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一种手性自旋极化圆偏振光电器件、制备与应用
一种手性自旋极化圆偏振光电器件、制备与应用,属于光电子器件技术领域。具体通过在半导体表面引入手性分子,利用手性结构诱导的自旋极化以实现识别光偏振态的目标。手性分子在表面将通过自旋交换相互作用产生类Rashba自旋轨道耦合...
王晓蕾张钰赵紫荆杜娟
一种自旋极化交流电致发光器件、发光面板和应用
本发明涉及光电技术领域,其公开了一种自旋极化交流电致发光器件,其自下而上包括基底1、下方的电极层2、下方的介质层3、空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8、上方的介电层3、上方的电极层2和保护层...
刘艺彬常帅
一种基于光磁调控的核自旋极化率快速自稳方法
本发明涉及一种基于光磁调控的核自旋极化率快速自稳方法,该方法利用系统中的光、磁与原子相互作用,采用闭环控制方法,综合操纵光场、磁场以快速自动的实现原子系综极化的动态平衡。可通过提高抽运率与弛豫率的比值,使装置在启动过程中...
范文峰高航袁琳琳全伟
碱金属原子气室中自旋极化态的高时空分辨调制方法
2025年
原子自旋成像技术对气室内温度分布、旋光角检测以及镀膜抗弛豫特性测量至关重要,其关键在于精确捕捉并解析原子自旋极化的复杂时空动态特性,这些特性直接关系到磁强计带宽的扩展及磁梯度检测的灵敏度提升.传统的气室内分割成像方法因静态特性限制,无法实时捕捉原子自旋极化态的动态演变过程,制约了量子测量仪器的性能提升.针对这一挑战,本研究提出了一种实时调控原子自旋极化态的碱金属原子气室动态自旋成像方法,在空间分布上实时控制光束阵列中不同位置激光束的连续通断;在时间序列上控制光束阵列中每束光的通断频率变化,从而生成具有特定空间分布和频率特性的激光,分别与气室内部不同位置的碱金属原子相互作用,诱导原子自旋极化程度的变化.通过对激光特性的精细调节,当泵浦光的调制频率与原子在磁场中的拉莫尔频率相匹配时,原子自旋极化达到最大值,系统处于共振状态;当调制频率与拉莫尔频率不匹配时,原子自旋极化程度降低.通过这种频率调制方法实现了对原子自旋极化状态地动态操控.实验结果表明,该方法达到95.9μm的空间分辨率和355帧的时间分辨率,显著优于传统静态自旋成像方法.此方法增强了对原子自旋极化动态特性的认知,能更精确地观测并分析磁场分布的动态特征,从而为量子仪表性能的进一步优化提供坚实的实验依据与有力支持.
马东辉贺欣欣滑泽宇李艳君董海峰温焕飞菅原康弘唐军马宗敏刘俊
关键词:自旋极化时空调制
利用原子在圆偏振激光场中的强场电离产生自旋极化电子
2025年
圆偏振激光场中原子的非绝热强场电离为产生自旋极化电子提供了机会.我们应用这些解析电离速率公式[Ingo Barth and Olga Smirnova,Phys.Rev.A 88,013401(2013)]更系统地研究了通过Kr和Xe原子在右旋圆偏振激光脉冲中的强场电离产生自旋极化电子,并证实了不同自旋态的光电子能量分布有很大差异、电子的自旋极化敏感地依赖于光电子能量.另外,在光电子能谱的低能部分其自旋极化可以达到100%,并且通过调节激光强度和频率可以很好地控制能量积分的自旋极化.
王中元高轩鸿景文泉杜进旭赵松峰
关键词:自旋极化电子
一种用垂直自旋极化自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法
本发明公开了一种用垂直自旋极化自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法。它由下至上依次包括基片、强自旋轨道耦合层和磁化层;强自旋轨道耦合层包括如下材料中的至少一种制成:重金属材料、拓扑绝缘体材料、兼具亚晶格中心反演...
宋成周效枫陈贤哲白桦潘峰
空位缺陷硅烯纳米带结构与自旋极化电子性质的密度泛函紧束缚研究
2025年
随着纳米电子器件和自旋电子学的不断发展,对小尺寸的纳米硅材料物理和化学性质的研究是研发新型微电子材料器件的基础.硅烯纳米带在实验制备和理论研究中均备受关注.本研究利用基于自洽电荷的密度泛函理论紧束缚方法,研究了不同宽度的硅烯纳米带的结构、稳定性和自旋极化电子性质.研究发现,稳定的完美和带有空位缺陷的硅烯纳米带表现为带有曲翘褶皱的蜂窝结构.纳米带边缘的曲翘度大于中心位置.空位缺陷更容易出现在纳米带边缘.纳米带的宽度可实现完美的硅烯纳米带的半导体性质和金属性之间的转换.硅烯纳米带中出现空位缺陷可有效调控纳米带自旋电子性质从半导体向金属性转变、半导体向半金属性转变,及金属性向为半导体或者半金属性质的转变.这种自旋电子性质的调控手段使得该种纳米材料在纳米电子自旋器件上有着潜在的应用价值.
扶锦云吴丽君王爽迟中钰刘亚
关键词:空位缺陷
一种单NV色心中电子和核自旋极化的方法及其实现装置
本发明涉及一种单NV色心中电子和核自旋极化的方法及其实现装置,本发明提供的极化方法可以同时实现单个NV色心中电子自旋和核自旋极化极化率可达95%以上。极化过程无需使用NV系综标定磁场角度,磁场大小与方向通过调节磁体位...
逯鹤陈思齐
一种自旋极化耦合的GaN二极管
本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN二极管,包括GaN SBD完整外延结构,其表面设有阴极金属、阳极结构和二极管隔离区;所述GaN SBD完整外延结构自下而上依次包括衬底、成核层及高阻缓冲层、n++重掺杂层和n‑轻掺杂层...
吴少兵代鲲鹏葛建雷于永洲章军云
具有窄自旋极化层的自旋电子装置
在一个实施例中,一种写头包含主极。晶种层位于所述主极上方。自旋极化层(SPL)位于所述晶种层上方。间隔物层位于所述SPL上方。后屏蔽物位于所述间隔物层上方。所述间隔物层在所述间隔物层与所述后屏蔽物之间形成第一接口且在所述...
J·M·弗赖塔格高征冈村进安容彻A·彭特克A·贝尔

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全伟
作品数:432被引量:190H指数:7
供职机构:北京航空航天大学
研究主题:气室 陀螺仪 碱金属 原子磁强计 弛豫
吴雅苹
作品数:51被引量:10H指数:2
供职机构:厦门大学
研究主题:铁磁金属 极化率 自旋 旋光效应 旋光
陆同兴
作品数:92被引量:173H指数:9
供职机构:安徽师范大学物理与电子信息学院原子与分子物理研究所
研究主题:CIDEP 光解 自由基 电子自旋极化 化学诱导动态电子极化
康俊勇
作品数:247被引量:132H指数:6
供职机构:厦门大学
研究主题:ALGAN 深紫外 铁磁金属 衬底 超晶格
刘义保
作品数:178被引量:517H指数:12
供职机构:东华理工大学
研究主题:铀 U 蒙特卡罗模拟 自旋极化电子 纳米零价铁