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非易失性存储器件
一种非易失性存储器件，包括：衬底；第一半导体层，包括衬底上的存储单元阵列；第二半导体层，包括外围电路，该外围电路被配置为向存储单元阵列写入数据或从存储单元阵列读取数据，其中，第二半导体层在第一半导体层上；以及突出结构，包...
李世勋权俊瑛金俊亨成锡江
三维存储器件及其形成方法
公开了一种三维(3D)存储器件及其形成方法。根据本公开的实施例，一种三维(3D)存储器件包括：包括多个交替的电介质层和导电层的堆叠结构；延伸穿过所述堆叠结构的第一沟道结构；位于所述堆叠结构上方的顶部选择栅(TSG)层；位...
陈天韩玉辉
存储器系统和存储器件
实施方式提供了具有高性能和高可靠性的存储器系统和存储器件。一种存储器系统包括非易失性存储器和存储器控制器。非易失性存储器包括存储单元和控制电路，该控制电路通过第一写入操作将n比特的第一数据写入存储单元，并通过第二写入操作...
川口优树天木健彦西川卓小岛庆久
非易失性存储器件
一种非易失性存储器器件包括第一存储器单元阵列、第一双向复用器、第一寄存器、第二寄存器、第一I/O焊盘和第二个I/O焊盘。第一存储器单元阵列存储第一数据。第一双向复用器接收第一数据并将第一数据分发为第一子数据和第二子数据。...
柳承佑金相录田炳宽郑秉勋任政燉崔荣暾
一种存储器单元及存储器件
本申请公开了一种存储器单元及存储器件，存储器单元包括：半导体基体、栅极结构、沟槽电容结构和源/漏区，半导体基体中形成有沟槽；栅极结构形成在半导体基体上；沟槽电容结构形成在栅极结构一侧的沟槽中；源/漏区形成在栅极结构两侧的...
蔡建祥王亢
存储器件、集成芯片及其形成方法
本公开的各种实施例涉及一种包括经共掺杂的数据储存结构的存储单元。底部电极上覆在衬底上，而顶部电极上覆在底部电极上。数据储存结构设置在顶部电极与底部电极之间。数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料。
金海光吴启明林杏莲蔡子中江法伸李璧伸
存储器件的计数方法及存储器件
本申请提供一种存储器件的计数方法及存储器，所述方法包括如下步骤：获取待计数的类别，依据类别与进位次数的映射关系确定第一类别对应的第一进位次数m，第一进位次数m为大于等于16的整数倍；类别具体为：PE计数、写计数或读计数；...
黄胜张培栋
一种磁性纳米多环存储器件及其制备方法、应用
本发明提供了一种磁性纳米多环存储器件及其制备方法、应用。磁性纳米多环存储器件，包括：衬底；附着于所述衬底上的单元；其中，所述单元由多个环边重叠或环边接触连接的纳米环构成。由于环边重叠型器件具有较大的交换耦合强度，其磁滞回...
任杨高健文张闰华王金山童利凭葛明立
存储器件和形成三维（3D）存储器件的方法
形成三维(3D)存储器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件，该层堆叠件具有第一导电材料和第一介电材料的交替层；形成沟槽，该沟槽从层堆叠件的远离衬底的上表面垂直延伸穿过层堆叠件至层堆叠件的面向衬底的下表面；用存储器膜内衬沟...
杨子庆孙宏彰蒋国璋赖昇志江昱维
包括多个主机和多个存储器件的系统及其操作方法
一种系统，包括：多个存储器件，多个存储器件中的每一个包括多个存储区域；主机，被配置为与多个存储器件通信；以及开关电路，被配置为存储多个存储器件中的多个存储区域之中被分配给主机的存储区域的映射信息，其中，多个存储器件之中的...
林石昡
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朱慧珑
作品数：1,194被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
路建美
作品数：651被引量：985H指数：20
供职机构：苏州大学
研究主题：复合材料 SUB 存储器件 原子转移自由基聚合 性能研究
贺竞辉
作品数：107被引量：0H指数：0
供职机构：苏州大学
研究主题：存储器件 叉指电极 镀膜材料 SUB 传感器
刘明
作品数：1,382被引量：412H指数：11
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
缪向水
作品数：855被引量：77H指数：5
供职机构：华中科技大学
研究主题：相变材料 相变存储器 电极 相变 选通