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- 金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括由金属形成的栅极和与栅极形成肖特基接触的由半导体材料形成的沟道区，所述栅极内设有通孔，所述沟道区至少部分位于所述通孔内。与现有技术相比，本发明在金属半导体场效应晶体管中形成一个全...
- 肖德元季明华
- 金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括由金属形成的栅极和与栅极形成肖特基接触的由半导体材料形成的沟道区，所述栅极内设有通孔，所述沟道区至少部分位于所述通孔内。与现有技术相比，本发明在金属半导体场效应晶体管中形成一个全...
- 肖德元季明华
- 一种具有三种区域的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明提供了一种具有三种区域的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，源极帽层(4)和漏极帽层(5)，源电极(6)和漏电极(7)，栅电极(8)，轻...
- 贾护军董梦宇王笑伟朱顺威杨银堂
- 一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层的上方分别为源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极...
- 贾护军董梦宇王笑伟朱顺威杨银堂
- 一种具有对称阶梯氧埋层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明提供了一种具有对称阶梯氧埋层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；包括：4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、第一对称阶梯氧埋层(3)和第二对称阶梯氧埋层(4)、N型沟道层(5)；本发明由于对称阶梯状的氧...
- 朱顺威贾护军董梦宇王笑伟杨银堂
- 具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明公开了具有栅边缘漏侧部分轻掺杂的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的上表面两侧设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层上表面设有源电极，漏极帽层上表面...
- 贾护军李涛仝宜波朱顺威胡梅赵玥阳杨银堂
- 一种金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括：衬底层；第一缓冲层，第二缓冲层，外延层，沟道层，第三缓冲层，电极层；电极层包括源电极层、栅电极层和漏电极层；源电极层包括源电极和源极帽层，栅电极层包括栅电极和第三缓冲层，漏电极...
- 陶临钢韩丹惠
- 一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有多凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；目的在于提高场效应晶体管的击穿电压和跨导参数，改善直流特性。采用的技术方案为：自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓...
- 贾护军吴秋媛杨银堂柴常春
- 一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有栅下局部低掺杂的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面设有源电极，漏极帽层表...
- 贾护军仝宜波李涛朱顺威胡梅赵玥阳杨银堂
- 一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上...
- 贾护军马培苗杨志辉柴常春
