搜索到1978篇“ 比接触电阻率“的相关文章
- 异质结电池接触电阻率的测量方法
- 本申请提供了一种异质结电池接触电阻率的测量方法，异质结电池包括掺杂硅层、位于掺杂硅层上的透明导电层、多根间隔排列在透明导电层上的栅线，包括：对电池片进行划片，以获取待测单元电池片；测量栅线与透明导电层之间的第一接触电阻(...
- 李宏伟姜倩倩胡匀匀孟子博杨广涛
- 碳化硅压力传感器欧姆接触电阻率的测量方法被引量：1
- 2024年
- 鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳化硅的T-LTM测试图形,在氮气氛围下进行了700℃和1000℃的合金实验。最终实验结果显示合金温度对I-V线性关系的显著影响,结合T-LTM测试分析,测定接触电阻率值,验证是否形成良好的欧姆接触。该研究为碳化硅压阻式高温压力传感器的开发提供了技术参考。
- 任向阳张治国刘宏伟李永清李颖贾文博祝永峰王卉如钱薪竹
- 关键词：碳化硅压力传感器欧姆接触接触电阻率
- 一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法
- 本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N<Sub>2</Sub>、H<Sub>2</Sub>混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层...
- 宗华付建波蒋盛翔
- 一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法
- 本发明涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，包括：(1)、在电池片上直径不同的圆形点状电极周围进行开槽处理，形成内径不同的圆形凹槽结构；(2)、测试内径不同的圆形凹槽结构对应的内径；(3)、测试直径不同的圆形点状电...
- 包杰陈程黄策乔振聪刘志锋陈嘉林建伟
- 一种提高CTLM法测欧姆接触电阻率精确度的方法
- 本发明涉及一种提高CTLM法测欧姆接触电阻率精确度的方法，属于半导体激光器制造技术领域，首先对基底表面进行清洗，通过光刻进行图形预制备，之后通过PECVD进行绝缘层的生长，通过剥离去胶法或腐蚀法保留非接触电极区域绝缘层。...
- 王潇潇任夫洋苏建张晓东刘琦吴德华
- 一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构
- 本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构，包括若干个相互并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞包括金属源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其中栅极的表面沉积有栅氧化层；所述半导体...
- 许一力
- 一种改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法
- 本发明提供了一种改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，包括以下步骤：在SiC芯片的背面生长欧姆金属层；在欧姆金属层上进行刻蚀形成第一CTLM图形层；对第一CTLM图形层进行退火；在退火后的第一CTLM图形层...
- 钱志成孙西龙徐俊栗锐
- 一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法
- 本发明提供一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法，上述GaN基HEMT器件包括衬底、缓冲层、非掺杂u‑GaN层、重掺杂n+GaN层及异质结；缓冲层设于衬底上；非掺杂u‑GaN层设于缓冲层上；重掺杂n+...
- 潘磊卢双赞柳俊
- 一种基于光纤传感及非接触电阻率技术的海洋土触变特性测试系统及方法
- 本发明属于土木工程技术领域，提供了一种基于光纤传感及非接触电阻率技术的海洋土触变特性测试系统及方法。一种基于光纤传感及非接触电阻率技术的海洋土触变特性测试系统，包括基于变压器原理的无电极非接触土体电阻率测试装置、利用光纤...
- 裴华富孙安元杨庆杨钢田世豪张敏捷
- 基于非接触电阻率测量法的水泥基材料早期水化特性研究
- 2024年
- 采用非接触电阻率测量法,基于电阻率与温差曲线,研究了硅灰掺量(5%、10%)和粉煤灰掺量(20%、40%)对水泥基材料早期水化的影响。结果表明:掺粉煤灰组水泥浆体的电阻率在约580 min前高于C组(基准组),在580 min后低于C组,而掺硅灰组水泥浆体正相反,在580 min后,掺硅灰组水泥浆体的电阻率高于C组;与C组相比,掺入粉煤灰后,水泥浆体的放热量减少,放热峰对应的时间延迟,而掺入硅灰后,水泥浆体的水化反应明显加快,放热峰对应的时间也随着硅灰掺量的增加而提前;相比于C组,掺粉煤灰组水泥浆体的凝结时间略微延长,掺硅灰组水泥浆体的凝结时间缩短;相较于掺入粉煤灰,掺入硅灰可以促进水泥水化,使水泥浆体微观结构更加致密。
- 于超胜
- 关键词：水泥基材料硅灰粉煤灰水化
相关作者
- 柏胜强
- 作品数：161被引量：154H指数：8
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 研究主题：热电 热电器件 热电材料 锑 阻挡层
- 甄聪棉
- 作品数：70被引量：88H指数：5
- 供职机构：河北师范大学
- 研究主题：多孔硅 SUB 室温铁磁性 欧姆接触 磁存储器
- 陈存礼
- 作品数：18被引量：33H指数：3
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系
- 研究主题：欧姆接触 接触电阻率 快速热退火 半导体 金属-半导体
- 王印月
- 作品数：76被引量：475H指数：12
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室
- 研究主题：光致发光 H ZNO薄膜 反应溅射 半导体
- 张弓长
- 作品数：11被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：欧姆接触 TI/AL/NI/AU N-GAN 接触电阻率 光响应度
