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- 超薄SOI/SGOI衬底上的超高速Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管
- 一种硅和硅锗基半导体MODFET器件设计以及制造方法。此MODFET设计包括高迁移率层结构,能够超高速、低噪声用于包括RF、微波、亚毫米波、以及毫米波的各种通信用途。外延的场效应晶体管层结构包括组合硅和硅锗层的高迁移率应...
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- 大跨导n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管
- 1993年
- 报道了第一支0.25μm栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果。器件用于超高真空/化学汽相淀积(UHV/CVD)制作的器件,在300K(77K)下,应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500(9500)cm^2/V·s和2.5×10^(12)(1.5×10^(10))cm^(-2)。器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm。这些值远优于Si MESFET,它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。
- K.Ismail
- 关键词:场效应晶体管调制掺杂
- InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管研究
- 1992年
- 从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,得到了不同偏压下器件内部电势分布和电子浓度分布。在上述理论的指导下,设计了我们所需要的器件纵向和横向结构,并对设计器件的直流特性进行了计算机辅助分析。最后叙述了利用国产Ⅳ型MBE设备生长的材料制作出MODFET的工艺过程,并对器件的直流特性和射频特性进行了测试和分析。直流测试表明,器件的最大饱和电流密度为125mA/mm,最大非本征跨导达250mS/mm;射频测试得到器件(L_g=1.0~1.2βm,W_g=150μm)的特征频率f_T为26GHz,最高振荡频率f_(max)为43GHz。
- 敖金平曾庆明
- 关键词:调制掺杂场效应晶体管INALAS
- 调制掺杂场效应晶体管的直流特性
- 1990年
- 对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。
- 朱旗
- 关键词:场效应晶体管调制掺杂直流特性
- 应变层InGaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管被引量:1
- 1989年
- 应变层InCaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管是利用在InGaAs,AlGaAs界面处存左高电子迁移率的二维电子气的原理制成的新式场效应器件。本文论述了调制掺杂扬效应晶体管的工作原理和基本结构,对比了AlGaAs/CaAs、InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs三种结构的调制掺杂场效应管的优劣,指出后者的电流增益截止频率已达到100GHz,器件的设计功率增益频率范围高达400GHz。
- 邓生贵张晓玲
- 关键词:场效应晶体管掺杂
- 内嵌InAs量子点的调制掺杂场效应晶体管特性研究
- 自组织生长的量子点是一种零维纳米结构,其可以对电子或者空穴在三维方向上进行限制并且易于与Ⅲ-Ⅴ族器件集成,近年来在固体物理和量子器件工程领域引起了人们极大的兴趣。内嵌自组织In(Ga)As/GaAs量子点的调制掺杂结构由...
- 李越强
- 关键词:INAS量子点分子束外延场效应晶体管负微分电阻电流振荡