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2025年6月20日星期五

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一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法: 本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法。该图形化复合衬底包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多个复合微结构，所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层，所述衬底层与所述衬底基板为一体结构；所述衬底层...; 张剑桥吴伟康凯肖桂明杨锤

低粗糙度多晶碳化硅衬底的制备方法及复合衬底: 本申请涉及半导体材料加工技术领域，尤其涉及一种低粗糙度多晶碳化硅衬底的制备方法及复合衬底。制备方法包括：准备多晶碳化硅衬底；所述多晶碳化硅衬底具有待键合面和背面；所述待键合面包括有用区和边缘区；将两片所述多晶碳化硅衬底平...; 黄秀松郭超母凤文刘福超谭向虎

一种低粗糙度多晶碳化硅衬底的制备方法及复合衬底: 本申请涉及半导体材料加工技术领域，尤其涉及一种低粗糙度多晶碳化硅衬底的制备方法及复合衬底。包括：准备多晶碳化硅衬底，采用机械抛光方法研磨衬底，使所述衬底的研磨面表面粗糙度至5nm以下；采用离子辐照衬底的研磨面，使所述研磨...; 黄秀松郭超母凤文刘福超谭向虎

一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法: 本发明属于半导体加工制造领域，本发明提供了一种临时键合及解键合的方法、复合衬底的制备方法及晶圆的制造方法，所述临时键合及解键合的方法包括在两个硅衬底上形成氧化硅层，对氧化硅层进行离子注入、氢氟酸处理及等离子体活化，通过亲...; 母凤文冯策谭向虎刘福超

SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法: 本发明提供如下SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法：通过改善反复用于SiC接合衬底的制造过程中的SiC单晶衬底的翘曲而抑制SiC单晶衬底的搬运错误、不能将SiC单晶衬...; 寺岛彰

一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底: 本发明涉及一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底，该复合衬底通过在碳化硅衬底表面设置上表面平整的氮化硅层，很好地整平了碳化硅衬底凹凸不平的表面，使得衬底表面变得光滑平整，有利于后期外延生长出高质量的氮化单晶薄膜。此外...; 徐良余雅俊占俊杰陈素春孟秀清阳明益林骞

一种包裹式图形化复合衬底、制备方法及LED外延片: 本发明实施例公开了一种包裹式图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该包裹式图形化复合衬底包括衬底基板以及形成于衬底基板上的多个复合图形微结构；复合图形微结构包括中心凸起微结构和火山口型环状凸起微结构，中心凸起微结构的底...; 肖桂明张剑桥刘凤仪康凯陆前军张能

一种提升复合衬底键合界面质量的方法和复合衬底: 本发明提供了一种提升复合衬底键合界面质量的方法和复合衬底。所述方法包括：提供待键合的两个衬底，在两个衬底中的至少一个衬底的待键合面上生长缓冲层，然后进行键合，得到复合衬底；其中，生长所述缓冲层的方法包括以下步骤：(1)对...; 邢永禄刘福超母凤文谭向虎

一种碳化硅-金刚石复合衬底及应用: 本申请公开了一种碳化硅‑金刚石复合衬底及应用，属于半导体材料领域。该碳化硅‑金刚石复合衬底，包括如下特征：从下至上依次包括碳化硅衬底层、界面层和多晶金刚石层；碳化硅‑金刚石复合衬底的热导率≥650(W/(m·K))；透光...; 王旗隋晓明宗艳民苏丽娜刘硕王凯张林潘亚妮党一帆朱灿

一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片。制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上形成若干间隔排布的光刻胶凸起；对蓝宝石衬底进行刻蚀，使蓝宝石衬底在相邻的光刻胶凸起之间形成凹槽；在...; 周庆林刘春杨胡加辉金从龙

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乔在祥: 作品数：166被引量：70H指数：4; 供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所; 研究主题：铜铟镓硒太阳电池柔性衬底薄膜太阳电池复合衬底

冯少君: 作品数：56被引量：15H指数：2; 供职机构：天津理工大学; 研究主题：铜铟镓硒苏打复合衬底铜锌氧化锌薄膜

薛玉明: 作品数：122被引量：127H指数：8; 供职机构：天津理工大学; 研究主题：铜铟镓硒苏打复合衬底太阳电池薄膜太阳电池

宋殿友: 作品数：92被引量：71H指数：4; 供职机构：天津理工大学; 研究主题：铜铟镓硒苏打复合衬底薄膜太阳电池铜锌

张嘉伟: 作品数：31被引量：0H指数：0; 供职机构：天津理工大学; 研究主题：铜铟镓硒复合衬底苏打太阳电池聚酰亚胺