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氢化非晶硅薄膜制备方法: 本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法，包括：S1将单晶硅片清洗并制绒；S2在硅片表面预沉积氢等离子；S3在硅片表面进一步沉积SiHx等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜，其中，x=1或2或3；S4对氢化...; 周耐根罗耀榕周浪黄海宾

本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响: 2023年; 以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度对膜层钝化性能和光透过率的影响,然后进一步研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜不同厚度匹配设计对HIT太阳电池电性能的影响,并选出了最优厚度匹配方案。研究结果表明:1)n面本征氢化非晶硅薄膜的厚度越薄,n面非晶硅膜层的光透过率越高,但钝化效果会变差;当厚度达到5 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定。2)在n面本征氢化非晶硅薄膜厚度一定的情况下,随着p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度变厚,硅片的少子寿命先快速增加,当厚度达到9 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定;当厚度大于9 nm时,制备的HIT太阳电池的短路电流和填充因子均下降,表明其串联电阻增大,导致光电转换效率降低。3)当n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度分别为5、9 nm时,n面的钝化效果和光透过率匹配较好,p面的钝化效果和电阻率匹配最优,即为最优厚度匹配方案;此方案制备得到的HIT太阳电池的光电转换效率达到最高,为24.59%。; 杜敬良张会学姜利凯勾宪芳刘海涛王丽婷; 关键词：异质结太阳电池少子寿命

氢化非晶硅薄膜制备方法: 本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法，包括：S1、将单晶硅片清洗并制绒；S2、在硅片表面预沉积氢等离子；S3、在硅片表面进一步沉积SiHx等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜，其中，x=1或2或3；S4...; 周耐根罗耀榕周浪黄海宾

氢化非晶硅薄膜微观结构特征形成的分子动力学模拟研究: 非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池因其低生产成本和高光电转换效率而具有非常大的应用前景。氢化非晶硅薄膜（a-Si:H）是该电池中的钝化层,它的结构与性能对异质结太阳能电池的转换效率起着决定性作用。当前的实验研究主要关注沉积工...; 罗耀榕; 关键词：氢化非晶硅薄膜微观结构后处理分子动力学模拟

仿真环境下探究氢化非晶硅薄膜晶体管原理的教学实践: 2017年; 氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)是平板显示领域的主流技术,其原理是传统教学模式中的难点,相反却为探究式教学呈现出了广阔空间。将α-Si:H TFT的工作状态分为四个区域,详细分析了这四个区域的电流-电压特性,结合RPI SPICE参数规划了教学核心内容并示例性给出了探究点,通过参数调整-仿真-参数提取-再仿真的闭环过程,可以深入理解α-Si:H TFT的物理机制。教学实践表明增高了学生参与度,教学效果良好。; 陈文彬; 关键词：SPICE 薄膜晶体管

氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性被引量：2: 2017年; 针对氢化非晶硅薄膜晶体管(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT)的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/f~γ(f为频率,γ≈0.92)的变化规律,主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型(?N-?μ模型),在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时,对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si:H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系,通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si:H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明:局域态在禁带内随能量呈e指数变化,两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×10^(18)和1.26×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),特征温度分别约为192和290 K,这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子,为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.; 刘远何红宇何红宇陈荣盛李斌恩云飞; 关键词：非晶硅薄膜晶体管低频噪声局域态密度

氢化非晶硅薄膜的制备与工艺参数优化被引量：1: 2016年; 采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H_2/SiH_4气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性的影响。实验结果表明,该方法可以制备出氢化非晶硅薄膜,且通过改变实验条件,可以改变薄膜微观结构及成分;随着H_2/SiH_4气流量比的增加,SiH化合物含量增加,多氢化合物含量降低;适当增加射频功率,可以提高薄膜表面的均匀性,同时,功率的增加会使氢含量增加;此外,薄膜表面氢含量随工艺气压的降低而减小。; 朱永航刘一剑黄霞黄惠良; 关键词：氢化非晶硅薄膜微观结构

一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法: 本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，采用离子束辅助磁控溅射技术，以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射，本底真空度为10?4~10<S...; 王维燕王林青黄金华黄俊俊曾俞衡宋伟杰谭瑞琴

掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法: 本发明公开了一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法。使用等离子体辅助化学气相沉积的方法，采用SiH4、CO2和H2作为气源进行掺氧...; 黄海宾周浪沃尔夫冈·法赫纳张东华

P型氢化非晶硅薄膜制备及光学性能研究: 2016年; 采用等离子体化学气相沉积法制备P型非晶硅薄膜,系统研究了沉积工艺对薄膜结构和性能的影响,并着重分析p层掺杂量对电池性能的影响.结果表明:200℃,400 Pa,氢稀释度为40,沉积功率为60W,硼掺杂量为1.5%所得B掺杂非晶硅薄膜样品带隙达到1.95 e V,电导率超过9 S cm^(-1).掺杂量为1.5%的p型薄膜应用到非晶硅电池时,电池性能有明显提高,最高效率达到8.86%.; 张喜生; 关键词：非晶硅 PECVD 硼掺杂太阳能电池

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