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一种零维铋基类钙钛矿结构发光材料及其制备方法: 本发明公开了一种零维铋基类钙钛矿结构发光材料及其制备方法。该发光材料结构式为(TbxEu1‑x·8DMSO)BiX6，其中0≤x≤1,X为Cl‑...; 王娟王珊萍郭枫晚杨创陈雯雯林芳陈蓉

用于高工作温度的具有钙钛矿结构的压电材料及其制造方法: 本发明涉及一种具有钙钛矿结构的化合物，其基础组成为AgxBiyMzFevNwO3，其中x...; 西尔维奥·加布伦茨迈克尔·厄特尔蒂莫·肖勒瓦尔

一种钙钛矿结构混合离子-电子导体材料及其在锂电池中的应用: 一种钙钛矿结构混合离子‑电子导体材料及其在锂电池中的应用，属于锂电池技术领域。该材料通式为LiαSrβXxTa1‑y‑zY...; 高健高祺杭

制备钙钛矿结构的方法: 本发明涉及一种在衬底表面上制备钙钛矿结构的方法，其中所述钙钛矿具有ABX3的一般结构，其中A至少部分地为有机化合物，并且其中所述方法使用不含卤离子的有机化合物源。获得了所得钙钛矿改善的光伏性质，并且...; F·拉尔松E·沃林O·伦德伯格

B位掺杂提升CsSnI_(3)钙钛矿结构和电荷稳定性的第一性原理研究: 2025年; 全无机CsSnI_(3)钙钛矿拥有理想的带隙宽度(1.3 eV),光电转化效率理论峰值达到33%.目前CsSnI_(3)太阳能电池的发展受制于的CsSnI_(3)的结构不稳定性和Sn^(2+)易被氧化为Sn^(4+)的问题.研究基于第一性原理,详细探讨了一系列金属元素对CsSnI_(3)进行B位掺杂改性的方案,旨在提升CsSnI_(3)结构稳定性,并抑制CsSnI_(3)中Sn^(2+)被氧化为Sn^(4+)的问题.计算结果表明,在CsSnI_(3)钙钛矿B位掺杂三价金属Sb、Bi能够阻碍CsSnI_(3)相变生成Cs_(2)SnI_6,并且抑制Sn^(2+)的氧化;尤其在晶格中存在锡空位缺陷时,Sb、Bi掺杂对于Sn^(4+)形成的抑制效果更为显著.同时,低浓度的Sb、Bi掺杂不会改变CsSnI_(3)的直接带隙特性,且带隙宽度变化较小,因此能够在维持CsSnI_(3)优良光电活性的基础上进一步提高结构和电荷的稳定性.研究结果为实现高效且稳定的CsSnI_(3)钙钛矿太阳能电池提供了重要的理论指导.; 赵思健葛治中杨旭东; 关键词：第一性原理相稳定性电子结构

一种新型钙钛矿结构氢化物材料及其制备方法: 本发明公开了一种新型钙钛矿结构氢化物材料及其制备方法，属于含能材料技术领域。用于解决现有的钙钛矿氢化物材料样品种类少、氢含量较低的问题。本发明的新型钙钛矿结构氢化物材料的化学式为AeNiH3，其中A...; 张俊王国东王泽龙赵建发望贤成靳常青

一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法: 本发明提供一种基于钙钛矿结构的红光激光器及其制备方法，属于半导体量子点激光器领域。本发明红光激光器由下至上依次包括：反射层、P面电极、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层和N面电极；反射层是由HfO2</SUB...; 吴德华刘斌赵军华刘琦任夫洋苏建

具有双钙钛矿结构的Ca_(2)GdSbO_(6):Er^(3+)荧光粉的光致发光及其温敏特性研究: 2025年; 采用高温固相法制备了Ca_(2)Gd_(1-x)SbO_(6):xEr^(3+)荧光粉,并利用常温激发、发射光谱和变温发射光谱对其光谱性能以及温度敏感性进行了研究.研究表明:Ca_(2)GdSbO_(6):Er^(3+)荧光粉在379nm激发下产生较强的绿色发射和较弱的红色发射,分别对应Er^(3+)的^(2)H_(11/2)/^(4)S_(3/2)→^(4)I_(15/2)跃迁以及^(4)F_(9/2)→^(4)I_(15/2)跃迁.光致发光强度(PLE)与Er^(3+)离子的掺杂含量有关,当Er^(3+)的掺杂含量为0.07时,样品的光致发光强度达到最大值.浓度猝灭机制主要为最近邻离子相互作用,其临界距离为1.504nm.基于^(2)H_(11/2)和^(4)S_(3/2)这两处热耦合能级发射强度随温度的变化研究了样品的温度敏感性,当温度达到480K时^(2)H_(11/2)和^(4)S_(3/2)能级的发射强度分别为室温下的1.34倍和33%.样品的最大绝对灵敏度为0.009K^(-1),最大相对灵敏度为1.40%K^(-1).上述结果说明Ca_(2)GdSbO_(6):Er^(3+)荧光粉有潜力应用于荧光测温领域.; 金煜浛田莲花; 关键词：双钙钛矿荧光粉

一种温度稳定型钙钛矿结构高温压电陶瓷材料及其制备方法: 一种温度稳定型钙钛矿结构高温压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3‑yBiScO<S...; 赵海燕

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