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读存储器阵列、集成电路件及其制造方法
读存储器(ROM)阵列包括ROM位的第一行至第四行,其包括相应邻近的第一有源区至第四有源区。ROM位的第一行至第四行中的每行包括沿着第一至第四有源区中的相应一个定位的总共四个相邻ROM位,ROM位的每行的总共四个中的每...
鲁伊斯·小普雷西利亚诺陈建盈林谷峰
超低功耗、高速多晶硅熔丝可擦除可编程读存储器
一个实例包含一种集成电路(100),其具有感测放大(105),所述感测放大包含:第一反相(110),其具有第一正电源端子、第一输入端及第一输出端;及第二反相(115),其具有第二正电源端子、连接至所述第一输出端的...
L·钱德拉谢卡拉Y·迪德R·肖哈恩D·拉贾戈帕尔
一种基于带电可擦可编程读存储器的安全加密及硬件版本管理系统
本发明涉及充电桩技术领域,且公开了一种基于带电可擦可编程读存储器的安全加密及硬件版本管理系统,包括主控电路、带电可擦可编程读存储器电路、预写电路,所述主控电路主要用于整个系统的通讯控制,用于从带电可擦可编程读存储器...
刘子雷杨涛朱小本叶宁
读存储器单元阵列及其存储信息取方法、系统、计算机设备、存储介质及程序产品
本发明提供一种读存储器单元阵列及其存储信息取方法、系统、计算机设备、存储介质及程序产品,属于半导体技术领域。读存储器单元阵列的相邻两个所述开关管中,其中一个所述开关管的源极电连接另一个所述开关管的漏极;所有所述开关...
关琢玮佘一奇周戬郑遨金
用于启动没有读存储器的片上系统的方法、没有读存储器的片上系统和耳机
一种用于启动没有读存储器(ROM)的片上系统(SoC)的方法,其包括以下步骤:通过SoC所包括的处理(10)接收(S1)重置信号,通过SoC所包括的监控组件监控(S2)处理与至少非易失性存储器(11)之间的连接(1...
迈克尔·勃姆
多次写入读存储器阵列
本发明提供了一种多次写入读存储器阵列,属于存储器阵列领域,其包括多条字符共源线、多条位元线与多个子存储器阵列。字符共源线包括一第一字符共源线与一第二字符共源线,位元线垂直字符共源线,位元线包括一第一位元线与一第二位元线...
黄郁婷吴其沛
高速高写入次数读存储器阵列
本发明提供了一种高速高写入次数读存储器阵列,属于存储器阵列领域,其包括多条字线、多条选择线、多条位元线与多个子存储器阵列。字线包括一第一字线,选择线包括一第一选择线与一第二选择线,位元线包括一第一位元线、一第二位元线、...
黄郁婷吴其沛范雅婷
读存储器的位错失效分析方法
本发明公开了一种读存储器的位错失效分析方法,包括:步骤一、将读存储器的后道金属线层都剥离并使接触孔表面露出。步骤二、在失效模块外选定第一切割区域并进行切割形成列方向延伸的第一凹槽,各行多晶硅条的侧面在第一凹槽的侧面暴...
徐嘉良
利用金属丝定义读存储器编码模式的方法
本发明提供一种利用金属丝定义读存储器编码模式的方法,提供衬底,在衬底上形成读存储器的半导体件,半导体件顶端包括层间介质层,位于层间介质层中的多根间隔分布的金属丝和顶端金属层,金属丝的断开、连通情况用于决定存储...
尤鸿朴王乐平隋建国牛文玉
闪存模拟电子抹除式可复写读存储器的方法及闪存系统
本公开关于一种利用闪存模拟电子抹除式可复写读存储器的方法以及使用其的闪存系统。此闪存系统包括一控制电路以及一闪存。此闪存的每一个单元,分为一数据字段以及一地址字段,且将多个单元分配在一第一页面。当控制电路接收到一指令,...
张纹硕

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贺朝会
作品数:174被引量:302H指数:11
供职机构:西安交通大学能源与动力工程学院
研究主题:单粒子效应 质子 总剂量效应 半导体器件 单粒子翻转
张华林
作品数:27被引量:0H指数:0
供职机构:闽南师范大学
研究主题:双端 单片机系统 微波信号 随机存取存储器 只读存储器
张帆
作品数:115被引量:122H指数:7
供职机构:华中科技大学
研究主题:AD_HOC网络 IEEE 路由协议 4G 无线传感器网络
罗前
作品数:8被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:只读存储器 电荷泵 存储器 FPGA 延时
刘勇攀
作品数:123被引量:17H指数:2
供职机构:清华大学
研究主题:加速器 电路 存储器 神经网络 单元电路