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衬底处理装置
本发明涉及一种衬底处理装置、载具搬送方法及载具缓冲装置。载具搬送机构(51)在2个开启机构(9、10)的载置台(13)与多个载具保管架(53)之间搬送载具(C)。多个载具保管架(53)及载具搬送机构(51)分别搭载在第1...
桑原丈二
衬底处理方法
本发明的衬底处理方法是对在表面具有金属层、及层叠在金属层上的硬掩模的衬底进行处理。该方法包括下述工序：对从硬掩模露出的金属层进行干式蚀刻而图案化；对由干式蚀刻而产生在衬底的表面的残渣照射紫外线；以及在紫外线照射后，通过湿...
中野哲平国通·乐
衬底处理装置
本发明涉及一种衬底处理装置。所有处理单元中，处理室、药液配管空间及排气室沿着搬送空间排列配置，且从搬送空间侧观察时，在处理室的一侧配置着药液配管空间，并以隔着处理室与药液配管空间对向的方式配置着排气室。由于排气室隔着处理...
泽岛隼山口贵大小林健司
衬底处理装置
本发明的目的在于提供一种能够适当地排出处理壳体的气体的衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备处理壳体(23A1)、保持部(31)及液体供给部(33)。保持部(31)收容在处理壳体(23A1)中。保持部(31)保持衬底(W)...
泽岛隼山口贵大宫川纱希小林健司
衬底处理方法
提供了一种通过重复循环在反应室中的衬底的凹部上形成保形膜的方法，该循环包括形成第一膜，其包括供应硅源和反应物，并在供应硅源和反应物的同时从电源单元向反应室施加第一功率，通过在供应反应物的同时从电源单元向反应室施加第二功率...
千承珠S·韩
衬底装载装置
提供了衬底装载装置，包括：侧表面固定部分，包括侧表面凹槽，待装载的衬底的在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面插入到侧表面凹槽中，并且侧表面固定部分在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及基础固定部分，包括基础凹槽，...
林熙成
衬底处理系统
本发明的衬底处理系统具备设置着架的移载装置、批量处理装置及单片处理装置。移载装置、单片处理装置及批量处理装置依次呈直线状配置成一列。批量处理装置例如具备第1批量搬送机构，所述第1批量搬送机构向批量处理槽一次搬送多片衬底。...
岩崎旭纮冨田毅谷口进一
衬底处理方法
提供了一种通过PEALD形成低k膜的方法。在一实施例中，供应第一硅前体，接着供应第二硅前体，以形成硅前体层。然后供应氧化剂以形成氧化硅膜。该方法还包括后处理，以便从膜中去除水分。根据本公开的方法能够在凹部结构上形成具有期...
安达涉
衬底处理装置
衬底处理装置具备第1搬送机构、第2搬送机构、中间搬送机构、第1中间部、第2中间部及控制部。中间搬送机构配置在第1搬送机构与第2搬送机构之间。第1中间部配置在第1搬送机构及中间搬送机构能够搬送衬底的第1重叠区域内。于第1中...
桑原丈二
衬底结合装置
本实用新型提供了一种衬底结合装置，涉及封装技术领域，衬底结合装置包括基底治具和盖合治具，基底治具上设置有容纳槽，容纳槽的中部设置有用于适配承载衬底载板的承载台，盖合治具盖合在基底治具上，且盖合治具上设置有多个研磨滚轮，多...
何正鸿王顺波魏宇晖
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供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
李晋闽
作品数：885被引量：528H指数：10
供职机构：中国科学院半导体研究所
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