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电耦合系数无铅压陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及压陶瓷材料技术领域,具体为高电耦合系数无铅压陶瓷材料及其制备方法和应用。所述的高电耦合系数无铅压陶瓷材料,由以下基体制备:(0.99‑x)(K<SUB>0.5</SUB>Na<SUB>0.5</SUB...
孙兆海高硕刘健孙琳斐孙敏
一种滤波器、有效电耦合系数可调的温度补偿型BAW器件及其制备方法
本发明公开了一种滤波器,有效电耦合系数可调的温度补偿型BAW器件及其制备方法,该温度补偿型BAW器件包括衬底;压震荡堆,包括顺序堆叠在所述衬底上的第一极、压层、第二极和保护层;温度补偿层,位于第一极和压层之...
轩伟鹏郭欣宇董树荣金浩李文钧孙玲玲刘军骆季奎
一种单晶压谐振器及电耦合系数调整方法
本申请提供了一种单晶压谐振器及电耦合系数调整方法,所述谐振器包含基底、单晶压薄膜、第一极层、第二极层和调节区域;所述单晶压薄膜位于所述基底上,且所述单晶压薄膜靠近基底的一侧设置有声学镜;所述第一极层设置于...
杨清瑞庞慰张孟伦宫少波
一种声表面波谐振器及其电耦合系数的调节方法
本发明提供了一种声表面波谐振器及其电耦合系数的调节方法,涉及半导体技术领域,所述声表面波谐振器包括衬底、压层、叉指极和介质层,声表面波谐振器的电耦合系数的调节方法包括调节叉指极的波长λ与压层在第一方向上的厚度...
左成杰何军
一种增大XBAR器件电耦合系数的方法
本申请提供了一种增大XBAR器件电耦合系数的方法,所述XBAR器件包括压基底层、置于所述压基底层之上的IDT层;其中所述IDT层由第一极及第二极构成。XBAR器件同时兼备SAW器件的大带宽与BAW器件的高频特性...
刘子奇陈威
一种基于刻蚀压薄膜的高电耦合系数声表面波器件
本发明公开了一种基于刻蚀压薄膜的高电耦合系数声表面波器件,属于子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底,部分刻蚀压薄膜和顶极。所述顶极为叉指极,对叉指之间压薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表...
潘峰徐惠平曾飞傅肃磊沈君尧苏荣宣
一种高功率高电耦合系数的体声波谐振器及其制备方法
本发明提供了一种高功率高电耦合系数的体声波谐振器及其制备方法,涉及谐振器技术领域。该高功率高电耦合系数的体声波谐振器包括第一衬底、底极、AlScN层、单晶AlN层和顶极,第一衬底的底面设置有凹槽;底极为第一衬底...
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一种低介损高电耦合系数的压单晶复合材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种低介损高电耦合系数的压单晶复合材料及其制备方法与应用。其制备方法包括以下步骤:(1)以MgO、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Su...
田毅张芳源党琳佩苗青青朱永灿黄新波
有效电耦合系数可调的超高频谐振器
本发明公开了一种有效电耦合系数可调的超高频谐振器,其结构包括:沟槽,极,压薄膜;极位于压薄膜上表面。沟槽横截面为矩形、梯形、弧形中任一种,长度方向与极长度方向一致,沟槽数目、宽度和深度据实际情况确定。沟槽可位...
孙成亮温志伟刘文娟蔡耀刘婕妤徐沁文谷曦宇曲远航
电耦合系数无铅压陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及压陶瓷材料技术领域,具体为高电耦合系数无铅压陶瓷材料及其制备方法和应用。所述的高电耦合系数无铅压陶瓷材料,由以下基体制备:(0.99‑x)(K<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub...
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作品数:394被引量:14H指数:2
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作品数:77被引量:18H指数:2
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研究主题:谐振器 压电层 薄膜体声波谐振器 机电耦合系数 电极
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研究主题:谐振器 压电层 机电耦合系数 超高频 压电
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作品数:31被引量:3H指数:1
供职机构:武汉大学
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