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高机电耦合系数无铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及压电陶瓷材料技术领域，具体为高机电耦合系数无铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用。所述的高机电耦合系数无铅压电陶瓷材料，由以下基体制备：(0.99‑x)(K<SUB>0.5</SUB>Na<SUB>0.5</SUB...
孙兆海高硕刘健孙琳斐孙敏
一种滤波器、有效机电耦合系数可调的温度补偿型BAW器件及其制备方法
本发明公开了一种滤波器，有效机电耦合系数可调的温度补偿型BAW器件及其制备方法，该温度补偿型BAW器件包括衬底；压电震荡堆，包括顺序堆叠在所述衬底上的第一电极、压电层、第二电极和保护层；温度补偿层，位于第一电极和压电层之...
轩伟鹏郭欣宇董树荣金浩李文钧孙玲玲刘军骆季奎
一种单晶压电谐振器及机电耦合系数调整方法
本申请提供了一种单晶压电谐振器及机电耦合系数调整方法，所述谐振器包含基底、单晶压电薄膜、第一电极层、第二电极层和调节区域；所述单晶压电薄膜位于所述基底上，且所述单晶压电薄膜靠近基底的一侧设置有声学镜；所述第一电极层设置于...
杨清瑞庞慰张孟伦宫少波
一种声表面波谐振器及其机电耦合系数的调节方法
本发明提供了一种声表面波谐振器及其机电耦合系数的调节方法，涉及半导体技术领域，所述声表面波谐振器包括衬底、压电层、叉指电极和介质层，声表面波谐振器的机电耦合系数的调节方法包括调节叉指电极的波长λ与压电层在第一方向上的厚度...
左成杰何军
一种增大XBAR器件机电耦合系数的方法
本申请提供了一种增大XBAR器件机电耦合系数的方法，所述XBAR器件包括压电基底层、置于所述压电基底层之上的IDT层；其中所述IDT层由第一电极及第二电极构成。XBAR器件同时兼备SAW器件的大带宽与BAW器件的高频特性...
刘子奇陈威
一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件
本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件，属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表...
潘峰徐惠平曾飞傅肃磊沈君尧苏荣宣
一种高功率高机电耦合系数的体声波谐振器及其制备方法
本发明提供了一种高功率高机电耦合系数的体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该高功率高机电耦合系数的体声波谐振器包括第一衬底、底电极、AlScN层、单晶AlN层和顶电极，第一衬底的底面设置有凹槽；底电极为第一衬底...
李国强
一种低介损高机电耦合系数的压电单晶复合材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种低介损高机电耦合系数的压电单晶复合材料及其制备方法与应用。其制备方法包括以下步骤：(1)以MgO、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Su...
田毅张芳源党琳佩苗青青朱永灿黄新波
有效机电耦合系数可调的超高频谐振器
本发明公开了一种有效机电耦合系数可调的超高频谐振器，其结构包括：沟槽，电极，压电薄膜；电极位于压电薄膜上表面。沟槽横截面为矩形、梯形、弧形中任一种，长度方向与电极长度方向一致，沟槽数目、宽度和深度据实际情况确定。沟槽可位...
孙成亮温志伟刘文娟蔡耀刘婕妤徐沁文谷曦宇曲远航
高机电耦合系数无铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及压电陶瓷材料技术领域，具体为高机电耦合系数无铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用。所述的高机电耦合系数无铅压电陶瓷材料，由以下基体制备：(0.99‑x)(K<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub...
孙兆海高硕刘健孙琳斐孙敏
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孙成亮
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作品数：394被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 缺陷层 压电薄膜 键合 谐振器
邹杨
作品数：77被引量：18H指数：2
供职机构：武汉大学
研究主题：谐振器 压电层 薄膜体声波谐振器 机电耦合系数 电极
周杰
作品数：64被引量：33H指数：4
供职机构：武汉大学
研究主题：谐振器 压电层 机电耦合系数 超高频 压电
刘婕妤
作品数：31被引量：3H指数：1
供职机构：武汉大学
研究主题：谐振器 机电耦合系数 超高频 压电层 电极