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湿法化学腐蚀
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
湿法
化学
腐蚀
液处理装置
本实用新型涉及芯片表面处理技术领域,尤其涉及一种
湿法
化学
腐蚀
液处理装置,包括固定板和清洗槽,所述固定板的两侧对称螺合设置有螺栓,固定板通过螺栓和墙体连接,所述固定板的下部两侧对称设置有连杆,所述连杆的下部固定设置有连接板...
徐宏进
一种
湿法
化学
腐蚀
装置及
湿法
化学
腐蚀
工艺
本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域,尤其是涉及一种
湿法
化学
腐蚀
装置及
湿法
化学
腐蚀
工艺,以缓解现有的
湿法
化学
腐蚀
装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围...
王丽江
王勇威
范文斌
胡天水
夏楠君
一种
湿法
化学
腐蚀
装置及
湿法
化学
腐蚀
工艺
本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域,尤其是涉及一种
湿法
化学
腐蚀
装置及
湿法
化学
腐蚀
工艺,以缓解现有的
湿法
化学
腐蚀
装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围...
王丽江
王勇威
范文斌
胡天水
夏楠君
一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的
湿法
化学
腐蚀
法
本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的
湿法
化学
腐蚀
法。本发明采用N(100)双面抛光单晶硅片,利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面,配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀...
李美成
李瑞科
陈杰威
付鹏飞
白帆
黄睿
湿法
化学
腐蚀
GaP窗口层提高AlGaInP基LED外量子效率的研究
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种新型绿色照明光源,因具有高亮度、低能耗、长寿命等优点而得到越来越广泛的应用。目前,LED芯片的内量子效率已经达到90%以上,但外量子效率却只有5%左右。...
张杰锋
关键词:
发光二极管
外量子效率
一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的
湿法
化学
腐蚀
法
本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的
湿法
化学
腐蚀
法。本发明采用N(100)双面抛光单晶硅片,利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面,配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀...
李美成
李瑞科
陈杰威
付鹏飞
白帆
黄睿
用于MEMS芯片背面
湿法
化学
腐蚀
正面保护的夹具结构
本发明公开了一种用于MEMS芯片背面
湿法
化学
腐蚀
正面保护的夹具结构,包括下夹板、垫圈、衬板、压块和上夹板。下夹板为中空的圆筒形,上端开口,下端具有底面,且在该底面上开有
腐蚀
窗口;垫圈为圆型环或矩形环,位于下夹板的底面与待...
焦斌斌
陈大鹏
叶甜春
一种
湿法
化学
腐蚀
LED表面粗化工艺
本发明公开了一种
湿法
化学
腐蚀
LED表面粗化工艺,首先在LED出光层GaN的表面覆盖上光刻胶,然后在光刻胶膜掩膜的保护下用
化学
湿法
腐蚀
,其中
化学
湿法
腐蚀
的
腐蚀
液为王水和去离子水的混合液。所述
腐蚀
液中王水和去离子水的体积比为...
张志强
用于MEMS芯片背面
湿法
化学
腐蚀
正面保护的夹具结构
本发明公开了一种用于MEMS芯片背面
湿法
化学
腐蚀
正面保护的夹具结构,包括下夹板、垫圈、衬板、压块和上夹板。下夹板为中空的圆筒形,上端开口,下端具有底面,且在该底面上开有
腐蚀
窗口;垫圈为圆型环或矩形环,位于下夹板的底面与待...
焦斌斌
陈大鹏
叶甜春
湿法
化学
腐蚀
法估算GaN外延层中位错密度
2009年
研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的
湿法
腐蚀
结果,结合原子力显微镜表征其
腐蚀
坑形貌及
腐蚀
坑密度,得出了优化的
腐蚀
条件。通过与熔融KOH
腐蚀
结果对比分析发现,熔融NaOH
腐蚀
速率平缓,表面更平整,
腐蚀
坑更规则且密度更大。结合两种
腐蚀
结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种
腐蚀
剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
曹明霞
于广辉
王新中
林朝通
卢海峰
巩航
关键词:
GAN
湿法化学腐蚀
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陈杰
作品数:13
被引量:27
H指数:3
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
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赵丽伟
作品数:20
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吕铁铮
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