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一种湿法化学腐蚀液处理装置
本实用新型涉及芯片表面处理技术领域,尤其涉及一种湿法化学腐蚀液处理装置,包括固定板和清洗槽,所述固定板的两侧对称螺合设置有螺栓,固定板通过螺栓和墙体连接,所述固定板的下部两侧对称设置有连杆,所述连杆的下部固定设置有连接板...
徐宏进
一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺
本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域,尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺,以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围...
王丽江王勇威范文斌胡天水夏楠君
一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺
本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域,尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺,以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围...
王丽江王勇威范文斌胡天水夏楠君
一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀
本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N(100)双面抛光单晶硅片,利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面,配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀...
李美成李瑞科陈杰威付鹏飞白帆黄睿
湿法化学腐蚀GaP窗口层提高AlGaInP基LED外量子效率的研究
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种新型绿色照明光源,因具有高亮度、低能耗、长寿命等优点而得到越来越广泛的应用。目前,LED芯片的内量子效率已经达到90%以上,但外量子效率却只有5%左右。...
张杰锋
关键词:发光二极管外量子效率
一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀
本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N(100)双面抛光单晶硅片,利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面,配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀...
李美成李瑞科陈杰威付鹏飞白帆黄睿
用于MEMS芯片背面湿法化学腐蚀正面保护的夹具结构
本发明公开了一种用于MEMS芯片背面湿法化学腐蚀正面保护的夹具结构,包括下夹板、垫圈、衬板、压块和上夹板。下夹板为中空的圆筒形,上端开口,下端具有底面,且在该底面上开有腐蚀窗口;垫圈为圆型环或矩形环,位于下夹板的底面与待...
焦斌斌陈大鹏叶甜春
一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺
本发明公开了一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺,首先在LED出光层GaN的表面覆盖上光刻胶,然后在光刻胶膜掩膜的保护下用化学湿法腐蚀,其中化学湿法腐蚀腐蚀液为王水和去离子水的混合液。所述腐蚀液中王水和去离子水的体积比为...
张志强
用于MEMS芯片背面湿法化学腐蚀正面保护的夹具结构
本发明公开了一种用于MEMS芯片背面湿法化学腐蚀正面保护的夹具结构,包括下夹板、垫圈、衬板、压块和上夹板。下夹板为中空的圆筒形,上端开口,下端具有底面,且在该底面上开有腐蚀窗口;垫圈为圆型环或矩形环,位于下夹板的底面与待...
焦斌斌陈大鹏叶甜春
湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
2009年
研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航
关键词:GAN湿法化学腐蚀

相关作者

陈杰
作品数:13被引量:27H指数:3
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:电致变色 湿法化学腐蚀 全固态 GAN基材料 电致变色薄膜
赵丽伟
作品数:20被引量:15H指数:3
供职机构:河北工业大学
研究主题:GAN SI基 氧沉淀 V 硅单晶
张斌
作品数:66被引量:45H指数:4
供职机构:中山大学
研究主题:法医病理学 微环谐振腔 品质因子 硫 包层
王应利
作品数:12被引量:15H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
吕铁铮
作品数:20被引量:4H指数:1
供职机构:湖南大学
研究主题:碳 纤维素薄膜 悬浮液 碳碳复合材料 太阳光谱