搜索到699篇“ 横向绝缘栅双极晶体管“的相关文章
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- 户仓规仁高桥茂树芦田洋一中川明夫
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- 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管仿真电路及其仿真方法
- 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管...
- 沈丽君刘新新韩晓婷李新红张心凤杨洋
- 横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
- 本申请涉及一种横向绝缘栅双极晶体管，包括漂移区、第一阱区、第一电极引出区、第二电极引出区以及电导调制结构。漂移区具有第一导电类型，电导调制结构设于第一电极引出区和第二电极引出区之间的漂移区内，电导调制结构包括设于漂移区的...
- 刘腾张森何乃龙章文通文天龙赵景川
- 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型及其建模方法
- 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管...
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- 新型载流子积累的逆导型横向绝缘栅双极晶体管
- 2024年
- 通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文提出了一种新型载流子积累的RC-LIGBT,它具有电子控制栅(electron-controlled gate,EG)和分离短路阳极(separated short-anode,SSA),可以同时实现较低的导通压降和关断损耗.在正向导通状态,漂移区上方的EG结构可以在漂移区的表面积累一个高密度的电子层,从而大大地降低器件的导通压降.同时,SSA结构的使用还极大优化了器件的关断损耗.另外,低掺杂p型漂移区与SSA结构配合,可以简单地实现反向导通并且消除回吸电压.仿真结果表明,所提出的器件具有优秀的导通压降与关断损耗之间的折衷关系,其导通压降为1.16 V,比SSA LIGBT低55%,其关断损耗为0.099 mJ/cm^(2),比SSA LIGBT和常规LIGBT分别低38.5%和94.7%.
- 段宝兴王佳森唐春萍杨银堂
- 关键词：导通压降
- 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法
- 本发明提供一种高压阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA‑LIGBT)的等效电路模型及仿真方法，包括：核心场效应管；核心三极管；第一漏端电阻，该电阻连接到核心场效应管的漏极且与第二漏端电阻串联；第二漏端电阻，该电阻与第一漏端...
- 乔明郭银江逸洵郑祖泉刘文良张波
- 一种横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
- 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层，增强了漂移区电导调制效应，减小了器件导通压降；用分离栅包裹栅电极，减小密勒电容，降低关断...
- 张金平赵阳王康刘竞秀李泽宏张波
- 横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法
- 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还...
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- 沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件
- 一种沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件，具备：P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型体区内并肩设有呈方波形状的重掺杂的N型发射极区和重掺杂的P...
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