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结型场效应管
本实用新型公开了一种结型场效应管，包括：P型衬底；P型衬底上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区；第一N型轻掺杂区两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区和作为源极的第二N型重掺杂区；第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间设...
任留涛李菲禹久赢
结型场效应管
本实用新型提供一种结型场效应管。包括第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、芯片和塑封体，芯片上具有D极、S级和G极，三个引线脚对应地连接在芯片的对应极上后，封装固定在塑封体内，芯片的正面设有D级和S级，和D极焊球、S极焊球...
曹燕军金银龙徐青青
一种新型结型场效应管
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种新型结型场效应管，包括：设置于同一P型外延上的JFET、寄生PNP管和寄生高压二极管；PNP管的基极和发射极短接JFET的源极，PNP管的集电极连接JFET的bulk端，高压二极管...
赵克翔
结型场效应管控制型RC-IGBT器件及其制备方法
本发明提供一种结型场效应管控制型RC‑IGBT器件及其制备方法，器件包括：依次层叠的金属集电极、集电区、N型漂移区、P阱、N型载流子阻挡层、P型基区、N型发射区和金属发射极；主控制栅极结构，自P型基区延伸至N型漂移区中；...
徐涛
一种碳化硅结型场效应管
本实用新型公开的一种碳化硅结型场效应管，属于场效应管技术领域；包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅衬底部设置漏极导电层，N型碳化硅外延层顶部两侧设置有P+注入区，P+注入区内设置N+注入区，P+注入区顶部...
胥超 陈智 刘宏森
一种结型场效应管的建模方法及其模型
本发明提出一种结型场效应管的建模方法及其模型，以开源的结型场效应管的Verilog‑A模型为基础，从所述的Verilog‑A模型中获取所述结型场效应管的漏源电压；以所述漏源电压为自变量，以所述结型场效应管的夹断电压为因变...
王飞 蒋盛烽
结型场效应管控制型RC-IGBT器件及其制备方法
本发明提供一种结型场效应管控制型RC‑IGBT器件及其制备方法，器件包括：依次层叠的金属集电极、集电区、N型漂移区、P阱、N型载流子阻挡层、P型基区、N型发射区和金属发射极；主控制栅极结构，自P型基区延伸至N型漂移区中；...
徐涛
一种碳化硅结型场效应管、集成器件及其制备方法
本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种碳化硅结型场效应管、集成器件及其制备方法。所述碳化硅结型场效应管包括：第一导电类型阱区，设置在漂移区中，所述漂移区中还设置有第一导电类型深阱区，所述第一导电类型深阱区内设置有第...
张弛祖健唐峰辉陈飞鹭王钦祝靖李海松
核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法
本发明公开了一种核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层，作为后续的漏端欧姆接触层，再继续外延核壳式纳米柱状p‑n结，内层n‑GaN为沟道层，...
邵鹏飞郭慧陈敦军谢自力
一种碳化硅结型场效应管、集成器件及其制备方法
本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种碳化硅结型场效应管、集成器件及其制备方法。所述碳化硅结型场效应管包括：第一导电类型阱区，设置在漂移区中，所述漂移区中还设置有第一导电类型深阱区，所述第一导电类型深阱区内设置有第...
张弛祖健唐峰辉陈飞鹭王钦祝靖李海松
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赵圣哲
作品数：109被引量：0H指数：0
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作品数：188被引量：27H指数：4
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作品数：4,983被引量：7,060H指数：42
供职机构：电子科技大学
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作品数：201被引量：7H指数：2
供职机构：杭州士兰微电子股份有限公司
研究主题：开关电源 电路 LED驱动电路 开关电源控制器 高功率因数
刘新科
作品数：167被引量：34H指数：3
供职机构：深圳大学
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