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- 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
- 本发明题为“横向扩散金属氧化物半导体晶体管”。在一般方面，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管可包括：第一导电类型的衬底；设置在该衬底中的第二导电类型的埋入式阱区；设置在该埋入式阱区上的该第一导电类型的主体区、设...
- C·C·马
- 横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管及其制造方法
- 本申请公开了横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法。一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括第一栅极。LDMOS晶体管还包括位于第一栅极的第一侧的第一源极区域。LDMOS晶体管还包括位于第一...
- 李连杰张辉明张璐柯旭吴汐玥
- 全环绕栅极横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本公开涉及一种全环绕栅极横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。提供一种全环绕栅极横向扩散金属氧化物半导体装置。一种设备包含衬底、安置于所述衬底上的两个或更多个第一薄片、安置于所述衬底及所述两个或更多个第一薄片的至少部分上...
- 刘清
- 基于面积高效鳍片的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本公开涉及一种基于面积高效鳍片的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。一种设备包含：衬底，其具有第一掺杂，所述衬底包括具有第二掺杂的第一阱及具有第三掺杂的第二阱；及鳍片，其安置在所述衬底上。所述鳍片定位在所述第一阱上方，...
- 刘清
- 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
- 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，设于衬底内；第二掺杂区，设于衬底内，且位于第一掺杂区靠近衬底的表面的一侧；第一沟槽，设于衬底内，且从衬底的表面...
- 宋亮金华俊罗琳
- 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
- 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成体区；于衬底上形成注入掩蔽结构，注入掩蔽结构覆盖于衬底的部分表面；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的正投影内；由...
- 金华俊宋亮刘新新袁玫王亚南
- 具有减少的栅极电荷及时间相关电介质击穿的横向扩散金属氧化物半导体装置
- 本公开涉及具有减少的栅极电荷及时间相关电介质击穿的横向扩散金属氧化物半导体装置。提供一种具有减少的栅极电荷及时间相关电介质击穿的LDMOS。一种设备包含：衬底，其包括具有第一掺杂的第一阱及具有第二掺杂的第二阱区；源极，其...
- 伊藤明
- 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
- 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极材料层与氮化硅掩膜层；以氮化硅掩膜层为掩膜刻蚀栅极材料层形成栅极；形成具有第一开口的图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层与氮化硅掩膜层...
- 司伟亚历山大·卡尔尼茨基
- P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
- 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧...
- 张森张龙何乃龙崔永久王肖娜林峰马杰刘斯扬孙伟锋
- 用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置
- 本发明涉及用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置，提供用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构和形成用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构的方法。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域形成于基板中，栅极电极...
- P·马哈詹E·X·M·刘黄庆真
