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双向可控硅整流器
本发明提供一种双向可控硅整流器包括：第一导电型的衬底、第二导电型的阱区、浅沟槽隔离结构、第一导电型的六个重掺杂区、第二导电型的六个重掺杂区以及第一导电型的四个静电放电(ESD)注入层。在所述阱区中有并排的四个有源区，且中...
刘俊杰杜飞波何青松
可控硅整流器
本公开涉及半导体结构，更具体涉及可控硅整流器和制造方法。该结构包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中；第三阱，其位于半导体衬底中并将第一阱与第二阱隔离开；以及第一扩散区，其位于半导体衬底的表面处并且...
曾杰S·P·卡拉卡尔
单向可控硅整流器件
本发明公开了一种单向可控硅整流(SCR)器件。SCR包括第一硅外层、第二硅外层、第一硅中间层和第二硅中间层。第一硅外层被耦合到第一硅中间层。第一硅中间层被耦合到第二硅中间层。第二硅中间层被耦合到第二硅外层。SCR还包括被...
周继峰张环何磊
一种可控硅整流励磁系统
本实用新型属于励磁控制技术领域，尤其为一种可控硅整流励磁系统，包括：机柜，所述机柜内安装有电路器组件，且电路器组件用于将电力稳定输出，所述电路器组件上安装有励磁组件，且励磁组件用于控制和调节电流，所述机柜的一侧固定有散热...
刘永江田野陈慈阳徐金刚唐复港李成绿郑淑容郑晶
触发器可控硅整流器
本公开涉及触发器可控硅整流器。本公开涉及一种结构，其包括：位于绝缘体上半导体SOI衬底内的触发器元件；以及位于SOI衬底的掩埋绝缘体层下方的可控硅整流器SCR。触发器元件位于SCR的阳极与阴极之间。
A·纳特A·F·卢瓦索S·米特拉
高性能可控硅整流器器件
本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及高性能可控硅整流器(SCR)器件和制造方法。该结构包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中且与第一阱相邻；多个浅沟槽隔离结构，其延伸到第一阱和第二阱中；以及深沟槽...
S·M·潘迪S·P·卡拉卡尔R·克里希纳萨米A·纳特
高性能可控硅整流器器件
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高性能可控硅整流器(SCR)器件和制造方法。该结构包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中且与第一阱相邻；以及多孔半导体区，其在第一阱和第二阱中延伸。
S·M·潘迪S·P·卡拉卡尔R·克里希纳萨米陈学深
静电防护电路及其可控硅整流器
本发明涉及一种用于静电防护的可控硅整流器，包括衬底、深埋层、第一类型阱区、第二类型阱区、第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。第一类型阱区包括互相间隔的第一子阱区和第二子阱区。第二类型阱区介于第一子阱区和第二子阱区之间以将二者...
朱瑞陈晓峰李建峰
一种防反接的可控硅整流线路
本发明公开了一种防反接的可控硅整流线路，包括防反整流单元和防反控制单元，本发明整流电路的两输出端（V1，V2）正确连接蓄电池，二极管D2导通，稳压二极管D3为可控硅Q2控制极提供一稳定的高电平，可控硅Q2导通，整流电路的...
张雄峰吴锦清刘琪希
具有场板的可控硅整流器
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有场板结构的可控硅整流器和制造方法。该结构包括：位于半导体衬底中的多个第一类型的阱；位于半导体衬底中的第二类型的阱，第二类型的阱围绕多个第一类型的阱；围绕多个第一类型的阱的隔离结构，该...
曾杰
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