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- 微波功率晶体管增益-频率研究
- 2019年
- 电流放大倍数与特征频率是衡量微波晶体管电学性能的重要参数,二者之间存在相互制约的关系。利用TCAD半导体器件仿真软件对双极型硅微波晶体管结构、工艺及输出特性进行仿真研究。以提高硅微波晶体管增益带宽积为目标,着重研究外延层掺杂浓度及少子寿命、基区掺杂浓度、发射区掺杂浓度、基极重掺杂接触区对器件特征频率和电流放大倍数的影响。仿真表明对外延层掺杂浓度、基区注入剂量、发射区注入剂量的合理调节能够同时提高电流放大倍数和特征频率,进而提高微波晶体管增益带宽积。研究结果对硅微波晶体管的材料选择及器件设计提供了有价值的参考信息。
- 刘秋妤李媛
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- 2019年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。
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