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2025年9月3日星期三

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干法刻蚀方法和半导体工艺设备: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选...; 杨光李佳阳马一鸣周赐李国荣

一种用于探测器的干法刻蚀装置: 本发明公开了一种用于探测器的干法刻蚀装置，用于对晶圆干法刻蚀加工，包括：一刻蚀腔体，其敞口设置；一刻蚀组件，设置于所述刻蚀腔体内；一进气箱，与所述刻蚀腔体连通；一抽真空设备，与所述刻蚀腔体连通；多个夹持部，用于夹持所述晶...; 万远涛廖世容况诗吟

一种降低干法刻蚀报废率的方法: 本发明涉及掩模版制造技术领域，具体涉及一种降低干法刻蚀报废率的方法，通过采用高质量的刻蚀设备和仪器，并精确调整刻蚀参数，结合实时监测和参数调整，可以显著提高干法刻蚀的稳定性和精确性，从而提升刻蚀质量，同时，在进入工艺腔前...; 李逍遥杨长华薛文卿

一种干法刻蚀机用的片架: 本发明涉及半导体工业技术领域，公开了一种干法刻蚀机用的片架，包括固定板，固定板设有两个，且两个固定板相对的一侧均设有若干个收纳槽，固定板设有若干个传动腔，述传动腔内均滑动连接有安装板，安装板靠近定位孔的一侧固定连接有两个...; 孙文彬潘磊

一种干法刻蚀铌酸锂的方法: 本发明涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。干法刻蚀铌酸锂的方法的刻蚀步骤包括，将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2，H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；达到...; 冯英雄戴海成刘建车东晨彭泰彦许开东

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法: 本发明公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法，该方法包括：S1、在半导体晶圆衬底上均匀涂覆聚酰亚胺并退火固化以形成聚酰亚胺层薄膜；S2、在聚酰亚胺层薄膜上淀积溅射铝膜；S3、在铝膜上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影；...; 袁秋雁杜建林陈环玉左元呈毛敏

一种干法刻蚀机用多功能安装调试平台: 本发明公开的属于安装调试技术领域，具体为一种干法刻蚀机用多功能安装调试平台，其包括底板和安装调试台，所述底板的正上方设有安装调试台，还包括：用于对安装调试台的位置进行调节的调节组件，且调节组件设在底板和安装调试台之间；所...; 魏鸣峰沈勋邵帅帅宗庆超雷伟

一种用于石墨舟干法刻蚀的真空腔体结构: 本实用新型公开了一种用于石墨舟干法刻蚀的真空腔体结构，包括不锈钢圆筒型的真空腔体，所述真空腔体的内部安装有不锈钢材质的支撑杆；本实用新型通过将真空腔体设置为圆筒型，将石墨舟放入真空腔体内的支撑杆固定位置上，石墨舟分别对接...; 王罗发陈吉庆

一种干法刻蚀机用晶圆多功能提取装置: 本发明公开了一种干法刻蚀机用晶圆多功能提取装置，涉及晶圆技术领域，包括提取机构，所述提取机构的顶部设置有拿取机构，所述提取机构顶部的中部设置有除尘机构，所述提取机构的顶部固定连接有环境调节机构，所述环境调节机构的内部设置...; 魏鸣峰沈勋邵帅帅宗庆超雷伟

一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除...; 吴小明胡民伟王立李东熙刘海荣王伟刘璐江风益

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王跃林: 作品数：723被引量：799H指数：14; 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 研究主题：微机械各向异性腐蚀硅制作方法键合

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