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HEMT器件
本实用新型涉及HEMT器件,包括:本体,具有顶表面和异质结构;栅极区域,包括半导体材料,布置在本体的顶表面上,栅极区域具有第一侧向侧壁和与第一侧向侧壁相对的第二侧向侧壁;非导电材料的密封层,在栅极区域的第一侧向侧壁和第二...
C·特林加利A·康斯坦特M·E·卡斯塔尼亚F·尤科纳洛
HEMT器件
本发明公开了一种HEMT器件,例如包括:衬底;通道层,设置于衬底的一侧,通道层的材料包括未掺杂的GaN;异质外延结构,包括至少一个由AlGaN层和GaN层堆叠形成的超晶格结构,在每个超晶格结构中,GaN层设置于所述AlG...
林小坤邓顺达杨鸿志
HEMT器件
本实用新型涉及HEMT器件,包括:本体,该本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构;以及栅极结构,在本体的顶表面上延伸并且能够偏置以电控制二维电荷载流子气,该栅极结构包括:半导体材料的沟道调制区,沟道...
F·尤科纳洛A·基尼M·E·卡斯塔尼亚A·康斯坦特C·特林加利
HEMT器件
本公开的实施例涉及HEMT器件。一种HEMT器件包括:半导体主体,其形成异质结构;栅极区域,其在半导体主体上并且沿着第一轴被延长;栅极金属区域,其包括下部分和上部分,下部分在栅极区域上并且相对于栅极区域凹陷,上部分在下部...
M·E·卡斯塔尼亚G·焦尔吉诺F·尤克拉诺C·特林加里A·康斯坦特
GaN HEMT器件及制备方法
本申请提供一种GaN HEMT器件及制备方法,涉及HEMT器件技术领域,用于解决相关技术中GaN HEMT器件散热难的技术问题,该GaN HEMT器件包括自下而上层叠的衬底层和材料层,材料层包括多个第一隔离区和至少一个第...
徐哲王世军周永强刘帅朱乾坤
一种HEMT器件及其制备方法
本申请实施例属于半导体器件技术领域,涉及一种HEMT器件,包括衬底、外延结构、钝化层、源极、栅极、漏极、侧电极;外延结构设置于衬底上;钝化层包覆于外延结构外;源极、栅极与漏极均设置于钝化层且与外延结构的上表面接触,栅极位...
李国强
GaN HEMT器件三态驱动电路
本发明属于功率半导体器件驱动领域,具体涉及了一种GaN HEMT器件三态驱动电路,旨在解决GaN HEMT器件的反向导通压降较高,导致在死区时间内续流过程中的损耗较大的问题。本发明包括:GaN HEMT三态驱动电路,采用...
曹国恩王一波黄欣科王环
半导体器件HEMT器件
本实用新型涉及半导体器件HEMT器件HEMT器件包括具有半导体异质结构的半导体本体;包括半导体材料的控制区域,控制区域位于半导体本体上,控制区域具有顶表面和多个横向侧面;导电材料的控制端子,其在控制区域的顶表面上延伸...
F·尤科纳洛A·康斯坦特C·特林加利M·E·卡斯塔尼亚
用于HEMT器件的侧壁钝化
本发明的一些实施例涉及包括布置在半导体衬底上方的异质结结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)。异质结结构包括用作e‑HEMT的沟道区的由第一III‑氮化物材料制成的二元III/V半导体层以及用作阻挡层的布置在二元III/V...
邱汉钦陈祈铭蔡正原姚福伟
纵向GaN HEMT器件及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种纵向GaN HEMT器件及其制备方法。该纵向GaN HEMT器件包括纵向自下而上的漏极金属、n型沟道层、本征GaN层;在本征GaN层内部与本征GaN层水平设置的AlGaN;在AlG...
冯开勇王刚杨光

相关作者

马晓华
作品数:863被引量:143H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 氧化镓 栅电极
郝跃
作品数:2,605被引量:1,235H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
于国浩
作品数:122被引量:40H指数:4
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题:二维电子气 HEMT器件 氮化物 增强型 半导体表面
张宝顺
作品数:524被引量:203H指数:7
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题:二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
张波
作品数:4,983被引量:7,060H指数:42
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型