搜索到589篇“ 纳米电子器件“的相关文章
- 纳米电子器件被引量：3
- 1998年
- 评述了纳米电子器件的理论及应用意义、研究领域和最新进展。
- 薛增泉
- 关键词：纳米电子器件量子线量子点单电子晶体管
- 一种超快纳米电子器件及逻辑电路
- 本发明公开了一种超快纳米电子器件及逻辑电路，应用于半导体器件技术领域，包括：CMOS集成兼容的半导体基底；位于半导体基底一侧表面的绝缘介质层；位于绝缘介质层背向半导体基底一侧表面的导电功能层；导电功能层包括导电电极对，导...
- 李男男罗毅
- 碳化硅真空纳米电子器件技术分析
- 2024年
- 新兴的真空纳米电子器件兼具固态器件集成电路和传统真空电子器件的优势。但和硅器件同工艺、同片集成的现状,限制了其在恶劣环境的应用。使用宽禁带半导体碳化硅材料制备真空纳米电子器件,可在耐辐射基础上兼具抗高温特性,使该器件具备良好的综合优势。文章分析了硅器件及集成电路发展中面临的问题,回顾了真空纳米电子器件的发展历史,介绍了碳化硅材料的相对优势以及SiC基真空纳米电子器件研究现状,并对该器件发展及应用前景进行了分析。
- 任大鹏李兴辉韩攀阳仲子琪
- 关键词：碳化硅真空器件抗温抗辐射
- 二维纳米电子器件光电输运性质的理论研究
- 近年来,随着纳米技术的快速发展,追求微型化和低能耗的器件已成为纳米电子器件研究的热点。特别是自2004年成功从石墨中剥离出石墨烯以来,二维材料得到迅速的发展,如黑磷、碳化硅以及过渡金属硫化物等陆续问世。这些材料凭借其独特...
- 杨雅卿
- 关键词：量子输运第一性原理计算
- 二维材料原子层数的精确判别及相关纳米电子器件研究
- 张葆青
- 一种片上集成的超快纳米电子器件及其制备方法
- 本发明公开了一种片上集成的超快纳米电子器件，通过将SOI衬底划分出高电流超快器件区域、低功耗超快器件区域和互连区域，在对电流要求较高的区域设置立体型纳米空气沟道电子管，在对电流要求较低的区域，通过平面型纳米空气沟道电子管...
- 李男男罗毅
- 一种基于F-SRU网络的纳米电子器件内部微结构快速检测方法
- 本发明公开一种基于F‑SRU网络的纳米电子器件内部微结构快速检测方法，包括以下步骤：步骤1：针对各类纳电子器件，在给定的电子束工作条件以及物理参数条件下，采用数值计算获得不同微结构对应的二次电子电流、电子束感生电流，形成...
- 张军
- 硅基纳米电子器件中单铒离子光电离探测的动力学过程
- 硅基量子计算拥有与半导体集成芯片工艺兼容、硅基纳米电子器件稳定性好等优势,是量子信息领域的一个重点研究方向。近年来,硅基纳米电子器件中的光学中心,因其在可扩展量子计算和精密测量方向的潜在应用受到关注,例如:利用光学中心的...
- 张阳博
- 关键词：稀土离子
- 碳基纳米电子器件和集成电路分析被引量：1
- 2022年
- 碳基纳米材料以其在光电特性、耐热性、耐辐射性、耐化学药品特性等方面的优越性得到了人们广泛关注,积极探索碳基纳米材料并将其科学、合理应用到各领域中对促进各领域快速发展存在积极影响。文章则在既有研究成果分析基础上,就碳基纳米电子器件与集成电路研究现状进行了探讨,并对碳基纳米电子器件与集成电路应用表现进行了简要阐述,同时点明其发展过程中存在的技术挑战,包括性能方面的挑战、成本方面的挑战、相关标准方面的挑战等,旨在为碳基纳米技术深入研究提供指导,促进碳基纳米技术优化发展。
- 常超
- 关键词：碳基纳米材料电子器件集成电路半导体
- 一种片上集成的超快纳米电子器件及其制备方法
- 本发明公开了一种片上集成的超快纳米电子器件，通过将SOI衬底划分出高电流超快器件区域、低功耗超快器件区域和互连区域，在对电流要求较高的区域设置立体型纳米空气沟道电子管，在对电流要求较低的区域，通过平面型纳米空气沟道电子管...
- 李男男罗毅
相关作者
- 刘明
- 作品数：1,382被引量：412H指数：11
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
- 龙世兵
- 作品数：330被引量：122H指数：7
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
- 张政军
- 作品数：116被引量：29H指数：3
- 供职机构：清华大学
- 研究主题：表面增强拉曼 表面增强拉曼散射 痕量有机物 纳米棒阵列 硅基底
- 贾锐
- 作品数：244被引量：69H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：太阳能电池 太阳电池 背接触 探测器 N型
- 李维龙
- 作品数：60被引量：7H指数：1
- 供职机构：华东电子工程研究所
- 研究主题：微电子工艺 浮栅 纳米晶 单电子器件 蒸发
