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脉冲激光沉积法制备YSZ薄膜的导电机制: 2024年; YSZ薄膜氧气传感器的微型化和高灵敏度是其未来的发展趋势,厘清氧离子在薄膜中的输运机制是提高氧气传感性能的关键。鉴于此,本研究采用脉冲激光沉积技术在单晶Si(100)衬底上制备了YSZ薄膜,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等技术研究了薄膜制备工艺对其成分、结构和导电特性的影响。研究结果显示YSZ薄膜结构呈多晶立方相,退火温度对YSZ薄膜的性质有显著的调控作用。一方面,高温退火使薄膜的平均晶粒尺寸显著增大,因而能大幅提高薄膜的电导率;另一方面,退火又调控了薄膜中的Zr、Y、O元素的含量比,且当O含量增加时,薄膜的电导率降低。此外,本研究还表明,YSZ薄膜经高温退火(T≥1073 K)后,呈现典型固体电解质的离子导电特性。进一步地,在313 K至873 K范围内,YSZ薄膜具有两个温度拐点,预示其存在三种导电机制。经计算,YSZ薄膜在高温段的激活能与文献报道相符。本研究对脉冲激光沉积制备特定需求的YSZ薄膜提供了一定的技术参数。; 张靖松曹林洪王进王进蒋玉苹唐维; 关键词：脉冲激光沉积 YSZ薄膜退火温度

脉冲激光沉积法制备Ga掺杂ZnO薄膜结构、光学和电学性能研究: 2024年; 为探究掺杂含量及薄膜厚度对Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜各性能的影响,利用脉冲激光沉积法在MgO衬底上制备一系列Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜。X射线衍射结果表明,所有薄膜均沿z轴择优生长,结晶质量和透光率随掺杂含量的增加而降低。Ga掺杂含量为3%的薄膜获得最佳电学性能。薄膜结晶质量随厚度增加而提高,在250 nm获得最低电阻率1.34×10^(-4)Ω·cm和最高迁移率26.48 cm^(2)/Vs。3%组分不同厚度的薄膜可见光范围内光透过率均高于80%。Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜是替代传统铟锡氧化物的良好候选材料。; 周同杨晓漫刘亲壮; 关键词：脉冲激光沉积电学性能 X射线衍射

氧气压强对脉冲激光沉积法制备的CuO薄膜性能的影响: 2023年; 采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明:在氧压为3×10^(-3)Pa,3~5Pa,和8~12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu_(2)O相、混合Cu_(2)O/CuO相和单一CuO相;当氧压从5Pa增加到8Pa时,CuO薄膜的取向从(111)变化到(002);霍尔测试表明,在3~5Pa下沉积的CuO薄膜为p型,而在8~12Pa下沉积的薄膜为n型;氧气压强为5Pa时,薄膜电阻率较小,载流子浓度最大。; 向玉春朱建雷袁亚; 关键词：半导体脉冲激光沉积法电学性能光学性能

脉冲激光沉积法沉积铌酸铋镁薄膜及其特性研究: 能源领域相关的问题一直广受关心,如能源的开发、利用以及能源的存储。常用的储能器件有超级电容器、电介质电容器和燃料电池等。电介质薄膜电容器具有循环寿命长、功率密度高、体积小的优点,更容易实现设备的小型化。本文采用脉冲激光沉...; 项志强; 关键词：脉冲激光沉积介电性能

基于脉冲激光沉积法铜锌锡硫基薄膜太阳电池研制: 锌黄锡矿结构的铜锌锡硫(Cu2Zn Sn S4,CZTS)因其具备无毒无害、元素储量丰富、光吸收系数大(>0 4 cm-0)及带隙可调(0.5-2.0 e V)等优点,被认为是非常有前景的环境友好型薄膜太阳电池的光吸收材...; 吴桐; 关键词：光电转换效率脉冲激光沉积薄膜太阳电池

脉冲激光沉积法制备阳离子掺杂的CZTS/Bi2S3异质结及其光电性能研究: 近年来，Cu2ZnSnS4（CZTS）凭借其优良的光电性能和低廉的制备成本受到科研工作者们广泛的关注和研究。本研究采用室温脉冲激光沉积技术（PLD）生长CZTS薄膜，通过阳离子掺杂改善CZTS中的反位缺陷;并与电子传输材...; 贾瑞彬; 关键词：硫化铋脉冲激光沉积异质结

脉冲激光沉积法制备WO3的光电同步响应氢敏性能研究: 氢气不仅在化工、半导体、冶金、民用燃气等领域具有广泛应用,而且洁净可再生的属性使其在新能源领域也具有举足轻重的地位。然而氢气同时也是一种易燃易爆的气体,因此在氢气的生产、运输、存储、应用等诸多环节都需要对氢气的泄露进行快...; 魏杰; 关键词：WO3 气体传感器

脉冲激光沉积法制备Mn-Co-Ge-Si薄膜的研究被引量：2: 2022年; Mn-Co-Ge基块体合金具有优异的磁热性能,但由于磁结构耦合特性,导致在进行磁热转换时合金块材容易发生碎裂。将块材样品制备成薄膜状态是目前提高其韧性的重要手段之一。本文采用脉冲激光沉积技术制备出Mn-Co-Ge-Si薄膜样品,研究衬底种类以及热处理工艺等因素对薄膜晶体结构以及表面形貌的影响。实验结果表明,Mn-Co-Ge-Si薄膜可在具有同样六方结构的蓝宝石Al2O3衬底上择优取向生长,且薄膜表面平整致密。该薄膜磁热材料的成功制备拓宽了磁热材料在磁制冷领域的应用范围。; 高鑫钱凤娇杨浩; 关键词：磁相变磁热性能

脉冲激光沉积法生长薄层WS2/SiC薄膜的光学性质研究: 近年来，以石墨烯为代表的二维材料因其具有独特的物理、化学、光电性能以及广泛的应用前景而备受关注。其中以过渡金属硫化物(Transition Metal Dichalcogenides缩写为TMDs)为代表的二维(2D)材...; 马玉珂; 关键词：碳化硅脉冲激光沉积法光电性质

脉冲激光沉积法制备的单层MoS_(2)薄膜变温光响应研究被引量：2: 2021年; 报导了在c-Al_(2)O_(3)衬底上用脉冲激光沉积法制备MoS_(2)薄膜,并测试了其不同温度下的光响应。通过拉曼散射光谱和X射线衍射光谱证明了所制备的二硫化钼为纯2H相。通过X光电子能谱证明了所制备的二硫化钼硫钼原子比为1.92:1,在Mo元素的3d核心能级谱中存在红移和蓝移,说明薄膜中存在氧化和硫缺陷。此外,通过拉曼和光致发光分布图,证明了薄膜具有良好的均一性。在不同层数的二硫化钼样品中,单层二硫化钼样品具有最强的光响应,达到3 mAW^(−1)。单层二硫化钼的变温光响应实验表明,在室温附近,温度升高会提高二硫化钼的光响应强度和响应时间。; 谢明章李留猛李明叶艳张金中姜凯商丽燕胡志高胡志高; 关键词：脉冲激光沉积光致发光光响应

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