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射频磁控溅射法制备高性能ZnO异质结构脉搏探测器: 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的基于ZnO异质结构光电探测器，并将其应用于脉搏探测的方法，所需要解决的问题是提高ZnO基脉搏探测器的灵敏度，并尽量的简化制备方法，降低成本，使其适用于工业化生产。本专利技术...; 蒋大勇赵嵩淇赵曼段雨晗魏浩明

射频磁控溅射法制备MoS_(2)纳米薄膜的光学性能研究: 2025年; 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底表面沉积不同厚度的MoS_(2)纳米薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光谱(UV-Vis)和荧光光谱等手段对MoS_(2)薄膜结构及光谱性质进行表征。结果表明:溅射时间越长,MoS_(2)薄膜的结晶性越好。薄膜形成条状纳米结构相互交叠的表面形貌,样品表面形貌均匀致密。MoS_(2)纳米薄膜在可见光波段对短波长光源吸收较强,对长波长光源透射较强。随着溅射时间的增加,薄膜厚度增加,导致MoS_(2)纳米薄膜的吸收系数增加,透射率减小,光学带隙也逐渐减少。在MoS_(2)薄膜的发射谱中,位于675nm的A激子峰,对应的带隙为1.8eV。发射峰的强度随着MoS_(2)薄膜层数的增加而减小,发射峰的位置随着MoS_(2)薄膜层数的增加而蓝移。; 樊志琴邢淑涵李瑞张丽英张俊峰; 关键词：射频磁控溅射光学性能

基于射频磁控溅射法制备高性能Zn2GeO4:Mn发光薄膜及其性能研究: Zn2GeO4是一种六方晶体结构并有着超宽带隙的半导体材料，其本体基质结构中存在着天然缺陷，并能在一定波长激发下发出白光，同时可以提供绿色发光中心。而在其本体中掺杂Mn原子，则能得到一种具有优异绿色光致发光性能的材料。而...; 舒振浩; 关键词：发光薄膜射频磁控溅射法退火工艺发光性能

采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β-Ga2O3薄膜的方法及β-Ga2O3薄膜: 本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β‑Ga2O3薄膜的方法及β‑Ga2O3薄膜，包...; 周泽民王佳琳彭彦军苏毅周雄刘鹏陈健禧何启科彭湃王璐

射频磁控溅射法制备高性能ZnO/MgZnO二维电子气紫外光电探测器: 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的基于二维电子气的高性能紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是实现可见盲波段光电器件探测能力的指数增长，并尽量的简化制备方法，降低成本，使其适用于工业化生产。本专利技术的高...; 赵曼蒋大勇梁庆成邓蕊段雨晗周璇李倩赵新景

CdTe薄膜射频磁控溅射法制备研究被引量：1: 2023年; 太阳能的规模化利用是解决当今全球能源短缺的重要途径。CdTe作为公认的高效、廉价的薄膜电池材料受到重视,文章介绍了射频磁控溅射法,总结了射频磁控溅射法制备的影响因素,包括溅射频率、脉冲偏压、沉积时间与射频功率、衬底靶距、衬底温度及沉积气氛等,以期为太阳能规模化利用提供助力,为薄膜电池材料的发展添砖加瓦。; 焦宇泽杜欣欣; 关键词：CDTE 射频磁控溅射法

射频磁控溅射法制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数研究: 2023年; 采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS_(2)的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量。当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS_(2)膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。; 张俊峰孙再征孔腾飞蔡根旺李亚平胡莎樊志琴; 关键词：射频磁控溅射正交试验法工艺参数

射频磁控溅射法制备MgZnO日盲紫外光电探测器: 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的三明治结构MgZnO紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是制备三明治结构的MgZnO光电探测器，并尽量的简化制备方法使其适用于工业化生产。本项专利技术的三明治结构的MgZ...; 蒋大勇赵曼梁庆成邓蕊高尚李昊达孙佳梅王美娇翁思远邢美焦赵洪平韩吉超

一种采用射频磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法: 本发明涉及相变材料技术领域，尤其涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法包括在真空反应室中，采用射频磁控溅射法，在基底表面溅射二氧化钒后，升高基底温度进行原位退火，得到二氧化钒薄膜；基底和二氧化钒薄膜之间不设...; 田宏伟刘鸿旭杨俊于陕升

一种射频磁控溅射法制备高性能全固态薄膜锂电池的方法: 本发明公开了一种射频磁控溅射法制备高性能全固态薄膜锂电池的方法。该方法包括以下步骤：(1)设计在不同径向尺寸上相同电池形状的掩模版；(2)在衬底基片上覆盖掩模版，在磁控溅射设备上装样，安装靶材；(3)射频磁控溅射法溅射正...; 李硕谭飞虎梁晓平魏峰杜军

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