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可编程器件
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
可
编程器
件
、
可
编程器
件
阵列及操作方法、存储
器
本公开实施例提供一种
可
编程器
件
、
可
编程器
件
阵列及操作方法、存储
器
,其中,
可
编程器
件
包括:位线;选择晶体管,选择晶体管的第一源漏极与位线电连接;选择信号线,选择信号线与选择晶体管的栅极电连接;多个二极管;多个反熔丝单元,反...
姜焕德
一种多块级联的
可
编程器
件
的配置方法和系统
本发明提供一种多块级联的
可
编程器
件
的配置方法和系统。利用外部存储设备存放多块级联的
可
编程器
件
的配置码流文
件
,利用SPI通信协议实现通信连接,主
可
编程器
件
会主动从外部读取配置数据并先配置自己,配置完成后把后续的码流数据依次...
俞文
韦援丰
魏育成
多次
可
编程器
件
及其制造方法
本申请公开了多次
可
编程器
件
及其制造方法,所述多次
可
编程器
件
包括:衬底,衬底包括阱区和隔离区,隔离区与阱区相邻设置,阱区包括在阱区延伸方向上排列的与阱区的导电类型不同的源区和漏区以及二者之间的沟道区;栅叠层,包括层叠设置的...
王文智
张国伟
王建智
一种多次
可
编程器
件
及电子设备
本申请公开了一种多次
可
编程器
件
及电子设备,多次
可
编程器
件
包括半导体层;位于半导体层中的阱区和隔离结构,所述隔离结构围绕所述阱区;选择晶体管和浮栅晶体管,形成于所述阱区中,所述浮栅晶体管的浮栅从所述阱区上方延伸至所述隔离结...
康绍磊
姚福民
一次性
可
编程器
件
的测试结构及测试方法
一种一次性
可
编程器
件
的测试结构及测试方法,该测试结构包括:半导体衬底;多个存储单元,每个存储单元包括形成于半导体衬底中的有源区,以及形成于半导体衬底上的浮栅和控制栅,有源区沿第一方向延伸,浮栅和控制栅沿第二方向延伸;浮栅...
黄云龙
荣宝辉
可
编程器
件
的交互数据验证方法、装置、设备及介质
本发明公开了
可
编程器
件
的交互数据验证方法、装置、设备及介质,属于集成电路技术领域。它包括:获取待验证的交互数据;通过第一摘要算法获取交互数据的第一公钥摘要和第二公钥摘要;通过RSA加密算法获取交互数据的第一数据流摘要和第...
梁振瑞
夏君
一种一次性
可
编程器
件
本申请提出了一种一次性
可
编程器
件
,涉及存储
器
技术领域。本申请提出的一次性
可
编程器
件
,包括:第一金属层、第二金属层、第一连接组
件
、第二连接组
件
和非易失性存储
器
;其中,非易失性存储
器
的一端通过第一连接组
件
与第一金属层连接,非...
马向超
多次
可
编程器
件
及其制造方法
本申请公开了多次
可
编程器
件
及其制造方法,所述多次
可
编程器
件
包括:衬底,衬底包括阱区和隔离区,隔离区与阱区相邻设置,阱区包括在阱区延伸方向上排列的与阱区的导电类型不同的源区和漏区以及二者之间的沟道区;栅叠层,包括层叠设置的...
王文智
张国伟
王建智
多次
可
编程器
件
及其制备方法
本发明涉及一种多次
可
编程器
件
及其制备方法。一种多次
可
编程器
件
包括:衬底,衬底包括第一阱区和第二阱区,第一阱区为第一导电类型,第二阱区为第二导电类型,第一阱区具有源极和漏极,第二阱区具有控制栅极,其中,源极、漏极和控制栅极...
王文智
张国伟
周文鑫
王建智
一种多次
可
编程器
件
及其制造方法
本申请公开了一种多次
可
编程器
件
及其制造方法,多次
可
编程器
件
包括:半导体层;位于半导体层中的第一有源区,第一有源区包括在第一轴线方向排列的源区、沟道区和漏区;位于半导体层中的隔离结构;浮栅,包括连接在一起的第一浮栅和第二浮...
王文智
谢昌德
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