT
器件
及其制备方法。该纵向GaN
HEMT
器件
包括纵向自下而上的漏极金属、n型沟道层、本征GaN层;在本征GaN层内部与本征GaN层水平设置的AlGaN;在AlG...
冯开勇
王刚
杨光
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马晓华
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