搜索到459篇“ 锰铜传感器“的相关文章
中频磁控溅射制备传感器用合金薄膜的工艺被引量:2
2014年
利用镀膜技术制作传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度。改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响。采用三维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分。研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-1;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显著变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近。
张延松牟宗信吴敏丁昂牟晓东钱坤明
关键词:锰铜合金溅射功率磁控溅射
阵列式薄膜传感器的研究被引量:2
2005年
采用薄膜工艺制备适合高压力测量的阵列式传感器,文中介绍了该传感器的制造工艺、工作原理。动态加载实验表明,传感器阵列的压阻一致性好,无高压旁路效应,响应时间低于30ns,验证了薄膜传感器高压测试的准确性和可靠性。
滕林杨邦朝杜晓松
关键词:锰铜传感器阵列式高压测试传感器阵列
箔式传感器的新进展
2005年
箔式传感器主要应用于动高压的测试中,现有的箔式传感器采用有机物作为绝缘层,其测压上限为40GPa。而采用绝缘封装层为Al2O3薄膜的箔式传感器,可拓宽其测压上限。动高压测试结果表明,该传感器所承受的压力为55.32GPa,压阻系数为0.0272,传感器的延续时间可达2.5μm。
崔红玲杨邦朝杜晓松周鸿仁滕林
关键词:AL2O3薄膜
传感器保护介质对雷管输出记录波形的影响被引量:8
2004年
提出在传感器前方加保护介质测试有底壳爆炸元件的轴向输出.采用有机玻璃板和Mylar膜作为保护介质,测试1号电雷管的底部输出;运用流体力学理论对所得波形进行分析;结果表明,压阻法测试有破片产生的爆炸元件时,加1mm厚有机玻璃板优于加0.05~0.10mm的Mylar膜.
韩秀凤严楠蔡瑞娇
关键词:雷管锰铜传感器
快响应薄膜式高压传感器被引量:2
2001年
本文采用磁控溅射技术制作了新型的薄膜式超高压力传感器 ,获得了 32 ns的快速响应 ,同时 。
杜晓松杨邦朝王卉
关键词:锰铜传感器压力测试
薄膜式传感器的超高压力标定
为拓展传感器的高压测试上限,本文采用薄膜技术研制了一种新型的传感器。该传感器采用氧化铝封装,后置式结构,两步薄膜工艺制作。利用二级轻气炮进行了40~107GPa的冲击高压加载,试验波形呈现出一理想的平台,寿命为1...
杜晓松郝建德杨邦朝周鸿仁
关键词:锰铜传感器
采用氧化铝封装的薄膜式传感器
采用薄膜工艺,实现了压阻元件在氧化铝绝缘体中的无胶封装。计以“后置式”方式工作。初步试验表明,这种结构的计可突破常规钢计约50GPa的高压测试上限,并且具有极快的响应。
杜晓松杨邦朝周鸿仁
关键词:锰铜传感器
薄膜式传感器的超高压力标定被引量:2
2001年
为拓展传感器的高压测试上限 ,本文采用薄膜技术研制了一种新型的传感器。该传感器采用氧化铝封装 ,后置式结构 ,两步薄膜工艺制作。利用二级轻气炮进行了 40~ 10 7GPa的冲击高压加载 ,试验波形呈现出一理想的平台 ,寿命为 1μs。标定曲线 Px(GPa) =6 .0 371+2 9.819(ΔR/ R0 ) +2 1.5 91(ΔR/ R0 ) 2 - 6 .82 6 7(ΔR/ R0 ) 3近似于一条直线 ,精度达± 3%
杜晓松郝建德杨邦朝周鸿仁
关键词:锰铜传感器
薄膜式传感器——一种新型的超高压力传感器被引量:9
2000年
文中综述了动态高压传感器最近十多年来的研究现状,着重介绍了一类新型的传感器———薄膜式传感器的研发进展。该类传感器的研制旨在提高传感器高压测试极限和缩短响应时间。目前已进行了直到80GPa以下的初步标定。
杜晓松杨邦朝王卉
关键词:锰铜传感器压力传感器
一种基于多次脉冲试验的炸药应力测试装置
本发明公开了一种基于多次脉冲试验的炸药应力测试装置,该装置中上压板为圆台体,中心部位为台阶形通孔;沿上压板台阶形通孔从上至下依次安装台形击柱、传感器、数据传输线及下底板,台形击柱为台阶形圆柱体,直径较小一端与试验弹中...
李亮亮屈可朋肖玮沈飞郭洪福王辉

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杨邦朝
作品数:427被引量:1,946H指数:23
供职机构:电子科技大学
研究主题:超级电容器 铝电解电容器 LTCC 多芯片组件 铝箔
杜晓松
作品数:325被引量:220H指数:8
供职机构:电子科技大学
研究主题:气体传感器 传感器 叉指电极 供能 声表面波气体传感器
周鸿仁
作品数:28被引量:54H指数:4
供职机构:电子科技大学
研究主题:绝缘薄膜 锰铜传感器 无机材料 直流磁控溅射 磁控溅射
汤文辉
作品数:171被引量:395H指数:11
供职机构:国防科学技术大学理学院
研究主题:数值模拟 光滑粒子流体动力学 SPH方法 X射线 SPH
滕林
作品数:20被引量:46H指数:4
供职机构:深圳振华富电子有限公司
研究主题:镱 锰铜传感器 阵列式 金属薄膜 电子技术