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一种场效应管封装机构
本发明提供一种场效应管封装机构，涉及半导体加工技术领域，包括：固定架；所述固定架上通过轴承安装有转动杆，转动杆的下端固定有棘轮，固定架的下端固定有底架，底架上通过螺栓安装有一号电动机，一号电动机的输出轴上固定有拨动轮，拨...
方成应赵辉
一种新型结型场效应管
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种新型结型场效应管，包括：设置于同一P型外延上的JFET、寄生PNP管和寄生高压二极管；PNP管的基极和发射极短接JFET的源极，PNP管的集电极连接JFET的bulk端，高压二极管...
赵克翔
一种场效应管及一种电子设备
本申请实施例提供了一种场效应管，所述场效应管包括：场效应管本体及底板；其中，所述底板包括沿第一方向背离设置的第一侧和第二侧，所述场效应管本体连接于所述底板的第一侧；所述底板的第二侧设置有焊盘及避开所述焊盘设置的条状凸起，...
黄天定刘仕臻武家超
一种场效应管运输保护装置
本实用新型公开了一种场效应管运输保护装置，涉及场效应管保护技术领域，具体包括安装板，安装板的内部插接有固定板，固定板的内部开设有等距离排列的固定孔，本实用新型通过设置安装板、固定板、固定孔和插孔等部件，在使用本装置时，首...
赖柱光赖冬敏
柔性场效应管及其制备方法
本发明提供一种柔性场效应管及其制备方法。柔性场效应管，包括柔性绝缘衬底、液态源极、液态漏极、离子液体介电层、半导体活性层和栅电极；液态源极、液态漏极、离子液体介电层、半导体活性层和栅电极均位于柔性绝缘性衬底上表面。其中，...
熊俊杰谭新峰束海峰侯佳宇王巍琦郭丹
一种碳化硅增强型场效应管
本发明公开了一种碳化硅增强型场效应管，属于半导体封装技术领域。一种碳化硅增强型场效应管，包括塑封体、安装槽、变形槽、防水槽、基板、芯片、引脚、散热片、挤压块；塑封体通常采用环氧树脂制成，芯片通过锡膏焊接在基板的中部；为了...
赵福健高俊吴南徐振垚
防静电的半导体场效应管结构
本实用新型公开了防静电的半导体场效应管结构，包括场效应管主体和引脚，所述场效应管主体的一端固定连接有引脚，所述场效应管主体的外侧罩有第一防静电网以及第二防静电网，且所述场效应管主体与第一防静电网以及第二防静电网之间涂抹有...
周锦旗张含清
一种功率场效应管器件及其制备方法
一种功率场效应管器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明通过在所述的第一导电型掺杂体区上方设接触孔沟槽和设于所述的接触孔沟槽之间的第二导电型重掺杂源区，所述的接触孔沟槽下方设有第一导电型接触重掺杂区，所述的第...
梁嘉进伍震威单建安管浩
场效应管的供电控制器件
本发明公开了一种场效应管的供电控制器件，其中，上述供电控制器件包括：供电控制器件的输入端与场效应管的栅极连接，供电控制器件的输出端与漏极开关模块的输入端连接；场效应管的漏极与漏极开关模块的输出端连接；漏极开关模块被设置为...
俞利光王显郑硕超汪健
一种金属氧化物半导体场效应管结构
本申请提供一种金属氧化物半导体场效应管结构。场效应管结构包括衬底，外延层，第一、二阱区，电流扩展层，等电位环区、第一、二源区、第一、第二沟道区、缓冲层及第一、二栅极。外延层形成于衬底上；第一、二阱区、电流扩展层形成于外延...
陈禹志郑泽东李驰巫以凡
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杨银堂
作品数：1,647被引量：1,668H指数：16
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
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作品数：224被引量：65H指数：4
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 晶体管 纵向电场 漂移区 比导通电阻
曹震
作品数：67被引量：9H指数：2
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
王伟
作品数：92被引量：37H指数：3
供职机构：南京邮电大学
研究主题：场效应管 掺杂 隧穿 磷 栅结构
于军胜
作品数：746被引量：327H指数：8
供职机构：电子科技大学
研究主题：基板 有机电致发光器件 柔性衬底 钙钛矿 光电子器件