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红外发光二极管被引量：1
1999年
方捷
关键词：红外发光二极管
红外发光二极管外延结构及其制备方法
本发明提供了一种红外发光二极管外延结构及其制备方法，其中所述红外发光二极管外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层、应力释放层以及第二型半导体层，所述应力释放层为组分渐变的结构层。...
廖寅生李森林毕京锋
基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红/近红外发光二极管
基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红/近红外发光二极管，属于二极管技术领域。本发明通过调节偏心距离、吸盘转速、溶剂体系等因素，调整水平偶极子分子取向比，使用溶液法低成本制备出波长可控的性能优异的有机深红/近红外发光二...
翟天瑞宋宁宁梁宁宁
近红外发光二极管及包括近红外发光二极管的装置
本申请涉及包括含锇(Os)的有机金属化合物的近红外发光二极管和包括所述近红外发光二极管的装置。所述近红外发光二极管包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括近红外发光层，所...
金明淑姜宣宇高秀秉芮志明俞炳旭赵一薰
一种红外发光二极管
一种红外发光二极管（10），其特征在于，具备：半导体发光系列（2），该半导体发光系列（2）具有交替地层叠有阱层（011）和垒层（012）的量子阱结构的活性层（006）、夹持所述活性层（006）的第1波导层（005）和第2...
蔡均富萧至宏
一种红外发光二极管和发光装置
本发明公开一种红外发光二极管和发光装置，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层自第一表面至第...
白景奇冯彦斌王进郭桓卲蔡坤煌吴超瑜王笃祥彭钰仁
红外发光二极管、封装体和发光装置
本发明公开红外发光二极管，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括依次堆叠的量子阱层和量子垒层，所述...
高文浩冯彦斌丘建生吴超瑜王笃祥
一种红外发光二极管封装结构及封装方法
本发明公开了一种红外发光二极管封装结构，包括：封装壳、反光斜面、芯片，芯片设置于反光斜面上，反光斜面上及芯片外设置有封装壳。该封装结构的封装方法，包括：将绝缘层贯穿，使得引线固定于绝缘层被贯穿处；将反光斜面固定于绝缘层上...
李少飞 陈健平 周伟伟 刘钱兵 杨凯
一种深红-近红外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法，其中深红‑近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、深红‑近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴注入层采用有机注入材...
郭坤平丑幸幸唐喆周桐闫夏星薛涛张方晖
硅基锗铅红外发光二极管及其制备方法
本公开提供了硅基锗铅红外发光二极管及其制备方法，涉及硅基光电技术领域。硅基锗铅红外发光二极管，包括：硅衬底，设置有N区和P区，所述N区和所述P区分别位于所述硅衬底表面的不同区域且之间存在间隔；锗铅纳米片，设置在所述N区和...
刘香全 黄秦兴郑军 崔金来刘智左玉华成步文
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石践
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供职机构：汉王科技股份有限公司
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作品数：53被引量：41H指数：4
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研究主题：行星减速器 力学特性 踝足矫形器 扭矩传感器 电机驱动器
包军林
作品数：104被引量：221H指数：10
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：噪声 低频噪声 辐照 MOSFET 虚拟仪器
刘亚锋
作品数：24被引量：1H指数：1
供职机构：陕西群力电工有限责任公司
研究主题：固体继电器 红外发光二极管 管壳 金属 印制电路板设计