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固态微波电子学的新进展被引量：4: 2018年; 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹。目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局。综述了具有代表性的11类固态器件（RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET）近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位。最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术。; 赵正平; 关键词：BIMOS GAAS GAAS INP HEMT INP HEMT

固态微波电子学的新进展(续)被引量：1: 2018年; 3 GaN HEMT GaN HEMT具有宽禁带半导体材料的高击穿电压、高电子饱和速率和高导热率等特点,已实现1,0.5,0.25,0.2和0.15μm及100,60,45和20 nm栅长的GaN HEMT工艺,广泛应用于UHF,L,S,C,X和Ku等微波频段以及Ka,E和W等毫米波频段的高线性、高功率、高功率密度和宽带的功率放大器、抗功率冲击和宽带低噪声放大器、高功率开关、腔体振荡器和移相器等,是当前固态微波电子学研究的热点。; 赵正平; 关键词：功率密度宽带低噪声放大器金刚石薄膜饱和输出功率

材料电磁参数的表征与微波测量技术微波电子学: 本书设置12章内容，其中，第1章材料的电磁特性、第2章材料表征的微波理论与技术是全书的基础篇章；第3章至第7章为全书的核心篇章，分别介绍了反射法、传输/反射法、谐振器法等；第8章至第12章属于全书的提高篇章，分别对介电常...; （新加坡）L.F.Chen等著

射频与微波电子学: 本书主要内容分五部分共21章。第一部分基础知识；第二部分波在网络中的传输；第三部分无源电路的设计；第四部分有源网络中的基本考虑；第五部分有源网络：线性与非线性设计，包括射频/微波放大器小信号设计、大信号设计，射频/微波振...; （美）马修·M.拉德马内斯著; 关键词：微波电子学射频电路

射频与微波电子学: 国外高校电子电气类优秀教材:本书分基础知识、波在网络中的传输、无源电路的设计、有源网络中的基本考虑、有源网络：线性与非线性设计五部分内容。; （美）M.; 关键词：微波电子学射频电路

射频与微波电子学英文版: 国外电子与通信教材系列:本书介绍了有关射频与微波电路的基本概念、微波电子学以及高频电子线路设计原理等方面的基础知识。并运用图解和实例，完整讲解了电波传播、现行电路阻抗匹配、微波线性放大器等。; （美）（拉德马内斯）（Matthew; 关键词：微波电子学射频电路

氮化镓微波电子学的进展被引量：17: 1999年; 简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长、微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。; 袁明文潘静; 关键词：宽禁带半导体微波器件氮化镓

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