搜索到7998篇“ 4H-碳化硅“的相关文章
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一种8寸及以上的大直径4H型碳化硅单晶制备方法
本发明公开了一种8寸及以上的大直径4H型碳化硅单晶制备方法，属于碳化硅单晶领域，包括以下步骤：S1、将碳化硅粉料分两层放于下坩埚中，每层料均需要摊平至35mm的料高，中间用石墨纸隔开，拧上上坩埚；S2、将粘有4H‑SiC...
贺文全姚泰张胜姚恒李光
基于积分电流法的4H-碳化硅PIN双探测器前端电路及放大方法
本发明公开了一种基于积分电流法的4H‑碳化硅PIN双探测器前端电路及放大方法，所述前端电路包括第一级积分型前置放大电路、第二级MFB型低通滤波放大电路以及第三级Sallen‑Key型低通滤波放大电路；4H‑碳化硅PIN双...
刘书焕孙云峰马勇孟凡钧王炫朱世杰李浩迪邢天黄有骏张锡民王超周俊烨
一种β-氧化镓/4H-碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种β‑氧化镓/4H‑碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法，探测器包括：由下至上依次设置的N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>功能层...
宋庆文杜丰羽袁昊汤晓燕张玉明张泽雨林
一种横向结构4H-碳化硅/β-氧化镓异质结高温日盲探测器及其制备方法
本发明公开了一种横向结构4H‑碳化硅/β‑氧化镓异质结高温日盲探测器及其制备方法，包括：N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和N型β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>功能层；所述N型β‑...
袁昊杜丰羽张玉明汤晓燕宋庆文张泽雨林
一种稳定PVT法生长4H高纯碳化硅单晶晶型的原料处理方法
本发明公开了一种稳定PVT法生长4H高纯碳化硅单晶晶型的原料处理方法包括：步骤1将合成好的碳化硅粉源放置在石墨坩埚内，用CVD炉加热至1000‑1300℃；步骤2向所述CVD炉内通入Ar（氩）和CH<Sub>4</Sub...
张云伟靳丽婕韩金波
一种PVT法制备大尺寸4H-碳化硅单晶扩径的生长装置及生长方法
本发明公开了一种PVT法制备大尺寸4H‑碳化硅单晶扩径的生长装置及生长方法，包括坩埚部件及机台，所述坩埚部件包括石墨锅体，所述石墨锅体顶面内侧开设扩口，所述扩口内侧套接结晶器组件。本发明中结晶器组件采用双锥形口的结构，截...
王洁奚衍罡李海飞
一种区分4H-碳化硅表面的方法
本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行...
赵桂娟茆邦耀刘贵鹏汤金金吕秀睿
对4H-碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法
本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路，4H‑碳化硅探测器将中子信...
刘书焕孟凡钧马勇王炫熊艳丽黄有骏李浩迪孙云峰朱世杰邢天阿德科亚·马修·阿德福西卡
一种区分4H-碳化硅表面的方法
本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行...
赵桂娟茆邦耀刘贵鹏汤金金吕秀睿
一种β-氧化镓/4H-碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种β‑氧化镓/4H‑碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法，探测器包括：由下至上依次设置的N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>功能层...
宋庆文杜丰羽袁昊汤晓燕张玉明张泽雨林
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汤晓燕
作品数：354被引量：94H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
张玉明
作品数：1,030被引量：454H指数：11
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
袁昊
作品数：137被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：肖特基接触 碳化硅 外延层 电极 肖特基二极管
刘贵鹏
作品数：41被引量：0H指数：0
供职机构：兰州大学
研究主题：图形化 4H-碳化硅 硅衬底 湿法腐蚀 镜头
宋庆文
作品数：348被引量：19H指数：3
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管