搜索到45篇“ 离子束外延“的相关文章
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- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
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- 离子束外延技术与新材料研究
- 介绍了离子束外延(Ion-Beam Epitaxy,IBE)技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究被引量：4
- 2005年
- 介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy,IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法。以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子,通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、沉积剂量与配比及生长温度,在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延。文中除了对新方法的技术特点、实施方式和应注意的关键技术进行了阐述,还结合CeO2,Gd2O3,GdxSi1-x等薄膜的制备研究,讨论了离子的束流密度、剂量配比、能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响。
- 杨少延柴春林周剑平刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 关键词：IBE
- 离子束外延制备GaAs:Gd薄膜被引量：1
- 2004年
- 室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。
- 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯
- 关键词：GAAS衬底
- 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究被引量：1
- 2003年
- 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
- 宋书林陈诺夫周剑平柴春林杨少延刘志凯
- 关键词：退火GAAS衬底
- 离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物
- 2001年
- 利用质量分离的低能双离子束外延技术 ,得到了 (Ga ,Mn ,As)化合物。衬底温度 5 2 3K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明 ,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为 3 0nm的外延层 ,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里 ,注入深度约为 160nm。衬底温度为 5 2 3K时获得了Ga5.2 Mn相 ,衬底温度为 673K时获得了Ga5.2 Mn、Ga5Mn8和Mn3 Ga相。在 1113K条件下对 673K生长的样品进行退火 ,退火后样品中原有的Mn3 Ga消失 ,Ga5Mn8峰减弱趋于消失 ,Ga5.2 Mn仍然存在而且结晶更好 ,并出现Mn2
- 杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家
- 关键词：低能离子束半导体材料磁性半导体
- 离子束外延生长半导体性锰硅化合物被引量：4
- 2001年
- 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6
- 杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家
- 关键词：硅单晶
相关作者
- 刘志凯
- 作品数：75被引量：74H指数：5
- 供职机构：中国科学院
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- 陈诺夫
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- 供职机构：中国科学院半导体研究所
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- 陈涌海
- 作品数：118被引量：32H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
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