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机电耦合系数
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
高
机
电耦合
系数
无铅压
电
陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及压
电
陶瓷材料技术领域,具体为高
机
电耦合
系数
无铅压
电
陶瓷材料及其制备方法和应用。所述的高
机
电耦合
系数
无铅压
电
陶瓷材料,由以下基体制备:(0.99‑x)(K<SUB>0.5</SUB>Na<SUB>0.5</SUB...
孙兆海
高硕
刘健
孙琳斐
孙敏
一种滤波器、有效
机
电耦合
系数
可调的温度补偿型BAW器件及其制备方法
本发明公开了一种滤波器,有效
机
电耦合
系数
可调的温度补偿型BAW器件及其制备方法,该温度补偿型BAW器件包括衬底;压
电
震荡堆,包括顺序堆叠在所述衬底上的第一
电
极、压
电
层、第二
电
极和保护层;温度补偿层,位于第一
电
极和压
电
层之...
轩伟鹏
郭欣宇
董树荣
金浩
李文钧
孙玲玲
刘军
骆季奎
一种单晶压
电
谐振器及
机
电耦合
系数
调整方法
本申请提供了一种单晶压
电
谐振器及
机
电耦合
系数
调整方法,所述谐振器包含基底、单晶压
电
薄膜、第一
电
极层、第二
电
极层和调节区域;所述单晶压
电
薄膜位于所述基底上,且所述单晶压
电
薄膜靠近基底的一侧设置有声学镜;所述第一
电
极层设置于...
杨清瑞
庞慰
张孟伦
宫少波
一种声表面波谐振器及其
机
电耦合
系数
的调节方法
本发明提供了一种声表面波谐振器及其
机
电耦合
系数
的调节方法,涉及半导体技术领域,所述声表面波谐振器包括衬底、压
电
层、叉指
电
极和介质层,声表面波谐振器的
机
电耦合
系数
的调节方法包括调节叉指
电
极的波长λ与压
电
层在第一方向上的厚度...
左成杰
何军
一种增大XBAR器件
机
电耦合
系数
的方法
本申请提供了一种增大XBAR器件
机
电耦合
系数
的方法,所述XBAR器件包括压
电
基底层、置于所述压
电
基底层之上的IDT层;其中所述IDT层由第一
电
极及第二
电
极构成。XBAR器件同时兼备SAW器件的大带宽与BAW器件的高频特性...
刘子奇
陈威
一种基于刻蚀压
电
薄膜的高
机
电耦合
系数
声表面波器件
本发明公开了一种基于刻蚀压
电
薄膜的高
机
电耦合
系数
声表面波器件,属于
电
子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底,部分刻蚀压
电
薄膜和顶
电
极。所述顶
电
极为叉指
电
极,对叉指之间压
电
薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表...
潘峰
徐惠平
曾飞
傅肃磊
沈君尧
苏荣宣
一种高功率高
机
电耦合
系数
的体声波谐振器及其制备方法
本发明提供了一种高功率高
机
电耦合
系数
的体声波谐振器及其制备方法,涉及谐振器技术领域。该高功率高
机
电耦合
系数
的体声波谐振器包括第一衬底、底
电
极、AlScN层、单晶AlN层和顶
电
极,第一衬底的底面设置有凹槽;底
电
极为第一衬底...
李国强
一种低介损高
机
电耦合
系数
的压
电
单晶复合材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种低介损高
机
电耦合
系数
的压
电
单晶复合材料及其制备方法与应用。其制备方法包括以下步骤:(1)以MgO、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Su...
田毅
张芳源
党琳佩
苗青青
朱永灿
黄新波
有效
机
电耦合
系数
可调的超高频谐振器
本发明公开了一种有效
机
电耦合
系数
可调的超高频谐振器,其结构包括:沟槽,
电
极,压
电
薄膜;
电
极位于压
电
薄膜上表面。沟槽横截面为矩形、梯形、弧形中任一种,长度方向与
电
极长度方向一致,沟槽数目、宽度和深度据实际情况确定。沟槽可位...
孙成亮
温志伟
刘文娟
蔡耀
刘婕妤
徐沁文
谷曦宇
曲远航
高
机
电耦合
系数
无铅压
电
陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及压
电
陶瓷材料技术领域,具体为高
机
电耦合
系数
无铅压
电
陶瓷材料及其制备方法和应用。所述的高
机
电耦合
系数
无铅压
电
陶瓷材料,由以下基体制备:(0.99‑x)(K<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub...
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孙成亮
作品数:183
被引量:16
H指数:2
供职机构:武汉大学
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作品数:394
被引量:14
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