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2025年7月9日星期三

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铁电场效应晶体管被引量：7: 2000年; 介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对; 王华于军周文利王耘波谢基凡周东祥朱丽丽; 关键词：铁电薄膜晶体管

一种基于黑磷铁电场效应晶体管的逻辑门电路: 本申请公开了一种基于黑磷铁电场效应晶体管的逻辑门电路，涉及逻辑门电路技术领域，利用黑磷铁电场效应晶体管构成了各种固定的逻辑门电路和可调节的逻辑门电路，实现了黑磷铁电场效应晶体管的首次固定逻辑应用和首次可变逻辑应用，相较于...; 王林胡震范汇川潘晓凯陈效双

铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件: 本发明涉及铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件。铁电场效应晶体管包括：沟道、设置为面向所述沟道的栅电极、设置在所述沟道和所述栅电极之间的铁电层、设置在所述沟道和所述铁电层之间的界面层、以及设置在所述铁电层和所述栅电...; 柳时正南胜杰金东勋李泫宰崔德铉崔硕训

一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO<SUB>2</SU...; 郝敏如陈丹婷邵敏张艳周旬

一种基于栅叠层优化的铁电场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开一种基于栅叠层优化的铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明FeFET优化的栅叠层结构包括在衬底顶层硅上依次堆叠的氧化铝沟道界面层、双层铪锆氧铁电层、氧化铝栅界面层和栅金属电极，所述双层铪锆...; 唐克超周粤佳黄如

基于铁电场效应晶体管的存算一体多数表决逻辑门电路: 本实用新型公开了一种基于铁电场效应晶体管的存算一体多数表决逻辑门电路，其包括输入模块、运算模块、放电模块、输出模块；输入模块接收三个电压信号并按时间顺序传递至运算模块；运算模块包括一个铁电场效应晶体管，根据栅极和源极接收...; 查晓婧王伦耀杨朝晖

一种双铁电增强型铁电场效应晶体管及其制备方法与应用: 本发明公开了一种双铁电增强型铁电场效应晶体管及其制备方法与应用，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明制备了基于钌酸锶/铁酸铋/二氧化铪/三硒化二铟的铁电场效应晶体管电子器件，其中钌酸锶作为栅极，铁酸铋作为铁电介电层，二...; 王艳荣何军

一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法: 本发明公开一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法，属于微纳电子学技术领域。本发明方法针对1T结构的多级存储铁电场效应晶体管阵列，提出自补偿写入方法，采用自补偿波形的脉冲序列进行写入，分别对应多级存储中不同的存储状态，高于中间...; 唐克超周粤佳黄如

铁电场效应晶体管及其制备方法: 本申请提出一种铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括沿远离所述衬底方向依次形成的第一铝钪氮层和第二铝钪氮层，且所述第一铝钪氮层中钪元素的组分含量与所述...; 许高博刘思源许子铭张兆浩

铁电场效应晶体管及其制备方法: 本发明涉及微电子器件技术领域，尤其涉及铁电场效应晶体管及其制备方法，包括衬底，所述衬底一侧设置有源极区和漏极区，衬底靠近源极区和漏极区的一侧表面由下至上依次设置有缓冲层、铁电层和栅极层，缓冲层设置于源极区和漏极区之间的衬...; 曾斌建郝天奇廖敏

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廖敏: 作品数：150被引量：11H指数：2; 供职机构：湘潭大学; 研究主题：铁电铁电薄膜氧化铪电极铁电场效应晶体管

周益春: 作品数：535被引量：444H指数：10; 供职机构：湘潭大学; 研究主题：热障涂层铁电薄膜铁电氧化铪涡轮叶片

黄如: 作品数：1,323被引量：363H指数：11; 供职机构：北京大学; 研究主题：场效应晶体管晶体管沟道存储器超大规模集成电路

郝跃: 作品数：2,605被引量：1,235H指数：13; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：势垒层电极场板高电子迁移率晶体管氮化镓

彭悦: 作品数：24被引量：1H指数：1; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：铁电场效应晶体管铁电栅介质极区隧穿电流